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国家自然科学基金(60376001)

作品数:11 被引量:19H指数:3
相关作者:张玉明张义门郭辉王超徐大庆更多>>
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地区

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13 条 记 录,以下是 1-10
张玉明
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张义门
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:4H-SIC 碳化硅 SIC MESFET 6H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王超
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:半绝缘 散热 4H-SIC 碳化硅 液态金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭辉
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:样片 退火 石墨烯 欧姆接触电极 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐大庆
供职机构:西安科技大学
研究主题:淀积 突变 衬底 原位掺杂 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王悦湖
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 4H-SIC 碳化硅衬底 掺杂 电池
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马仲发
供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题:光电耦合器件 MOSFET GAALAS 红外发光二极管 G-R噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马格林
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:SIC 外延层 碳化硅 掺铝氧化锌 红外隐身
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张林
供职机构:长安大学
研究主题:碳化硅 欧姆接触 能量转换效率 封装密度 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汤晓燕
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 肖特基接触 欧姆接触 外延层 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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