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国家重点基础研究发展计划(2006CB302704)
作品数:
6
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徐秋霞
周华杰
许高博
刘明
李海欧
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徐秋霞
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:金属栅 半导体器件 刻蚀 沟道 堆叠
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周华杰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:金属栅 鳍片 自顶向下 沟道效应 硅化
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许高博
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:金属栅 半导体器件 沟道 介质层 堆叠
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韩郑生
供职机构:中国科学院微电子研究所
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供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:垂直腔面发射激光器 GAN 半导体器件 晶圆片 散热能力
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刘海华
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:应变硅 磁畴 坡莫合金 PMOSFET 沟道
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钱鹤
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 刻蚀 自对准硅化物 淀积 集成电路
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李海欧
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:EOT CMOS器件 CMOS 压应力 等效氧化层厚度
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刘明
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
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陈宝钦
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:电子束光刻 电子束直写 电子束曝光 抗蚀剂 电子束
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