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中微半导体设备(上海)有限公司

作品数：1,077 被引量：21H指数：2
相关机构：北京智朗芯光科技有限公司中国科学院力学研究所四川英杰电气股份有限公司更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金四川省科技计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 1,044篇专利
  • 10篇会议论文
  • 9篇期刊文章
  • 9篇科技成果
  • 4篇标准

领域

  • 41篇电子电信
  • 18篇文化科学
  • 11篇自动化与计算...
  • 9篇金属学及工艺
  • 9篇理学
  • 8篇电气工程
  • 6篇经济管理
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 280篇刻蚀
  • 235篇等离子体
  • 175篇基片
  • 146篇等离子体处理
  • 139篇等离子
  • 136篇反应气体
  • 129篇气体
  • 119篇射频
  • 100篇半导体
  • 90篇等离子体刻蚀
  • 85篇静电
  • 67篇制程
  • 64篇绝缘
  • 63篇电极
  • 59篇功率
  • 57篇刻蚀工艺
  • 55篇电感耦合
  • 52篇通孔
  • 51篇射频功率
  • 47篇射频电源

机构

  • 1,076篇中微半导体设...
  • 4篇中国科学院力...
  • 4篇北京智朗芯光...
  • 3篇四川英杰电气...
  • 3篇北京京仪自动...
  • 3篇东莞市中镓半...
  • 2篇清华大学
  • 2篇北京七星华创...
  • 2篇工业和信息化...
  • 2篇巴尔工业株式...
  • 1篇北京大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国电子技术...
  • 1篇北京京运通科...
  • 1篇北京北方华创...
  • 1篇广东省中科宏...

作者

  • 2篇邓超
  • 1篇王军喜
  • 1篇张兴
  • 1篇程秀兰
  • 1篇姜晶
  • 1篇栾春红
  • 1篇张蕊
  • 1篇杜欣
  • 1篇王超

传媒

  • 3篇集成电路应用
  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇机电信息
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇机械工程与自...
  • 1篇科技促进发展
  • 1篇北京力学会第...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇2014中国...
  • 1篇高温气体动力...
  • 1篇“深化改革与...

年份

  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 29篇2019
  • 126篇2018
  • 174篇2017
  • 170篇2016
  • 140篇2015
  • 127篇2014
  • 109篇2013
  • 79篇2012
  • 56篇2011
  • 27篇2010
  • 13篇2009
  • 9篇2008
  • 13篇2007
共 1,077 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种多波长光学测量装置及其测量方法
本发明提供一种多波长光学测量装置及其测量方法，该多波长光学测量装置包含：激光发生组件、光学组件、反射光接收组件、以及控制组件，多波长光学测量装置可以产生两种以上的具有不同波长的激光，不同波长的激光的反射率不会同时小于设定...
夏国强田保峡李天笑
基片补偿刻蚀的方法
一种用于等离子处理腔室的基片补偿刻蚀的方法，其中，所述基片置于腔室之中的基台之上进行刻蚀制程，当接收到预警信号时，相应腔室则停止其中对基片的刻蚀制程，待经过一段等待时间执行补偿刻蚀，其特征在于，所述方法包括：在所述等待时...
王兆祥刘志强邱达燕苏兴才
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用于等离子体处理装置的基片制程方法
本发明涉及半导体技术领域，公开了一用于等离子体处理装置的基片制程方法，根据等离子体处理装置的装载状态确定调整系数，在制程前根据调整系数和工艺参数调整因子对预设工艺参数进行调整，得到实际工艺参数，并以实际工艺参数对待处理半...
黄智林席朝晖杨平
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等离子体处理室及用于该等离子体处理室的气体注入装置
本发明公开了一种等离子体处理室及用于该等离子体处理室的气体注入装置，本发明在所述环形气体注入管道内壁设置若干气体注入口，并且使得所述气体输出的方向与所述气体注入口指向所述环形气体注入管道圆心的方向呈一锐角，确保气体注入反...
叶如彬倪图强
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一种均匀刻蚀基片的等离子体处理装置及方法
本发明公开了一种均匀刻蚀基片的等离子体处理装置及其处理方法，包括一等离子体处理腔，所述等离子体处理腔内设置一基座，用于支撑基片，环绕所述基片设置一聚焦环，通过施加射频信号在聚焦环表面产生至少可叠加的两个自偏压，当聚焦环厚...
梁洁杨平
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一种整合多功能腔以及基片处理系统
本发明公开了一种整合多功能腔，其包含：处理腔，其设置在所述的整合多功能腔内上方，其一端连接所述的前端模块，用于在前端模块与处理腔之间传输基片，其另一端连接所述的传输腔，用于在处理腔与传输腔之间传输基片；ICP等离子体源，...
陶珩姜银鑫
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一种刻蚀有机物层的等离子刻蚀方法
一种刻蚀有机物层的等离子刻蚀方法，为解决刻蚀有机物层时基片的中心区域和边缘区域刻蚀效果不均一的问题。本发明的刻蚀方法提出了利用气体分布装置在对应基片中心区域供应刻蚀气体，在对应基片边缘区域供应侧壁保护气体。其中刻蚀气体和...
高山星一陶铮倪图强
一种多腔室等离子处理装置及其压力测试方法
本发明提供了一种多腔室等离子处理装置，其中，所述等离子处理装置包括至少两个子腔室，在两个子腔室之间的隔离壁上具有开口，在每个子腔室内部的基台上都放置有基片进行制程，其中，所述等离子处理腔室上设置有一压力测试装置，其分别连...
陈妙娟左涛涛高颖徐朝阳倪图强
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改善MOCVD反应工艺的部件及改善方法
本发明公开了一种改善MOCVD反应工艺的部件及改善方法，改善机理是在MOCVD反应腔内的不锈钢部件主体表面涂覆一层致密的保护膜，所述保护膜成分全部为MOCVD沉积工艺过程中所需气体的元素组成，或者不会与MOCVD反应气体...
贺小明郭世平
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用于等离子体处理腔室的静电夹盘组件及制造方法
本发明提供一种用于等离子体处理腔室中的静电夹盘的增强型涂层。所述增强型涂层利用等离子体增强型物理气相沉积制成。所述涂层通常是Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3...
贺小明倪图强
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