陶德节
- 作品数：12 被引量：30H指数：4
- 供职机构：中国科学院安徽光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金安徽省重点科研计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 大尺寸Cr^(3+)∶LiSrAlF_6晶体生长被引量：1
- 2000年
- 采用提拉法生长出了一系列不同Cr3+ ( 0 .8%～ 8% ,摩尔分数 )不开裂、无明显散射颗粒、无气泡的Cr∶LiSAF晶体毛坯 ,尺寸从s2 5mm ,l2 9mm× 1 3 5mm到s2 6mm ,l3 0mm× 1 58mm不等 .测定了晶体中的散射损耗约为 1× 1 0 - 3cm- 1.详细讨论了引起晶体开裂的主要原因 ,并在此基础上基本解决了晶体开裂的难题 .
- 陶德节杭寅魏世道韩奇阳王爱华冯朝鲜戴根发王亚峰胡欢陵
- 关键词：掺铬晶体生长提拉法
- Cr^(3+)∶LiCaAlF_6晶体生长和激光特性被引量：2
- 1998年
- 首次报道熔体提拉法生长Ｃｒ∶ＬｉＣＡＦ（Ｃｒ３＋∶ＬｉＣａＡｌＦ６）晶体的生长工艺，研制出质量较好的晶体尺寸达２０～２５×９０～１２０ｍｍ。测定了晶体对８０９ｎｍ红外波段的吸收系数μ为１０－２量级，晶体中无ＯＨ－。Ｃｒ∶ＬｉＣＡＦ可调谐灯泵激光器获得的宽带能量输出１．６Ｊ，阈值５０．５Ｊ，调谐范围为７３０～８４８ｎｍ，用ＫＤＰ调Ｑ，单脉冲宽度４８ｎｓ，峰值功率达１．３×１０６Ｗ。
- 张尚安陶德节王爱华吴路生魏世道韩奇阳
- 关键词：引上法晶体生长激光晶体掺铬
- CdWO_4闪烁晶体的生长及其光学性能的研究被引量：8
- 2006年
- 本工作生长出了57mm×45mm的大尺寸CdWO4单晶,并报道了该晶体的最佳生长工艺。对CdWO4原料的一次烧结物、生长炉壁的挥发物进行了XRD谱的测试分析,结果表明一次烧结可以得到基本成相的多晶料;生长原料CdO较WO3更易挥发。同时,测试了CdWO4晶体的一些光学性能,初步探讨了该晶体的发光特性,分析表明氧退火有利于提高晶体的透过率,这可能是由氧退火使氧空位减少所致。此外,该晶体的本征发光主要是由蓝、绿光所组成的。
- 罗丽明陶德节王英俭
- 关键词：晶体生长光学性能
- 高温超导及GaN衬底材料(La,Sr)(Al,Ta)O_3晶体的生长
- 2002年
- 用提拉法生长了高质量、大尺寸、具有混合钙钛矿结构的 (La ,Sr) (Al,Ta)O3 晶体 (LSAT) ,晶体尺寸达5 5mm×5 0mm。讨论了晶体生长有关工艺 ,并对晶体的完整性进行了初步研究。
- 陶德节闫如顺刘福云郭行安徐小冬江小平胡欢陵
- 关键词：高温超导晶体生长
- 新型紫外可调谐激光晶体Ce∶LiCAF和Ce∶LiSAF被引量：1
- 1997年
- 新型紫外可调谐激光晶体Ｃｅ∶ＬｉＣＡＦ和Ｃｅ∶ＬｉＳＡＦ张尚安陶德节魏世道韩奇阳冯朝鲜（中国科学院安徽光学精密机械研究所，合肥２３００３１）ＮｅｗＴｙｐｅＵＶＴｕｎａｂｌｅＬａｓｅｒＣｒｙｓｔａｌｏｆＣｅ∶ＬｉＣＡＦａｎｄＣｅ∶ＬｉＳＡＦＺｈａｎｇＳ...
- 张尚安陶德节魏世道韩奇阳冯朝鲜
- 关键词：激光晶体掺铈
- 连续波可调谐CO_2激光在AgGaSe_2中倍频研究被引量：4
- 2004年
- 在一台小型连续波(CW)CO2激光器上用光栅调谐获得了从9.23-10.65μm范围内20条谱线输出,用一片8 mm×8 mm×15 mm红外非线性光学晶体AgGaSe2实现了上述谱线的二倍频输出。实验测得10P(20)谱线的倍频光输出为2.1μW,相位匹配接收外角△θ外·L=2.1°·cm。
- 吴海信张维陶德节程干超杨琳魏合理毛明生
- 关键词：非线性光学倍频
- Cr^(3+)∶LiSr_(0.8)Ca_(0.2)AlF_6晶体生长及其激光特性被引量：1
- 2000年
- 在国内首次用提拉法成功地生长出大尺寸改性的Cr∶LiSAF晶体Cr3+ ∶LiSr0 .8Ca0 .2 AlF6 ,晶体毛坯尺寸达2 5mm× 130mm。测量了该晶体在室温下的吸收及发射光谱 ,并实现了其闪光灯泵浦条件下的激光运转。单灯泵浦最大输出能量 5.2J,激光阈值 35.7J。
- 陶德节杭寅王爱华魏世道韩奇阳冯朝鲜戴根发王亚峰胡欢陵徐瑶房晓俊许祖彦
- 关键词：闪光灯泵浦提拉法
- 紫外可调谐激光晶体Ce^(3+):LiSrAlF_6生长及其光谱特性
- 1999年
- 在国内首次用提拉法生长出Ｃｅ３＋：ＬｉＳｒＡｌＦ６晶体，晶体尺寸达Φ２０ｍｉｎ×８０ｍｍ，测定了其在室温下的吸收及发射光谱，并计算了晶体的主吸收系数及残余吸收系数．
- 陶德节魏世道韩奇阳冯朝鲜王爱华杭寅胡欢陵
- 关键词：掺铈晶体生长光谱
- 紫外激光晶体Ce^(3+)∶LiSrAlF_6发光温度依赖中的陷阱效应被引量：1
- 2001年
- 在 10 5～ 30 0K温区内 ,测量了X射线激发下Ce3+ ∶LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖 (I T) ,在 2 37～30 0K温区内发光强度有特殊的增强结构 ,结合 10 5～ 30 0K温区内热释光的测量 ,证实这种发光强度的增强效应是由于陷阱参与发光过程所导致。通过对热释光曲线的进一步分析 ,得到深度分别为 0 5 1eV和 0 5 5eV的陷阱能级 ,这些陷阱主要源于Ce3 + 取代Sr2 + 所形成的杂质缺陷和基质LiSrAlF6中的F-空位以及Li+ 空位所形成的本征缺陷。
- 魏亚光施朝淑周东方陶德节汤洪高
- 关键词：晶体发光强度温度依赖热释光紫外激光本征缺陷
- 钨酸铅(PbWO_4)晶体的研究概况被引量：7
- 2004年
- 本文概要介绍了近年来国内外钨酸铅晶体的研究进展,包括它的晶体结构、常见缺陷、发光机制及掺杂改性等,着重阐述了着色机制和掺杂改性,并介绍了几种具有代表性的关于该晶体发光机制的观点。
- 罗丽明陶德节王英俭
- 关键词：钨酸铅晶体发光机制掺杂改性
