公共文化服务平台

共 1 条记录，以下是 1-1

全选清除导出

排序方式：

基片温度对真空热蒸发的SnS薄膜性能的影响被引量：2: 2008年; 利用真空热蒸发法在玻璃基片上制备SnS薄膜，在50℃～200℃之间，研究了基片温度对SnS薄膜的结构、形貌和光电性能的影响。结果表明，随着基片温度的升高，SnS薄膜的结晶度越好，薄膜变得更光滑，薄膜颗粒也增大了；薄膜的平均粗糙度从19．1nm减小到3．92nm，薄膜颗粒的平均粒径从108nm增大到150nm。而且随着基片温度的升高，SnS薄膜的栽流子浓度从7．118×10^13cm^-3提高到2．169×10^15cm^-3，而电阻率从641．8Ω·cm降低到206．2Ω·cm。但是基片温度对薄膜的物相结构和导电类型没有影响。在不同基片温度下，所制备的薄膜都是具有正交结构的多晶SnS，在（111）晶面上有很强的择优取向，其导电类型都为P型。; 贾宏杰程树英; 关键词：基片温度

全选清除导出

共1页<1>

福州大学物理与信息工程学院福建省光催化重点实验室