赵永年
- 作品数：101 被引量：151H指数：7
- 供职机构：吉林大学材料科学与工程学院超硬材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 石墨Raman活性模E_(2g)的压缩行为及C—C键力常数的压力效应被引量：2
- 1992年
- 本文在0～13GPa压力范围内测量了石墨Raman活性模E_(?)的频率随压力的变化,结果表明在4GPa附近dγ/dp出现了不连续点,该点前的dγ/dp大于该点后的dγ/dp,这是由于在压力的作用下石墨六角网格发生畸变所致。本工作还导出了高压状态下C—C键力常数的表达式,对E.Fitzer在常压下用Raman频率计算C—C键长的计算公式进行了修正。
- 赵永年张志林崔启良刘振先邹广田
- 关键词：石墨压力效应力常数力常数
- 2-羟基-3-甲氧基苯甲醛与α-萘胺Schiff碱硝酸稀土配合物的合成与表征被引量：7
- 1992年
- 合成邻香兰素(2-羟基-3-甲氧基苯甲醛)与α-萘胺Schiff碱硝酸稀土配合物[LnL_2(NO_3)_2NO_3(Ln:镧系元素,L:Schiff碱配体)。配合物由一个中心稀土离子,两个Schiff碱和三个硝酸根组成,两个Schiff碱都是氮、氧双配位,两个硝酸根是双齿配位,另一硝酸根在配合物外界。中心稀土离子是八配位的,满足稀土八配位的稳定结构。
- 刘国发赵永年刘晓勋
- 关键词：稀土配合物香兰素西佛碱
- Bi_(1.8)Nd_(0.2)Ti_4O_(11)的温致及压致软模相变研究
- 1993年
- 采用背向散射的方法,测量了Bi_(1.(?)Nd_(0.2)Ti_4O_(11)的拉曼光谱。实验结果表明,该掺杂样品发生温致和压致软模相变的温度和压力分别为200℃和3.35GPa。文中讨论了相变点移动的原因及高频声子模随温度和压力的变化。
- 崔启良孟进芳邹广田赵永年李冬妹
- 关键词：软模相变钛酸铋散射谱
- 用射频磁控溅射法在c-BN晶体基底上生长c-BN薄膜被引量：1
- 2006年
- 本文用射频磁控溅射方法在片状c-BN晶体基底上生长了c-BN薄膜,显微拉曼光谱(μ-RS)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:沉积的薄膜是大约10μm厚、高结晶性、电子透明的高纯c-BN薄膜。岛状和层状生长模式在试验中清晰的展示出来。同时在生长的c-BN薄膜内部和被遮盖的基底部分上发现了籽晶。
- 杨大鹏赵永年李英爱苏作鹏杜勇慧吉晓瑞杨旭昕宫希亮张铁臣
- 关键词：高结晶度生长速率
- 层状铁电体Ba_(1-x)Bi_(2+x)Ti_xNb_(2-x)O_9的结构相变研究
- 1999年
- 本文应用拉曼光谱方法研究了Ba1-xBi2+xTixNb2-xO9的结构相变。与x≠0的情况相比,x=0的情况BaBi2Bn2O9表现出了明确不同的拉曼光谱。前者有与Aurivillius层状铁电体家族的铁电相相似的拉曼光谱。因此认为BaBi2Nb2O9发生了铁电—非铁电相变。此外。
- 韩杰邹广田赵永年葛中久李守春
- 关键词：结构相变
- 工作气压对TiO_2薄膜结构的影响被引量：2
- 2004年
- 用射频磁控溅射方法以纯金属钛做靶材在氩氧混合气体中制备了TiO2薄膜,Raman光谱测量表明,工作气压从0.2Pa变化到2Pa时,TiO2薄膜的结构由金红石相变化到锐钛矿相,厚度对TiO2薄膜结构没有明显影响.
- 李哲奎顾广瑞孙文斗李全军赵永年
- 关键词：TIO2薄膜RAMAN光谱金红石锐钛矿
- 铁电体Ba_xPb_（1－x）TiO_3系列高压Raman光谱及压致软模相变的研究被引量：2
- 1995年
- 本文研究了铁电体系列催化剂Ｂａｘｐｂ１－ｘＴｉＯ３在常温常压及常温高压下的Ｒａｍａｎ光谱和压力感应软模相变．对含钡量（Ｘ值）不同的几种（Ｘ＝０，Ｘ＝０．２，Ｘ＝０．Ｘ＝０．６，Ｘ＝１．０）样品的Ｒａｍａｎ光谱散射峰对应的声子频率随压力的变化的分析表明，ＢａｘＰｂ１－ｘＴｉＯ３晶体的相变压力点（Ｐｃ值），随晶体中Ｂａ组分含量的增加而减小．这主要是指晶体的软模Ｅ（ＩＴＯ）］频率随压力的变化．同时，发现晶体相变后，其软模对应声子的频率又随压力升高而升高的现象及其他振动模态并不消失的情况．这说明，正是由于样品中钡组分含量的增加和压力的双重因素使晶体出现了晶格畸变．
- 杨兆崎赵永年徐德高杜春
- 关键词：铁电体散射谱软模相变
- TbP_(5)O_(14)的光谱与能级的精细结构
- 1986年
- 本文报告了稀土过磷酸盐TbP_(5)O_(14)的精细荧光光谱和红外吸收光谱,并据此解析出了^(5)D_(4)和^(7)F_(J)的Stark能级结构。
- 汤卓然白玉白李铁津赵永年
- 关键词：红外吸收光谱荧光光谱
- 分子晶体的高压Raman光谱及结构相变被引量：3
- 1989年
- 本文综合我们从NH_3F(氟化胺)、HCCl_3(氯仿)、HCBr_3(溴仿)、S_3(硫)和CNH(三聚氰胺)等分子晶体获得的高压Raman光谱数据,讨论了分子晶体 Raman光谱的谱带强度,频率位移,晶场劈裂和Gruneisen常数等对压力的依赖关系。总结了分子晶体压致结构相变的光谱证据和高压新相结构确定的几种方法。
- 赵永年邹广田
- 关键词：分子晶体喇曼光谱相变
- 氮化硼薄膜沉积中的相变化研究
- 1997年
- 立方氮化硼（ｃＢＮ）具有力学、电学、热学、光学和半导体性能。它在硬度和热导率方面仅次于金刚石，而在化学稳定性、抗高温氧化和半导体性能方面优于金刚石。ｃＢＮ是自然界里没有的新型材料，可以用高温高压和低气压条件下两种方法合成，后一种方法可以制备出厚度和形状可变的薄膜材料，可以充分地利用ｃＢＮ各种优异性能。ｃＢＮ薄膜的制备包括离子溅射、离子镀、磁控溅射、激光蒸镀等多种方法的物理气相沉积（ＰＶＤ）和包括ＲＦ辉光、电子回旋共振、感应耦合等离子体等方法在内的化学气相沉积（ＣＶＤ）。在近２０年的研究中，消除六角氮化硼（ｈＢＮ），提高ｃＢＮ含量一直是人们关注的主要问题。ｈＢＮ薄膜的沉积是比较容易的，ｃＢＮ的生长相对而言比较困难。本工作通过变化各种沉积条件，研究从ｈＢＮ薄膜向ｃＢＮ薄膜的过渡，以求得纯ｃＢＮ薄膜生长。本工作研制了一套磁控弧光放电增强等离子体活化反应离子镀装置，并用它研究ＢＮ薄膜沉积中的相转变问题。这个装置采用电子枪蒸发硼，用低气压下磁场中热电子弧光放电离化气体的方法，在基底加负偏压沉积ＢＮ薄膜，这个装置的特点是利用电子在磁场中的回旋运动增加碰撞几率和弧光的大电流而产生高离化度等离子体，这一特点对于控制薄膜生长?
- 赵永年何志王波陶艳春邹广田
- 关键词：立方氮化硼薄膜相转变半导体薄膜
