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孙一军: 作品数：15 被引量：59H指数：4; 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室更多>>; 发文基金：博士科研启动基金更多>>; 相关领域：电子电信化学工程理学自动化与计算机技术更多>>

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计算机自动控制的热壁低压MOCVD系统及其在纳米级超细粉制备中的应用: 该文的技术路线是建立计算机自动控制的热壁低压MOCVD系统,采用CVD方法制备TiO<,2>纳米级超细粉.; 孙一军; 关键词：低压 MOCVD 自动控制纳米粉末原位制备

高取向锐钛矿TiO_2薄膜的MOCVD法制备与表征被引量：9: 1998年; 采用热壁低压ＭＯＣＶＤ方法，以Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为源在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备出了高取向锐钛矿ＴｉＯ２薄膜。用Ｘ射线衍射技术研究了沉积温度和衬底对薄膜的结构和相组成的影响规律，采用ＸＰＳ和ＳＥＭ分别研究薄膜的组成和形貌。结果表明，当沉积温度为５０００Ｃ和６０００Ｃ时，薄膜为锐钛矿结构，３０００Ｃ和４０００Ｃ时，薄膜以无定形结构为主。薄膜的组成为ＴｉＯ２，衬底影响薄膜的相组成。不同沉积温度下制备的薄膜具有不同的显微结构，薄膜厚度均匀。; 孙一军夏冠群张良莹姚熹; 关键词：MOCVD 锐钛矿光电子材料二氧化钛

MOCVD方法在TiO_2纳米粉末制备中的应用被引量：15: 1999年; 众所周知，ＭＯＣＶＤ方法是制备薄膜材料的重要方法之一，现已广泛应用于半导体薄膜、铁电薄膜和超导薄膜等的制备。在以前的工作中，我们设计、加工、安装、调试、建立了一套可计算机自动控制的热壁低压ＭＯＣＶＤ设备，制备出了ＴｉＯ２纳米粉末，得到了一些初步结果。本文详细研究了热壁低压ＭＯＣＶＤ方法在ＴｉＯ２纳米粉末制备中的应用，通过合理设计反应室和收集区域，在采用反应区域和收集区域之间无任何过渡区域的收集方式，制备出了ＴｉＯ２纳米粉末。采用Ｘ射线衍射技术研究了沉积温度对ＴｉＯ２纳米粉末的晶体结构和平均晶粒尺寸的影响规律。在５００℃～１０００℃范围内，粉末均为锐钛矿结构，平均晶粒尺寸７．４～１５．２ｎｍ，７００℃条件下制备的ＴｉＯ２纳米粉末的平均晶粒尺寸最小。透射电子显微镜观察表明，在最佳沉积温度７００℃条件下制备的ＴｉＯ２粉末粒度均匀性好，粒径约为５～８ｎｍ。; 孙一军夏冠群; 关键词：纳米粉末 MOCVD法沉积温度 X射线衍射

薄膜多层混合电路图设计软件的开发和应用: 1996年; 本文根据薄膜多层混合电路的特点，对印制板电路布图设计软件ＰＲＯＴＥＬ进行二次开发，研制出适于薄膜多层混合电路布图设计的软件ＰＲＯＴＥＬ－ＳＵＮ，应用软件对控制信号发生器实施薄膜四层布线的布图设计，布通率达到１００％。; 孙一军孙承永; 关键词：混合电路 CAD 印制板电路

CAD技术在薄膜多层混合电路中的应用: 1998年; 本文根据薄膜多层混合电路的特点，概述了计算机辅助设计（ＣＡＤ）技术在薄膜多层混合电路中的应用，着重讨论了薄膜多层混合电路的计算机辅助电路分析（ＣＡＡ）和计算机辅助布图设计，并指出了存在问题和今后的发展趋势。; 孙一军孙承永; 关键词：计算机辅助设计

BaTiO_3薄膜的MOCVD方法制备及进展被引量：5: 1998年; 本文概述了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法制备ＢａＴｉＯ３薄膜的原理和特点，着重介绍低压ＭＯＣＶＤ、等离子体增强ＭＯＣＶＤ和光辅助ＭＯＣＶＤ三种技术在ＢａＴｉＯ３薄膜制备中的应用，并指出了最新研究进展。; 孙一军张良莹姚熹; 关键词：MOCVD

TiO_2纳米粉末的热壁低压MOCVD方法制备被引量：3: 1998年; 采用热壁低压ＭＯＣＶＤ方法制备了ＴｉＯ２纳米粉末。研究了收集区、载气流量和氧气流量对ＴｉＯ２纳米粉末的晶体结构、平均晶粒尺寸和粒度分布的影响规律。采用Ｒａｍａｎ散射、Ｘ射线衍射和透射电子显微镜等技术对ＴｉＯ２纳米粉末进行了表征。; 孙一军张良莹姚熹; 关键词：MOCVD 纳米粉末二氧化钛

计算机自动控制的热壁低压 MOCVD 系统的建立及其应用被引量：2: 1998年; 本文根据金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）系统的原理和特点，建立了计算机自动控制的热壁低压ＭＯＣＶＤ系统。我们首次采用热壁低压ＭＯＣＶＤ方法在制备高质量薄膜的同时，制备出了纳米微粉。; 孙一军张志峰张良莹姚熹; 关键词：自动控制 MOCVD 低热纳米微粉

薄膜多层混合电路CAA中的器件模型和应用: 1996年; 概述了薄膜多层混合电路计算机辅助电路分析（ＣＡＡ）的原理和特点。以ＣＨ４０１３和ＣＨ４０４０为例，讨论了ＣＡＡ中的器件模型和应用。对结果进行了讨论。; 孙一军孙承永; 关键词：电路分析

立方GaAs(100)衬底上制备单相六方GaN薄膜被引量：4: 2001年; 立方 Ga As (10 0 )衬底上制备的 Ga N薄膜多为立方结构且立方相为亚稳相 ,采用水平常压 MOCVD方法在立方 Ga As (10 0 )衬底上制备出了 Ga N薄膜 . XRD测试表明 ,薄膜具有单一的相 .结合对工艺条件的分析 ,认为薄膜具有六方结构 .最后 ,通过 Raman光谱测试 ,证实在立方 Ga As衬底上制备出了单相六方 Ga N薄膜 .还对立方 Ga As衬底上制备出六方 Ga; 孙一军李爱珍齐鸣; 关键词：金属有机化学气相沉积氮化镓砷化镓衬底