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左正

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇锗硅
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米晶
  • 3篇纳米晶粒
  • 2篇锗烷
  • 2篇自组织生长
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇浮栅
  • 1篇电容-电压特...
  • 1篇电压特性
  • 1篇锗硅合金
  • 1篇退火
  • 1篇气相外延
  • 1篇硅锗
  • 1篇非易失性
  • 1篇高温退火

机构

  • 4篇南京大学

作者

  • 4篇左正
  • 4篇闾锦
  • 4篇郑有炓
  • 4篇陈裕斌
  • 4篇濮林
  • 3篇施毅
  • 2篇张荣
  • 2篇韩平
  • 2篇顾书林
  • 1篇施毅

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器的制备方法
基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶...
施毅闾锦陈裕斌左正濮林张荣韩平顾书林郑有炓
文献传递
基于锗硅异质纳米晶粒的非易失性浮栅存储器
＜正＞目前所研究的纳米器件中,将纳米品粒作为浮栅的存储器件是一种引人注目的纳米结构器件。纳米晶粒浮栅非易失性存储器表现出低功耗、高密度和多阈值等许多优点。可是纳米结构存储器也有一些问题亟待解决,其中之一就是如何在器件低压...
闾锦陈裕斌左正濮林施毅郑有炓
关键词：锗硅合金
文献传递
基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性
2008年
利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.
闾锦陈裕斌左正施毅濮林郑有炓
关键词：电容-电压特性自组织生长
基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器及制备方法
基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶...
施毅闾锦陈裕斌左正濮林张荣韩平顾书林郑有炓
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