重庆大学物理学院应用物理系
- 作品数：234 被引量：640H指数：11
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- 相关机构：中国科学院物理研究所重庆师范大学物理与电子工程学院渝州大学物理系更多>>
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- p型GaN上透明电极的研究现状
- GaN 基发光器件通常采用金属作为 p 型 GaN 的接触电极,但由于金属透光率低,大大降低了器件的发光效率,解决办法之一就是采用透明导电薄膜作为其接触材料。本文在分析 p-GaN 上难以形成欧姆接触原因的基础上,提出了...
- 董建新方亮张淑芳高岭孔春阳
- 关键词：透明导电膜GAN欧姆接触透明电极
- 文献传递
- 溶致液晶聚合物长度与时间的关系
- 2010年
- 溶致液晶材料在水中会形成聚合物,聚合物的长度会随着温度而改变,因此可以通过改变溶液的温度来改变聚合物的长度,从而在一定的温度和浓度范围内产生液晶相。研究了一种名为蓝色27的阴丹酮衍生物(C28-H18O10N4C12)的溶致液晶材料。实验发现,20℃时封装在玻璃盒中的浓度为4.5%的蓝色27水溶液样品的透光率随着搁置时间的延长明显增加,计算结果表明,样品的有序度会随着时间的延长而增加,这种增加与系统中聚合物长度随着搁置时间变长有关。
- 刘辉
- 关键词：溶致液晶
- 非晶硅电致发光机理及用电致发光谱研究太阳能电池本征层中的缺陷态能量分布被引量：8
- 1999年
- 用弥散性输运控制的复合机理完善地解释了非晶硅ｐｉｎ 二极管电致发光谱的特征，从而澄清了许多年来对电致发光效率及峰值的误解．描述了用电致发光谱术研究非晶硅ｐｉｎ太阳能电池本征层中局域态的实验方法．结果表明：采用 Ｈ２ 稀释方法制备的样品，其缺陷态能量分布呈单一窄峰；而用纯硅烷制备的样品其缺陷态能量分布较宽，且呈双峰．
- 韩大星王万录张智
- 关键词：电致发光缺陷态非晶硅太阳能电池
- 基于拓扑结构的碱金属化合物摩尔磁化率的支持向量回归研究
- 2009年
- 基于经典电动力学导出的表征简单离子磁化率的磁性点价gi所构建的分子磁性连接性指数mF及45种碱金属化合物的摩尔磁化率χm的实测数据集,利用粒子群寻优的支持向量回归(SVR)方法,建立了基于0F和1F的碱金属化合物χm的预测模型,并与基于多元线性回归(MLR)模型的计算结果进行了比较.结果显示,基于9次交叉验证的SVR模型预测的平均绝对误差、平均相对误差绝对值以及均方根误差均比MLR模型小,表明SVR模型的回归预测能力优于MLR.研究表明,磁性连接性指数mF是一种合适的分子描述符,SVR是一种预测碱金属化合物χm的有效方法.
- 蔡从中庄魏萍温玉锋朱星键裴军芳肖婷婷
- 关键词：碱金属化合物支持向量回归
- 发光隧道结表面粗糙度的隧道显微镜研究被引量：3
- 1992年
- 本文报道用扫描隧道显微镜(STM)在空气中观测淀积在100nm厚的CaF_2薄膜上的Al-Al_2O_3-Au发光隧道结表面的研究成果.在观测中首次发现结表面呈现出横向相关长度分别为30～70nm和3～5nm的两种粗糙度;横向相关长度小的粗糙度被横向相关长度大的所调制.这种横向相关长度为3～5nm的表面粗糙度的存在与Laks和Mills预期的表面随机粗糙隧道结发光理论值一致.
- 江孟蜀舒启清
- 关键词：发光隧道结表面粗糙度SPPSTM
- “全同”超形变核转动带的量子群U_(qp)(u_2)模型的理论分析被引量：3
- 1998年
- 利用量子群Ｕｑｐ（ｕ２）模型计算了“１９１－１９２－１９３－１９４Ｈｇ超形变（ＳＤ）带的γ跃迁能Ｅγ，运动学转动惯量Ｊ（１）和动力学转动惯量Ｊ（２），顺排角动量之差（ｉ＝（Ｊ（１）（１９１－１９２－１９３－１９４Ｈｇ）－Ｊ（１）（１９２Ｈｇ））），并与实验值进行比较得到了满意的结果，此外，还利用Ｕｑｐ（ｕ２）模型的形变参量与核软度的关系式，计算出各ＳＤ带的核软度参数σ１与唯象分析给出的组态结构进行了比较分析。
- 张新明周焕强贺劲松
- 关键词：转动惯量
- 衬底温度对磁控溅射法制备的ZnO∶In薄膜光电性能的影响被引量：1
- 2009年
- 以粉末靶为溅射源,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺铟氧化锌(ZnO∶In)透明导电膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、霍尔测试仪,以及分光光度计等对不同衬底温度下生长的ZnO∶In薄膜的结构、光电性能进行表征。结果表明,所有制备的ZnO∶In薄膜均为六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)择优取向。ZnO∶In薄膜的电阻率随着衬底温度的升高先减小后增大,当衬底温度为100℃时,薄膜的最低电阻率为3.18×10-3Ω.cm。制备的薄膜可见光范围内透过率均在85%以上。
- 杨小飞方亮彭丽萍黄秋柳周科孔春阳
- 关键词：光电性能透明导电膜
- 电解液栅型碳纳米管场效应晶体管的实验研究
- 2005年
- 由于碳纳米管具有独特的结构和性能,因而一直受到人们的关注。对于包括碳纳米管场效应管在内的分子元件的研究方面尤其令人注目。笔者研究了具有电解液栅的碳纳米管场效应晶体管,研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法 (CVD)合成的。衬底材料是平面玻璃,Fe/Ni混合物用作催化剂。对具有Ag电极的多壁碳纳米管晶体管作了优化设计制造,并利用KCl溶液作为栅极。实验结果表明,电解液栅型碳纳米管晶体管(FET)呈现出良好的电流-电压特性曲线。在栅压 2V时,其跨导约为 0. 5mA/V。并对获得的研究结果进行了讨论。
- 吕建伟王万录廖克俊王永田万步勇孔纪兰
- 关键词：碳纳米管场效应晶体管I-V特性跨导
- 方型永磁体表面磁感应强度分布的研究被引量：19
- 1999年
- 本文根据电磁学模型，模拟计算了方型永磁体表面的磁感应强度分布，给出了相应的解析表达式，并用计算机描绘出该分布的三维图象，得出了有实用价值的结论．
- 林德华蔡从中董万春
- 关键词：永磁体
- ZnO上欧姆接触的研究进展
- 为制备高性能的 ZnO 基器件如 uv 光发射器/ 探测器、场效应晶体管,在 ZnO 上形成优良的金属电极是十分必要的．回顾了近年来 ZnO 上制备欧姆接触的新进展,对在 n 型 ZnO 上制备欧姆接触的 Al,Al/P...
- 董建新方亮张淑芳彭丽萍张文婷高岭
- 关键词：ZNO欧姆接触肖特基势垒透明电极
- 文献传递
