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刘文祥

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：湘潭大学更多>>
相关领域：一般工业技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇载气
  • 2篇输运
  • 2篇气相沉积
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米带
  • 2篇化学沉积
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇锗
  • 1篇等离子体
  • 1篇真空计
  • 1篇中等离子体
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀工艺
  • 1篇激发频率
  • 1篇功率
  • 1篇功率表
  • 1篇变频

机构

  • 3篇湘潭大学

作者

  • 3篇刘文祥
  • 2篇郝国林
  • 2篇周国梁
  • 1篇王艳玲

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2021
共 4 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种二硒化锗纳米材料的制备方法
本发明公开一种二硒化锗纳米材料的制备方法。基于化学气相沉积法，通过调节载气流量以及生长基底的空间放置位置，可以实现二硒化锗纳米材料的可控生长。待化学沉积系统加热到指定温度后，快速将硒化锗高纯粉末推至加热中心，反应前驱体被...
郝国林高炜奇周国梁刘文祥
一种二硒化锗纳米材料的制备方法
本发明公开一种二硒化锗纳米材料的制备方法。基于化学气相沉积法，通过调节载气流量以及生长基底的空间放置位置，可以实现二硒化锗纳米材料的可控生长。待化学沉积系统加热到指定温度后，快速将硒化锗高纯粉末推至加热中心，反应前驱体被...
郝国林高炜奇周国梁刘文祥
文献传递
一种用于材料表面刻蚀的变频等离子体发生装置
本发明涉及一种用于材料表面刻蚀的变频等离子体发生装置，包括电源输入端、变频等离子体激发单元、继电器、功率表、调压器、变压器、整流器、刻蚀工艺腔、进气管路、真空计、抽真空单元及控制开关。该装置通过选用不同的变频等离子体激发...
王艳玲盛冲刘文祥杨林生
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