2024年7月23日
星期二
|
欢迎来到滨州市图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
侯曾一
作品数:
4
被引量:0
H指数:0
供职机构:
天津大学
更多>>
相关领域:
自动化与计算机技术
更多>>
合作作者
张维新
天津大学
徐步华
天津大学
朱秀文
天津大学
张生才
天津大学
赵一兵
天津大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
2篇
专利
1篇
期刊文章
1篇
会议论文
领域
1篇
自动化与计算...
主题
3篇
气敏
2篇
气敏元件
2篇
敏感膜
1篇
新型传感器
1篇
性能分析
1篇
压力传感器
1篇
氧化锡
1篇
器型
1篇
力传感器
1篇
灵敏度
1篇
敏度
1篇
晶体管
1篇
矿井
1篇
厚膜
1篇
二氧化锡
1篇
感器
1篇
半导体
1篇
薄膜型
1篇
钯
1篇
MOS
机构
4篇
天津大学
作者
4篇
侯曾一
3篇
张维新
2篇
徐步华
1篇
赵一兵
1篇
张生才
1篇
朱秀文
传媒
1篇
传感技术学报
1篇
第二届全国敏...
年份
1篇
1991
1篇
1989
1篇
1987
1篇
1986
共
4
条 记 录,以下是 1-4
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
钯栅厚度对气敏MOS晶体管灵敏度的影响
1989年
本文介绍了一种Pd栅MOS结构的半导体气敏器件。在叙述Pd栅MOS晶体管气敏机理的基础上,着重讨论了钯栅厚度对器件灵敏度的影响。实验结果证明,Pd栅MOS晶体管的灵敏度随着钯栅厚度的增加而降低。在工作温度不太高的条件下,灵敏度随钯栅厚度的变化基本上不受温度的影响。另外,文中还扼要地阐述了钯栅M0S晶体管的结构、制造技术及器件灵敏度的测试原理和方法。研究结果对于MOS结构的半导体气敏传感器的研制具有重要的意义。
张维新
赵一兵
侯曾一
关键词:
灵敏度
薄膜型二氧化锡气敏元件及其制造方法
一种改进了的薄膜型二氧化锡气敏元件及其制造方法。这种薄膜型二氧化锡气敏元件的加热膜是二氧化锡膜,该膜内含有一定量的锑,敏感膜也是二氧化锡膜。该气敏元件性能稳定,元件互换性好。并且制造方法简便,工艺重复性好,生产效率高,使...
张维新
徐步华
侯曾一
文献传递
数字输出的新型传感器——触发器型压力传感器的研究
张生才
朱秀文
侯曾一
关键词:
压力传感器
触发器
性能分析
常温一氧化碳气敏元件
本实用新型常温CO气敏元件是Pt—Sb—SnO<Sub>2</Sub>系半导体厚膜型CO气敏元件。在常温下对CO具有较高的灵敏度,1000ppm时,R<Sub>0</Sub>/R<Sub>CO</Sub>=34,而对NH...
张维新
徐步华
侯曾一
文献传递
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张