华东工学院电子工程与光电技术学院光电技术系
- 作品数：45 被引量：47H指数：4
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- 发文基金：江苏省科委自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- CsI/Ni/LiF半透明真空紫外光阴极寿命试验过程中的ESCA分析研究
- 1989年
- 在CsI/Ni/LiF半透明真空紫外光明极寿命试验过程中,用ESCA光电子能谱仪对其进行分析研究,随着搁置时间的增加,光阴极中元素Cs和元素I的ESCA分谱变化不大,而CsI的ESCA全谱中O的含量确随搁置时间增加而增大,ESCA分析研究表明O是以吸附态形式存在于光阴极之中,不与Cs起作用,因此,该光阴极是可暴露大气的。但长期暴露大气之后,易受周围空气中的水汽侵害,使光阴极的光电灵敏度有所下降。
- 徐登高
- GaAs表面经UV/O_3处理后的XPS分析
- 1992年
- UV/O_3是去除半导体表面碳氢化合物的有效方法之一。该文利用X光电子能谱仪讨论了GaAs经UV/O_3处理的表面化学状态,得知表面氧化物为Ga_2O_3、As_2O_3及As_2O_5,且其氧化层厚度,当用UV/O_3处理30 min后大约为9 nm。
- 杨伟毅王广林高频夏长虹邓金祥
- 关键词：砷化镓表面化学
- New S-25光电阴极红外延伸原因研究
- 1992年
- 该本研究了S-25与New S-25光电阴极的红外光谱响应特性,分析了New S-25光电阴极红外延伸的原因。研究结果表明:在850～1000 nm范围内New S-25光电阴极红外光谱响应明显提高,主要归因于阴极层较厚,具有较大的阴极结构参量和截止波长。这既是New S-25光电阴极的创新之处,也代表了碱锑光电发射材料的发展方向。
- 常本康
- 关键词：夜视仪光电阴极
- 多碱阴极光吸收系数的研究被引量：8
- 1992年
- 本文给出了多碱阴极Na_2KSb(Cs)光吸收系数经验公式.公式计算的吸收系数和实验曲线在可见光和近红外范围基本吻合.并根据量子力学处理,导出了吸收限附近的光吸收系数.从而解释了S-20和LEP~*光阴极量子产额曲线的差别.
- 常本康刘元震谷文胜
- 关键词：半导体
- 激光大气传输相位起伏分布
- 1992年
- 本文运用激光在湍流大气中传输散射光场的双随机过程统计模式,从理论上分析和讨论了激光束在湍流大气中传输经粗糙随机界面(或随机散射屏)反射回波的相位起伏统计分布问题,寻出了相位起伏一阶概率密度函数的理论公式。
- 张逸新迟泽英
- 关键词：激光传输统计分布
- 静电偏转型摄像管聚焦偏转系统设计Ⅰ—场的计算被引量：3
- 1993年
- 磁聚焦静电偏转(MS)和静电聚焦静电偏转(SS)型摄像管具有图像失真小,分辨率高且均匀,电子束易于垂直上靶,阴影小等优点,所以受到人们的重视。但图案偏转电极的形状复杂,非对称场的计算较困难。本文对静电偏转型聚焦偏转系统的结构作了分析研究,远用分离变量法给出了圆柱坐标中静电聚焦(旋转对称)场和静电偏转(非旋转对称)场的解析解,并给出了计算实例。
- 杨国伟关永贵
- 关键词：静电偏转静电聚焦电视摄像管
- 微通道板的寿命试验被引量：1
- 1990年
- 微通道板寿命时间是微通道板在应用中的一个重要质量指标。本文论述Ⅱ代象增强器的微通道板寿命试验的方法,在研制的试验装置上进行了试验研究,得到了微通道板的增盖—板压、增盖—输出电荷的变化规律,提出了进行寿命试验的规范和估算微通道板可能的工作寿命的方法。
- 周旭辉徐宗和
- 关键词：象增强器微通道板
- 半透明多碱阴极浅氧敏化研究被引量：2
- 1990年
- 根据多碱阴极理想模型:Na_3KSb+K_2CsSb+sb·Cs 偶极层,提出用 Cs_2O 取代 K_2CsSb+Sb·Cs 偶极层,很可能形成 p—n Na_2KSb—Cs_2O异质结光电阴极。用研制的氧发生器,以常规的碱金属源在超高真空系统中制备了 Na_2KSb,然后采用 NEA 光电阴极的激活工艺,用铯、氧交替激活 Na_2KSb,获得 p—n Na_2KSb—Cs_2O 光电阴极。结果表明,这种光电阴极在紫外—红外范围内具有较高的量子产额,其长波截止超过1.06um,达到1.1μm。
- 常本康刘元震果玉忱
- 关键词：夜视仪光电阴极敏化蒸发法
- 双极晶体管的新的1/f 噪声参数
- 1990年
- 文中引入一个新的描述1/f 噪声的重要参数β_H,并给出了双极晶体管1/f 噪声的实验结果。通过对结果的分析比较提出了三个论点:(1)单用 Hooge 参数α_H 不能恰当地反映1/f 噪声的大小,而用α_H 同载流子扩散时间τ_d 的比值比较合适;(2)收集极1/f 噪声电流谱的大小可用转换频率 f_c 来表示,即有 S_(Ic)(f)-S_(Ic)(∞)=2eI_cf_c/f;(3)转换频率 f_c 决定了1/f 噪声的大小;而 fc 仅由噪声参数β_H 所决定。
- 方如章A.C.YoungA.VanderZiel
- 关键词：双极晶体管噪声
- 自洽法计算非晶硅的带隙态密度被引量：2
- 1989年
- 本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任何假设,采用电子占据局域态的费米统计分布和占据扩展态的玻耳兹曼分布,应用自洽的原理,能够在较大的能量范围内计算出a-Si:H的带隙态密度分布,运算过程中以电势V为自变量,减少了对电势、电场和电荷密度等量空间分布的计算,简化了分析,提高了精度,减少了运算量。应用该法计算出了a—Si:H样品的带隙态密度在费米能级以上0.1eV到0.45 eV能量范围内的分布,它的最小值在费米能级附近,约为10^(16)cm^(-3)·eV^(-1)。
- 王广民朱秉升
- 关键词：非晶硅
- 全文增补中
