丁浩
- 作品数：5 被引量：4H指数：2
- 供职机构：安徽大学更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金国家高技术研究发展计划安徽省教育厅重点科研项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信自然科学总论更多>>
- 低压低功耗Halo MOSFET的分析与设计
- 低压低功耗MOS集成电路是半导体集成电路的发展方向,除了电路设计技术的改进,MOS集成电路器件结构的设计也是实现集成电路低压低功耗的重要因素。体硅MOS器件特征尺寸缩小至超深亚微米以后,还将面临短沟道效应的影响,如热载流...
- 丁浩
- 关键词：低压低功耗HALO阈值电压击穿特性
- 文献传递
- 基于双目立体视觉的番茄叶面积测定方法
- 本发明涉及一种基于双目立体视觉的番茄叶面积测定方法，包括：利用棋盘标定法进行双目标定：设定多个坐标系，结合定焦多角度图像，求解双目相机的内参数；利用左右视差计算出双目相机到番茄叶的距离；进行立体校正和畸变矫正：计算双目相...
- 方舒娴李延龙丁浩程乐胡程灿张子茜张慧珊侯芷萌
- n阱LDMOS伏安特性线性区的分析被引量：2
- 2005年
- 对小电压下的LDMOS伏安特性线性区进行了分析。为了避免求解复杂的偏微分方程并且得到解析的结果,这里采用了将场区等效为积累层电阻、扩展电阻、体电阻和漏极分布电阻的串联等效电路。根据LDMOS的结构特点分别给出了各个电阻的具体计算方法。最后给出了精确的LDMOS导通电阻表达式。
- 高珊孟坚陈军宁丁浩
- 关键词：LDMOS伏安特性导通电阻等效电路偏微分方程
- 四端硅压力传感器的解析模型被引量：2
- 2004年
- 利用正则摄动法,采用合理的边界条件,求解四端硅压力传感器二维电势的偏微分方程,得出了该传感器二维电势的解析表达式;并由此导出了随应力而变的最大输出电压的解析表达式,且给出了输出电压与器件尺寸的精确关系。该模型物理意义明确,参数提取方便,其计算结果与数值解、实验数据较好吻合,可以很方便地进行器件设计和模拟。
- 丁浩樊进尹燕洪琪柯导明陈军宁
- 关键词：解析模型输出电压
- 一种基于相变材料的狭缝波导光开关
- 一种基于相变材料的狭缝波导光开关，属于光电调制技术领域，用于解决基于热光效应、载流子色散效应的硅基光开关难以同时实现低功耗、紧凑尺寸、宽工作频带和低插入损耗的问题；所述光开关包括沿光传输路径依次连接的入射区、狭缝调制区、...
- 丁立姜童詹启鹏丁浩朱万豪李士昌许鸿润任积峰张晓波金里曹国威黄志祥
