来萍
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：工业和信息化部电子第五研究所更多>>
- 发文基金：广州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术更多>>
- 薄膜材料弯曲测试方法的验证研究
- 2024年
- 在国家标准《微机电系统(MEMS)技术薄膜材料的弯曲试验方法》制定阶段,为验证该标准中测试方法的准确性和实用性,设计并制备了4种尺寸的悬臂梁结构,并利用纳米力学测试系统记录其弯曲形变过程,获取了待测结构的形变-应力曲线。通过该标准可实现薄膜材料弯曲力学性能的有效表征。对弯曲试验的测量数据进行分析,实验结果表明,基于该测试方法10次的重复性达到0.32%,同类型的测试结构具有较强的规律性,靠近悬臂梁根部的测试点表现出更高的机械刚度,与理论预测完全一致。因此,该标准中所采用的弯曲测试方法可重复性好,可用于薄膜材料的弯曲力学性能测试。
- 黄鑫龙李根梓周龙飞杨绍松夏燕董显山来萍夏长奉宋辰阳张晋熙韩金哲
- 关键词：微机电系统悬臂梁力学测试
- Failure mode and mechanism of the RF-AlGaN/GaN HEMTs under high temperture operation stress
- AlGaN/GaN HEMTs are attracting considerable attention as high temperature,high-power and high-frequency device...
- 曾畅王远生廖雪阳李汝冠陈义强来萍黄云恩云飞
- 关键词：RELIABILITYALGAN/GANHEMTFAILURE
- 高可靠应用的塑封微电路升级筛选和鉴定的探讨
- 介绍了塑封微电路（PEM）的可靠性问题,以及应用、筛选和鉴定研究状况,探讨了PEM在高可靠应用中的破坏性物理分析（DPA）、筛选、鉴定等技术方法及其注意事项。
- 杨少华来萍
- 关键词：塑封微电路
- 文献传递
- GaAs集成电路的金属化缺陷失效定位研究
- 2022年
- 介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷模型与EMMI/OBIRCH结果之间的对应关系,从而快速、准确地由EMMI/OBIRCH图像得到金属化开路或者短路失效位置。案例研究结果表明,该方法可用于GaAs IC的失效定位,例如放大器、高速数字驱动电路、射频开关等,适用的失效模式包括基极金属化台阶断裂、源极金属通孔开裂形成的开路或MIM金属化桥连形成的低阻等。
- 刘丽媛郑林挺石高明林晓玲林晓玲来萍
- 关键词：GAAS集成电路
- 国内典型地区地面大气中子能谱测量与仿真
- 2023年
- 基于多球能谱仪开展了广州、兰州和拉萨等地区的大气中子能谱和通量测量,获取了大气中子能谱的典型特征。测量结果表明:不同地区的大气中子通量受海拔高度的影响明显,地面大气中子通量随着海拔的增加而增加。此外,基于蒙特卡罗仿真工具也可以模拟初级宇宙射线粒子在地球大气层中的核反应过程,从而计算获取大气中子能谱。大气中子能谱测量数据与仿真数据吻合良好。
- 彭超雷志锋张战刚杨少华来萍路国光
- 关键词：单粒子效应能谱测量
