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意法半导体(图尔)公司
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法国国立图尔大学
意法半导体股份有限公司
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意法半导体(格勒诺布尔2)公司
意法半导体研发(深圳)有限公司
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共模滤波器
一种共模滤波器,包括两个输入端子和两个输出端子以及在每个输入或输出端子和地线之间串联的电容元件和第一电感元件。
法布莱斯·基顿
本杰明·索恩
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电气连接件
本实用新型公开了一种电气连接件,包括框架,该框架界定细长的开放腔,并且具有设置有触点区域的两个平行的长侧,该触点区域能够与互补的电气连接件的触点区域协作。每个长侧由多层印刷电路板形成。
A·艾德特
C·诺珀
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具有温度稳定特性的SCR部件
本公开涉及一种具有温度稳定特性的SCR部件。垂直结构的SCR型部件具有形成在第一导电类型的硅区域上、自身形成在第二导电类型的硅层中的主上部电极,其中所述区域中断在其中硅层的材料与上部电极接触的第一部位中,以及在采用延伸在...
S·梅纳德
文献传递
电子芯片的制造
本公开的实施例涉及电子芯片的制造。本公开涉及一种电子芯片,所述电子芯片包括携带有至少一个金属接触件的半导体衬底,所述金属接触件在所述衬底的厚度内沿着所述芯片的至少一个侧表面延伸。
O·奥里
M·德克鲁兹
电流产生设备
本公开的各实施例涉及电流产生设备。在实施例中,用于从第二电流产生第一电流的设备,包括:输出晶体管,该输出晶体管被配置为产生第一电流;第一电路,该第一电路被配置为产生代表第二电流的第三电流并且从第一节点汲取第三电流;第二电...
K·伦兹
文献传递
集成电路
一种集成电路,包括:垂直肖克利二极管,所述垂直肖克利二极管从顶部至底部包括:第一导电类型的第一区域,第二导电类型的衬底,以及所述第一导电类型的第二区域,所述第二区域具有形成在其中的所述第二导电类型的第三区域,以及第一垂直...
M·罗维瑞
L·穆安德龙
C·巴龙
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高压氮化镓肖特基二极管
为了降低导通状态中的电阻,本公开提供高压氮化镓肖特基二极管。肖特基二极管形成在硅支撑部上。非掺杂GaN层覆在硅支撑部上面。AlGaN层覆在非掺杂GaN层上面。形成欧姆接触的第一金属化层和形成肖特基接触的第二金属化层被设置...
A·伊万
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用于移动通信设备的天线
一种用于移动通信设备的天线。本发明涉及一种天线,包括:伸长的导电带;天线插座;到大地的连接;可调节电容的至少一个第一电容性元件;以及与第一电容性元件串联的至少一个第一电感性元件。
B·博内特
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用于形成垂直薄膜锂离子电池的方法
一种用于形成锂离子型电池的方法,包括以下步骤:在至少局部导电的衬底上形成绝缘层,该绝缘层具有贯通开口;相继且保形地沉积包括阴极集电极层、阴极层、电解质层以及阳极层的层叠,该层叠具有的厚度小于所述绝缘层的厚度;在所述结构上...
皮埃尔·布隆
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晶闸管
本公开的实施例涉及晶闸管。一种晶闸管由交替导电类型的第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四半导体区域的垂直堆叠形成。第四半导体区域在晶闸管的栅极区中被中断。第四半导体区域进一步在连续通道中被中断,该连续通道...
S·梅纳尔
L·让
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