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中国科学院知识创新工程(KGCX2-SW-107)

作品数：1 被引量：5H指数：1
相关作者：陈延湖王显泰刘新宇葛霁吴德馨更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域：电子电信更多>>

领域

  • 7个电子电信
  • 5个自动化与计算...
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  • 2个经济管理
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  • 2个电气工程
  • 2个文化科学
  • 2个自然科学总论
  • 1个医药卫生

主题

  • 7个电路
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  • 7个HBT
  • 5个单片
  • 4个单片集成

机构

  • 7个中国科学院微...
  • 2个中国科学院
  • 1个电子科技大学
  • 1个山东大学
  • 1个西安交通大学
  • 1个河北工业大学
  • 1个西安电子科技...
  • 1个香港大学
  • 1个株洲南车时代...
  • 1个中国科学院微...
  • 1个杭州士兰微电...

资助

  • 7个中国科学院知...
  • 6个国家重点基础...
  • 6个中国科学院知...
  • 5个国家自然科学...
  • 3个国家科技重大...
  • 3个中国科学院“...
  • 3个中国科学院重...
  • 1个广东省自然科...
  • 1个国防基金
  • 1个国家高技术研...
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  • 1个军事电子预研...
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  • 1个国际科技合作...
  • 1个国家电网公司...
  • 1个河北省自然科...
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传媒

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  • 2个科学通报
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  • 2个大功率变流技...
  • 1个科学中国人

地区

  • 6个北京市
  • 1个山东省
共 7 条 记 录，以下是 1-7
陈延湖
供职机构：山东大学
研究主题：INGAP/GAAS_HBT HBT 小信号 MMIC INGAP/GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
葛霁
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：HBT INP DHBT 磷化铟 功率管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申华军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 刻蚀 欧姆接触 INGAP/GAAS_HBT 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王显泰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INGAP/GAAS_HBT 功率放大器 磷化铟 金属 INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严北平
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：异质结双极晶体管 HBT 双极晶体管 ALGAAS/GAAS 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴德馨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN HEMT INGAP/GAAS_HBT 欧姆接触 HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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