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氮化硼薄膜场致发射特性的研究: 本文研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同的基底偏压和不同的膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N<,2>的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1...; 顾广瑞何志李英爱冯伟金生殷红李卫青赵永年; 关键词：场发射偏压膜厚磁控溅射; 文献传递

用气相沉积方法在低气压下制备BN的高压相：E-BN、c-BN、w-BN: 频磁控溅射的方法得到了低应力立方氮化硼薄膜。红外光谱结果表明薄膜具有很好的附着力，且含有少量的E-BN和w-BN。电子衍射谱表明薄膜表层是纯的立方相。同时利用此方法得到了E-BN的薄膜。本工作提出了薄膜生长过程可能经历了...; 朱品文赵永年邹广田何志; 关键词：立方氮化硼薄膜

氮化硼薄膜内应力的红外光谱研究被引量：17: 1998年; 用射频（ＲＦ）磁控溅射制备了立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜．ＦＴＩＲ光谱和电子衍射实验表明：该薄膜是纯的，其结晶度很高．ＦＴＩＲ光谱研究指出，基板负偏压是ｃ－ＢＮ相形成的重要因素，但也由此产生了ｃ－ＢＮ薄膜的应力，且负偏压越高，产生的应力越大．比较透射谱和反射谱的结果，ｃ－ＢＮ薄膜表面层的应力小于内部的．按照ｃ－ＢＮ形成的压力模型，表面应力小到一定程度可能影响ｃ－ＢＮ的继续生长．一个特制的分层结构ＢＮ薄膜保留了由于应力造成的ｃ－ＢＮ的裂纹，这个裂纹分布在一些同心圆上，中心是缺陷或杂质，同心圆之间有明显的分界线，把ｃ－ＢＮ表层分割成许多应力区．; 赵永年邹广田王波何志朱品文陶艳春; 关键词：内应力红外光谱氮化硼薄膜

高温高压下物质的散射光谱与相变研究: ＜正＞实验室产生的压力和温度范围的不断拓展,为物质科学的研究提供了更加广阔的中空间,也为揭示在常规条件下不存在的新结构、新现象、新性质和新效应创造了更多的机遇。因此,非常规条件乃至极端条件下物质的的的散射光谱的研究正受到...; 邹广田周强刘冰冰崔启良何志李芳霏; 文献传递

纳米TiO_2薄膜的拉曼光谱被引量：5: 2001年; 本文测量了纳米TiO2 薄膜的Raman散射谱 ,并用B1g模计算了不同厚度的纳米TiO2薄膜的粒度。结果表明 ,随着膜厚的增加 ,粒度也在增加 ,膜厚达到一定程度后。; 殷红赵永年何志李英爱顾广瑞; 关键词：TIO2薄膜拉曼光谱 RAMAN光谱二氧化钛薄膜粒度薄膜厚度

锰的硼化物的高温高压制备方法: 本发明的锰的硼化物的高温高压制备方法属于超硬材料的技术领域。所述的锰的硼化物主要组分是MnB2或Mn3B4；制备方法是：以锰粉和硼粉为原料，经混料压块、组...; 孟祥旭朱品文何志刘冰冰崔田

用于预应力高压模具缠绕的狭缝调整定位装置及制备方法: 本发明的一种用于预应力高压模具缠绕的狭缝调整定位装置属于机械加工技术领域，由支撑柱(100)、下限位单元(101)、上限位单元(102)、支撑架(103)、顶紧螺丝(104)、支撑底板(105)构成，所述的支撑底板(10...; 李洪宇何志朱品文彭刚吴洪伟吕云洲彭寅山王海涛李京; 文献传递

氮化硼薄膜沉积中的相变化研究: 1997年; 立方氮化硼（ｃＢＮ）具有力学、电学、热学、光学和半导体性能。它在硬度和热导率方面仅次于金刚石，而在化学稳定性、抗高温氧化和半导体性能方面优于金刚石。ｃＢＮ是自然界里没有的新型材料，可以用高温高压和低气压条件下两种方法合成，后一种方法可以制备出厚度和形状可变的薄膜材料，可以充分地利用ｃＢＮ各种优异性能。ｃＢＮ薄膜的制备包括离子溅射、离子镀、磁控溅射、激光蒸镀等多种方法的物理气相沉积（ＰＶＤ）和包括ＲＦ辉光、电子回旋共振、感应耦合等离子体等方法在内的化学气相沉积（ＣＶＤ）。在近２０年的研究中，消除六角氮化硼（ｈＢＮ），提高ｃＢＮ含量一直是人们关注的主要问题。ｈＢＮ薄膜的沉积是比较容易的，ｃＢＮ的生长相对而言比较困难。本工作通过变化各种沉积条件，研究从ｈＢＮ薄膜向ｃＢＮ薄膜的过渡，以求得纯ｃＢＮ薄膜生长。本工作研制了一套磁控弧光放电增强等离子体活化反应离子镀装置，并用它研究ＢＮ薄膜沉积中的相转变问题。这个装置采用电子枪蒸发硼，用低气压下磁场中热电子弧光放电离化气体的方法，在基底加负偏压沉积ＢＮ薄膜，这个装置的特点是利用电子在磁场中的回旋运动增加碰撞几率和弧光的大电流而产生高离化度等离子体，这一特点对于控制薄膜生长?; 赵永年何志王波陶艳春邹广田; 关键词：立方氮化硼薄膜相转变半导体薄膜

纳米TiO<,2>薄膜的导电性与带隙宽度的研究: 本文研究了纳米TiO<,2>薄膜的导电性与不同的基底材料和不同的膜厚的关系,以及带隙宽度与不同膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,我们使用Ti靶,通过Ar和O<,2>的混合气体,制备出了纳米TiO<,2>薄膜.溅射是在常温下...; 何志顾广瑞李英爱殷红赵永年; 关键词：纳米TIO<,2>薄膜电阻率磁控溅射; 文献传递

低应力立方氮化硼薄膜及其制备装置和制备方法: 本发明的低应力c－BN薄膜及其制备装置和制备方法属物理气相沉积方法制备薄膜材料的领域。采用射频磁控溅射加磁控弧光放电相结合的装置和工艺,以h－BN为靶材,在氮气、氩气气氛辉光放电中沉积c－BN薄膜。薄膜结构是在基底与立方...; 赵永年邹广田何志; 文献传递

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何志

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