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法国国立图尔大学

作品数：17 被引量：0H指数：0
相关机构：意法半导体(图尔)公司国家科学研究中心更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 11篇衬底
  • 10篇多孔硅
  • 10篇硅衬底
  • 5篇导电类型
  • 5篇电极
  • 5篇竖直
  • 5篇绝缘
  • 4篇电压
  • 4篇功率
  • 4篇高电压
  • 3篇电隔离
  • 3篇电声
  • 3篇电声换能器
  • 3篇有效厚度
  • 3篇振动膜
  • 3篇声波
  • 3篇网络
  • 3篇网络布置
  • 2篇堆叠
  • 2篇伸长

机构

  • 17篇法国国立图尔...
  • 17篇意法半导体(...
  • 2篇国家科学研究...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高压垂直功率部件
本公开的实施例涉及高压垂直功率部件。一种垂直功率部件，包括第一导电类型的硅衬底，在衬底的下表面上有第二导电类型的阱。第一阱在部件外围处与绝缘多孔硅圆环接界。多孔硅环的上表面仅与第一导电类型的衬底接触。绝缘多孔硅圆环向下穿...
S·梅纳德G·戈蒂埃
声电隔离设备
本公开涉及的一种声电隔离设备包括能够传输声波的衬底。振动膜电声换能器的第一网络布置在衬底的第一表面上。振动膜电声换能器的第二网络布置在衬底的第二相对表面上。衬底的有效厚度在第一和第二表面之间相对于传播声波显示出梯度。
S·恩古D·塞顿D·阿尔奎尔
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表面安装芯片
本实用新型公开了一种表面安装芯片，包括：在表面侧上连接到外部设备的第一焊盘和第二焊盘，其中，在顶视图中，第一焊盘具有伸长的总体形状，并且第二焊盘为点形焊盘，其不与第一焊盘对准。
O·奥里C·勒科克
文献传递
高压垂直功率部件
一种垂直功率部件，包括第一导电类型的硅衬底，在衬底的下表面上有第二导电类型的阱。第一阱在部件外围处与绝缘多孔硅圆环接界。多孔硅环的上表面仅与第一导电类型的衬底接触。绝缘多孔硅圆环向下穿入衬底中至大于阱的厚度的深度。
S·梅纳德G·戈蒂埃
垂直氮化镓肖特基二极管
本发明涉及一种垂直氮化镓肖特基二极管，包括：由堆叠覆盖的导体或半导体衬底，该堆叠从衬底的第一表面按以下顺序包括缓冲层、第一N型掺杂GaN层、以及具有比第一层低的掺杂水平的第二N型掺杂GaN层；在第二GaN层的与衬底相对的...
A·伊万D·阿尔奎尔Y·科尔迪耶
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声电隔离设备
本公开涉及的一种声电隔离设备包括能够传输声波的衬底。振动膜电声换能器的第一网络布置在衬底的第一表面上。振动膜电声换能器的第二网络布置在衬底的第二相对表面上。衬底的有效厚度在第一和第二表面之间相对于传播声波显示出梯度。
S·恩古D·塞顿D·阿尔奎尔
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竖直功率部件
本实用新型公开了一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中，部件外围包括：在下表面侧上，穿...
S·梅纳德G·高蒂尔
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垂直功率部件
本公开涉及一种垂直功率部件，包括第一导电类型的硅衬底，在衬底的下表面上有第二导电类型的阱。第一阱在部件外围处与绝缘多孔硅圆环接界。多孔硅环的上表面仅与第一导电类型的衬底接触。绝缘多孔硅圆环向下穿入衬底中至大于阱的厚度的深...
S·梅纳德 G·戈蒂埃
文献传递
表面安装芯片
本发明公开了一种表面安装芯片，包括：在表面侧上连接到外部设备的第一焊盘和第二焊盘，其中，在顶视图中，第一焊盘具有伸长的总体形状，并且第二焊盘为点形焊盘，其不与第一焊盘对准。
O·奥里C·勒科克
文献传递
声电隔离设备
本公开涉及的一种声电隔离设备包括能够传输声波的衬底。振动膜电声换能器的第一网络布置在衬底的第一表面上。振动膜电声换能器的第二网络布置在衬底的第二相对表面上。衬底的有效厚度在第一和第二表面之间相对于传播声波显示出梯度。
S·恩古D·塞顿D·阿尔奎尔
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