王亚娟
- 作品数：9 被引量：11H指数：2
- 供职机构：陕西师范大学物理学与信息技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程更多>>
- Al掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响被引量：2
- 2009年
- 采用标准电子陶瓷工艺,制备了CaCu3Ti4-xAlxO12-x/2(CCTAO,x=0,0.06,0.10,0.20)陶瓷样品,研究Al对CCTAO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明,Al的添加可促进CaCu3Ti4O12(CCTO)晶界处小晶粒生长,拟制大晶粒长大,增强晶界的绝缘性,使低频介电弛豫行为明显减弱,降低了CCTAO陶瓷样品低频范围的介电损耗.x=0.2时在40 Hz^1 kHz频率范围内,tanδ均小于0.05,最小值仅为0.033.对该样品偏压下的介电性能的研究发现,Al3+取代Ti4+可实现P型掺杂,改变基体的半导状态,拟制表面作用,从而使样品低频范围受偏压影响明显减弱.
- 李媛付志粉曹蕾王亚娟刘鹏
- 关键词：巨介电常数介电弛豫
- 反思性教学与教师专业成长
- 王亚娟
- 关键词：教师教育研究反思性教学
- Ca(1-x)Ce0.5xCu3Ti4O12(x=0,0.1,0.25,0.5,1)陶瓷介电性能研究
- 传统陶瓷烧结方法,制备了Ca(1-x)Ce0.5xCu3Ti4O12(x=0,0.1,0.25,0.5,1)陶瓷,利用X 射线衍射仪,测定了材料的物相结构,利用扫描电镜测定了材料的微观形貌,利用阻抗分析仪测定了不同频率下...
- 闫妍刘鹏杨锋莉王亚娟
- 关键词：介电弛豫压敏电压
- CuO-Li_2CO_3共掺杂低温烧结Ba_(0.60)Sr_(0.40)TiO_3陶瓷的介电性能被引量：1
- 2011年
- 采用传统固相反应法,在低温下制备了Ba0.60Sr0.40TiO3陶瓷.研究了CuO和Li2CO3共掺杂对Ba0.60Sr0.40TiO3陶瓷烧结行为、相结构、显微组织和介电性能的影响.结果表明:采用0.2%CuO和2.0%Li2CO3共掺杂,能有效将Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷烧结温度从1 350℃降至925℃,且低温烧结的样品具有良好的介电性能:rε=2 725,tanδ=0.004 4(10 kHz,20℃),可调性为32.2%(10 kHz,2 kV/mm).
- 荆慧霞王亚娟张瑜杨敬娜吴怡刘成刘鹏
- 关键词：介电性能相结构
- 氧化铅玻璃掺杂对Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷的低温烧结行为及介电性能的影响被引量：2
- 2011年
- 采用固相反应法,制备了Mg4Nb2O9(MN)微波介质陶瓷.研究了氧化铅硼硅玻璃PbO-B2O3-SiO2(PBS)掺杂对Mg4Nb2O9陶瓷的低温烧结行为、相结构、显微结构及其微波介电性能的影响.结果表明:采用4.0%PbO-B2O3-SiO2掺杂Mg4Nb2O9,能有效将Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度从1 400℃降低至975℃,且样品在975℃空气中烧结5 h,可获得良好的微波介电性能:rε=13.8,Q×f=37 382 GHz,τf=-1.69×10-5℃-1.
- 吴怡苏丽娜梁海荣王亚娟张瑜杨敬娜荆慧霞刘鹏
- 关键词：相结构介电性能
- CaCu3Ti4O12基陶瓷的电流—电压非线性特征及改性研究
- 在微电子技术革命的推动下,电子器件要求小型化和单片化,新型材料的开发焦点就聚集在寻找高介电常数材料上。CaCu3Ti4O12 （CCTO）材料以其高的介电常数（～10~5）,良好的温度稳定性以及良好的电流-电压（I-V）...
- 王亚娟
- 关键词：巨介电常数压敏电压
- 文献传递
- Al_2O_3掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电性能与I-U非线性特征
- 2011年
- 采用固相反应法,制备了一系列(1-x)CaCu3Ti4O12-xAl2O3(x=0,0.15,0.30,0.40)复相陶瓷.结果表明:Al2O3掺杂使CaCu3Ti4O12基陶瓷在降低低频范围内的介电损耗之外,同时使压敏电压大幅度的提高.当Al2O3的含量为0.30时的样品具有良好的综合电学性能:rε=2 000,tanδ=0.04(1 kHz),压敏电压Eb=1 084 V/mm且非线性系数α=4.6.
- 王亚娟曹蕾荆慧霞杨敬娜张瑜吴怡刘鹏
- 关键词：压敏电压巨介电常数
- CaCu_3Ti_4O_(12)-MgTiO_3陶瓷的介电性能与I-V非线性特征被引量：4
- 2011年
- 采用固相反应法制备了一系列CaCu3Ti4O12-xMgTiO3(x=0,0.25,0.5,1.0)复相陶瓷,研究了MgTiO3掺杂对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷相结构、显微组织、介电性能和I-V非线性特征的影响.研究发现:MgTiO3掺杂不仅使CCTO低频介电损耗降低,压敏电压提高,而且使I-V非线性系数显著增大.电学性能的改善与由MgTiO3掺杂后导致晶粒尺寸均匀化,晶界厚度减薄且绝缘性提高有关.其中,CaCu3Ti4O12-0.5MgTiO3陶瓷具有良好的综合电学性能:εr=53958,tanδ=0.06(1kHz),压敏电压Eb=295V/mm且非线性系数α=66.3.
- 曹蕾刘鹏周剑平王亚娟苏丽娜刘成
- 关键词：巨介电常数压敏电压
- CaCu_3Ti_4O_(12)-xZnO陶瓷介电性能研究被引量：3
- 2012年
- 采用传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)-xZnO(x=0,0.05,0.20,0.60,1.00)陶瓷样品.应用X射线衍射仪及扫描电镜,分别确定了样品的物性和形貌.利用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗,研究了ZnO对CCTO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明:添加ZnO可促进CCTO晶界处小晶粒生长,抑制大晶粒生长,降低CCTO陶瓷样品高频范围的介电损耗.当x=1时,在1kHz～1MHz频率范围内,tanδ均小于1.1,并且可将陶瓷的压敏电压提高至100V/mm.这为优化CCTO材料性能、推进其在电容器方面的应用,提供了一定的实验依据.
- 闫妍刘鹏杨锋莉王亚娟
- 关键词：巨介电常数压敏电压
