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HNO_3浓度对水热合成Bi_2WO_6形貌及光催化性能的影响被引量：7: 2017年; 采用水热法,通过调节前驱体溶液中的HNO_3浓度合成了不同形貌的Bi_2WO_6。利用X射线衍射、Raman光谱、扫描电子显微镜、比表面积分析仪和紫外–可见漫反射谱对样品进行表征,探讨了Bi_2WO_6的形成机理。以氙灯模拟太阳光,考察了样品对罗丹明B(Rh B)的光催化性能并分析了光催化机理。结果表明:改变前驱体中的HNO_3浓度对Bi_2WO_6样品的物相组成和晶体结构没有明显影响,但是对其形貌和光催化性能有显著影响。当前驱体溶液中的HNO_3浓度为0.2 mol/L时,所制备的花状微球Bi_2WO_6在氙灯辐照120 min后,对Rh B的降解率达到82.5%;在3次回收利用后仍表现出了良好的稳定性。; 朱圣江向平李菊梅李小红陈云婧; 关键词：水热法钨酸铋光催化

Er,Zr共掺杂对(K0.16Na0.84)0.5Bi4.5Ti4O15压电陶瓷电学和上转换发光性能的影响被引量：2: 2016年; 采用固相法制备Er、Zr共掺铋层状结构陶瓷(K0.16Na0.84Bi)0.47Er0.02Bi4Ti4–xZrxO15(KNBET–Zr–x,0≤x≤0.12,x为摩尔分数),研究了不同Zr含量对样品的结构、电学与上转换发光性能的影响。结果表明:所有样品均为单一的正交相铋层状结构,无其他杂相出现。随着Zr掺入量的增加,晶格常数a、b、c不断增大,正交畸变(b/a)的值逐渐减小;适量Zr掺杂使样品的介电损耗降低,剩余极化强度2Pr和压电常数d33得到提高;当x=0.04时,样品具有最佳的综合电学性能:介电损耗tanδ=0.61%、压电性能d33=24 p/CN、剩余极化强度2Pr=3.02μC/cm2。在980 nm近红外光源激发下,所有样品均呈现出较强的绿光发射,对应于2H11/2→4I15/2和4S3/2→4I15/2的跃迁。随着Zr离子掺入量增加,正交畸变(b/a)减少,荧光强度逐渐下降。; 江亚林江向平陈超涂娜江兴安陈云婧; 关键词：上转换发光介电性能压电陶瓷

K/Na比对0.96(KxNa1-xNbO3)-0.04Bi0.5Na0.5ZrO3无铅压电陶瓷性能的影响: 铌酸钾钠(K0.5Na0.5NbO3,KNN)基无铅压电陶瓷因其优异的电性能、较高的居里温度和适中的介电常数,优越的环境协调性被认为是取代铅基压电陶瓷最有前景的材料之一。KNN基无铅压电陶瓷通过优化K/Na的比例可以提高...; 洪璐李月明沈宗洋王竹梅; 文献传递

氧化锌包覆γ-Ce2S3的制备及其热稳定性的研究: γ-Ce2S3是一种大红且无毒色料,但该色料很容易在空气中被氧化并放出H2S气体而影响其应用范围。相关研究发现在γ-Ce2S3表面上包裹一层ZnO能有效的提高其热稳定性。本论文以乙酸锌、六亚甲基四胺和CTAB为原料,采用...; 陈镇华李月明谢志翔王竹梅; 文献传递

Ta2O5掺杂对Zn0.97Cu0.03ZrNb2O8微波介质陶瓷性能的影响: 微波介质陶瓷作为一种新型功能陶瓷,被广泛的应用于无线电、GPS卫星定位、直播卫星等卫星通讯,而易于实现器件小型化、集成化的低损耗、较高介电常数的微波介质陶瓷受到广泛关注。ZnZrNb2O8微波介质陶瓷材料作为一种具有较高...; 李月明洪倩谢志翔王竹梅; 文献传递

0.94Na1/2Bi1/2TiO3-0.06BaTiO3:TiO2无铅复合陶瓷的结构及退极化温度研究被引量：3: 2019年; 采用固相法将纳米TiO2引入0.94Na1/2Bi1/2TiO3-0.06BaTiO3 (简称NBT-6BT)钙钛矿结构压电陶瓷晶界中,成功制备出NBT-6BT:x TiO2 (x=0, 0.05, 0.1, 0.2, 0.3) 0-3型复合结构陶瓷,并系统地研究了掺杂TiO2对陶瓷的结构及压电性能的影响。实验结果表明,部分TiO2进入晶格内部造成陶瓷单斜相Cc含量减少,晶体对称性提高;随着TiO2的掺杂量的增加,明显提高了NBT-6BT陶瓷的退极化温度。对NBT-6BT:0.1TiO2样品,在保持一定压电常数(69pC/N)的前提下,陶瓷的退极化温度相比纯NBT-6BT提升约88%,此时介电损耗tanδ=0.044,表明该材料是一种适用于更高温区间的新型无铅压电材料。; 苏春阳江向平陈超胡浩刘芳郑来奇; 关键词：退极化

K/Ce离子共掺对Na0.5Bi2.5Ta209陶瓷的结构与电学性能影响: 采用传统固相法制备（NaBi）（KCe）BiTaO （NBTO-x,0≤x≤0.15）无铅压电陶瓷,研究K/Ce离子含量对NBTO陶瓷结构和电学性能的影响。XRD结果显示所有陶瓷样品均生成了m=2的铋层状结构化合物,且未...; 许经东江向平陈超黄枭坤聂鑫黄立伟; 关键词：电学性能; 文献传递

Ce3+掺杂Na0.5Bi8.5Ti7O27铋层状陶瓷的结构与电性能研究被引量：4: 2019年; 采用固相法制备了Ce^3+掺杂的Na0.5Bi8.5–xCexTi7O27(NBT-BIT-x Ce,0≤x≤0.1)共生铋层状无铅压电陶瓷,研究了NBT-BIT-xCe陶瓷的结构和电学性能。研究结果表明所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构,随Ce3+掺杂量的增加,样品的畸变程度呈现上升趋势,同时陶瓷晶粒的平均尺寸不断减小,介温谱和差热分析结果表明样品的介电双峰均对应于陶瓷内部结构的铁电相变。Ce^3+掺杂可以显著减少陶瓷内部的氧空位浓度以及降低陶瓷的介电损耗,提升陶瓷的压电常数(d33),当x=0.06时,陶瓷的综合电性能最佳:压电常数(d33)达到27.5 pC/N,居里温度(TC)达到658.2℃,介电损耗(tanδ)为0.39%。; 胡浩江向平陈超聂鑫黄枭坤苏春阳; 关键词：压电陶瓷氧空位激活能

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景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院江西省先进陶瓷重点实验室