曹蕾
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：陕西师范大学物理学与信息技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- Al掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响被引量：2
- 2009年
- 采用标准电子陶瓷工艺,制备了CaCu3Ti4-xAlxO12-x/2(CCTAO,x=0,0.06,0.10,0.20)陶瓷样品,研究Al对CCTAO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明,Al的添加可促进CaCu3Ti4O12(CCTO)晶界处小晶粒生长,拟制大晶粒长大,增强晶界的绝缘性,使低频介电弛豫行为明显减弱,降低了CCTAO陶瓷样品低频范围的介电损耗.x=0.2时在40 Hz^1 kHz频率范围内,tanδ均小于0.05,最小值仅为0.033.对该样品偏压下的介电性能的研究发现,Al3+取代Ti4+可实现P型掺杂,改变基体的半导状态,拟制表面作用,从而使样品低频范围受偏压影响明显减弱.
- 李媛付志粉曹蕾王亚娟刘鹏
- 关键词：巨介电常数介电弛豫
- CaCu_3Ti_4O_(12)-MgTiO_3陶瓷的介电性能与I-V非线性特征被引量：4
- 2011年
- 采用固相反应法制备了一系列CaCu3Ti4O12-xMgTiO3(x=0,0.25,0.5,1.0)复相陶瓷,研究了MgTiO3掺杂对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷相结构、显微组织、介电性能和I-V非线性特征的影响.研究发现:MgTiO3掺杂不仅使CCTO低频介电损耗降低,压敏电压提高,而且使I-V非线性系数显著增大.电学性能的改善与由MgTiO3掺杂后导致晶粒尺寸均匀化,晶界厚度减薄且绝缘性提高有关.其中,CaCu3Ti4O12-0.5MgTiO3陶瓷具有良好的综合电学性能:εr=53958,tanδ=0.06(1kHz),压敏电压Eb=295V/mm且非线性系数α=66.3.
- 曹蕾刘鹏周剑平王亚娟苏丽娜刘成
- 关键词：巨介电常数压敏电压
- Al_2O_3掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电性能与I-U非线性特征
- 2011年
- 采用固相反应法,制备了一系列(1-x)CaCu3Ti4O12-xAl2O3(x=0,0.15,0.30,0.40)复相陶瓷.结果表明:Al2O3掺杂使CaCu3Ti4O12基陶瓷在降低低频范围内的介电损耗之外,同时使压敏电压大幅度的提高.当Al2O3的含量为0.30时的样品具有良好的综合电学性能:rε=2 000,tanδ=0.04(1 kHz),压敏电压Eb=1 084 V/mm且非线性系数α=4.6.
- 王亚娟曹蕾荆慧霞杨敬娜张瑜吴怡刘鹏
- 关键词：压敏电压巨介电常数
- CaCu3Ti4O12材料的制备及其掺杂改性研究
- 电子工业的发展要求电子器件小型化,而器件进一步小型化的前提是新型高介电材料的开发。近年来,CaCu3Ti4O12 （CCTO）作为新型高介电材料之一,以其巨介电常数（105）,高的温度稳定性等优异的性能引起了研究学者的广...
- 曹蕾
- 关键词：介电性能微观结构压敏电压
- 文献传递
