倪智萍
- 作品数：14 被引量：53H指数：4
- 供职机构：上海交通大学微纳米科学技术研究院微米纳米加工技术国家级重点实验室更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- SU-8 5光刻胶的应用工艺研究被引量：20
- 2001年
- SU 8系列负性光刻胶是一种新品光刻胶 ,它具有良好的光敏性和高深宽比 ,适合于微机电系统 ,UV LIGA和其它厚膜、超厚膜应用[1,2 ] 。介绍了利用SU 85光刻胶 ,采用UV曝光制备LIGA掩模板所涉及的SU 85工艺研究结果。
- 朱军赵小林倪智萍
- 关键词：微机电系统光刻胶
- AZ系列正性光刻胶作为薄膜磁头线圈绝缘层的性能研究
- 唐成隆赵小林倪智萍
- 关键词：磁膜磁头绝缘性能光刻材料绝缘层光刻胶
- DEM技术中PMMA深层刻蚀工艺研究
- DEM技术是由上海交通大学开发出来的一种全新的三维微细加工技术.本文旨在研究DEM技术中利用反应离子刻蚀(RIE)深层刻蚀塑料PMMA的工艺.主要研究了刻蚀功率、工作气压、刻蚀气体流量等对刻蚀速率、侧壁和底部状态等的影响...
- 杨帆陈迪李以贵唐敏毛海平李昌敏倪智萍
- 关键词：DEM技术反应离子刻蚀PMMA深层刻蚀微机械电子系统
- 文献传递
- S型MEMS平面微弹簧的制备和表征研究被引量：2
- 2004年
- 微弹簧是一种重要的微电子机械系统 ( MEMS)器件 ,它可以为微传感器和微执行器提供弹性驱动力。我们采用 UV- LIGA技术制备出 S型镍平面微弹簧 ,并使用 ANSYS对微弹簧的力学性能进行了模拟。为测试微弹簧的力学性能 ,研制了 1台微弹簧力学性能测试装备。测试结果表明 ,微弹簧可以满足设计需要。另外 ,通过比较得出 :ANSYS对微弹簧力学性能的模拟结果是较为准确的 ,可以作为进一步优化微弹簧设计的基础 ,以满足 MEMS的需要。
- 石磊李建华陈迪倪智萍朱军
- 关键词：微电子机械系统力学性能
- 微弯曲面成型技术—多线成面技术被引量：7
- 2003年
- 熔融图形化的光刻胶是三维曲面微结构加工的常用方法,但是,一次成型的熔胶工艺制作的弯曲面曲率半径较小,为此我们提出了一种借助二次熔胶工艺实现微弯曲面成型的新工艺—多线成面技术。此方法工艺简单,一般具备光刻条件的实验室就能够实现,与传统工艺兼容性好,用它制作的弯曲面可以与灰阶掩膜光刻相比拟,介绍了该工艺的原理和特点。
- 蒋振新丁桂甫杨春生倪智萍张永华
- 一种新颖的微弯曲面成型技术——多线成面技术
- 熔融图形化的光刻胶是三维曲面微结构加工的常用方法,但是,一次成型的熔胶工艺制作的弯曲面曲率半径较小,为此我们提出了一种借助二次熔胶工艺实现微弯曲面成型的新工艺一多线成面技术.该工艺首先借助光刻形成一组高宽比渐变的线条序列...
- 蒋振新丁桂甫杨春生倪智萍张永华
- 文献传递
- SU-8厚胶光刻工艺研究
- 本文对一种新的负性近紫外光刻胶SU-8的光刻工艺进行了详细研究.SU-8是一种基于环氧树脂的光刻胶,专为要求超厚和高深宽比的MEMS应用而设计,但它对工艺参数的改变非常敏感,难于控制.本文以30μm厚的SU-8为例,详细...
- 唐敏陈迪赵小林倪智萍朱军李昌敏毛海平
- 关键词：SU-8高深宽比光刻工艺光刻胶
- 文献传递
- 平面微弹簧的模拟、加工制备和力学性能表征研究
- 微弹簧是一种重要的MEMS器件,可为微传感器和微执行器提供弹性力.我们设计并用UV-LIGA技术制备了数种不同形状的平面微弹簧,并用ANSYS对其力学性能如刚度、断裂强度等进行了模拟.由于制备出的平面微弹簧体积很小,无法...
- 陈迪石磊朱军李建华倪智萍刘景全李以贵
- 关键词：力学性能微机电系统分辨率屈服强度
- 文献传递
- 降低SU-8光刻胶侧壁粗糙度的研究被引量：3
- 2007年
- SU-8负性光刻胶可通过UV-LIGA技术得到高深宽比微结构,是微机械系统(MEMS)制造中极具前景的一种技术。目前已有对于SU-8微结构的线宽变化,侧壁倾角,表面粗糙度,增加深宽比等方面的大量研究,但是鲜有对于SU-8微结构侧壁粗糙度的研究。该文从造成微结构侧壁粗糙度的原因入手,讨论了各个工艺参数对侧壁粗糙度的影响,并且通过优化工艺参数达到了降低SU-8微结构侧壁粗糙度的目的。
- 张晔陈迪李建华靖向萌倪智萍朱军
- 关键词：UV-LIGASU-8
- O_(2)反应离子深刻蚀PMMA被引量：6
- 2000年
- 高深宽比结构是提高微器件性能的重要环节之一。利用RIE深刻技术加工具有高深宽比结构的图形 ,方法简单 :它不象LIGA技术那样 ,需昂贵的同步辐射光源和特制的掩模板 ,对光刻胶的要求也不是特别高 ,利用这种技术深刻蚀PMMA膜 ,以Ni作掩模 ,采用普通的光刻胶曝光技术和湿法刻蚀的方法将Ni掩模图形化 ,然后利用O2 RIE技术刻蚀PMMA ,可以得到深度达 1 0 0 μm ,深宽比大于 1 0的微结构 ,图形表面平整 ,侧壁光滑垂直。在刻蚀过程中 ,氧气压、刻蚀功率等工艺参数对刻蚀结果影响较大。
- 俞爱斌丁桂甫杨春生郭晓芸李昌敏毛海平倪智萍
- 关键词：反应离子刻蚀高深宽比微结构PMMA
