于广辉
- 作品数：126 被引量：38H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 一种改变双层石墨烯耦合性的方法及双层石墨烯
- 本发明公开了一种改变双层石墨烯耦合性的方法及双层石墨烯，涉及石墨烯技术领域。本发明的改变双层石墨烯耦合性的方法包括以下步骤：提供石墨烯样品和衬底，所述石墨烯样品为双层石墨烯，将所述石墨烯样品转移至所述衬底上，形成结合体；...
- 陈志蓥于广辉张燕辉隋妍萍梁逸俭胡诗珂李晶康鹤王爽
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- 一种铂衬底上石墨烯的表征方法
- 本发明提供一种铂衬底上石墨烯的表征方法，将亚甲基蓝显影液涂覆于表面覆盖有石墨烯的铂衬底上，使得甲基蓝显影液与含氢气体在铂的催化下进行反应，生成无色的亚甲基白，且在恢复真空后，铂裸露区域的亚甲基白会在铂的催化下和空气中的氧...
- 康鹤于广辉张燕辉陈志蓥
- 基于氧化亚铜薄膜衬底低成核密度石墨烯单晶的制备方法
- 本发明涉及基于氧化亚铜薄膜衬底低成核密度石墨烯单晶的制备方法，其特征在于通过氧化亚铜薄膜衬底，直接制备出低成核密度石墨烯单晶，具体制备步骤包括：(1)氧化亚铜薄膜的制备；(2)低密度石墨烯单晶制备。本发明提出了新的制备工...
- 张浩然于广辉张燕辉张亚欠陈志蓥隋妍萍
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- 一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法
- 本发明提供一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法，至少包括以下步骤：1）提供一长有化学气相沉积（CVD）石墨烯的铜衬底，所述石墨烯中具有皱褶区域；2）将长有石墨烯的铜衬底置于氧化气氛中进行氧化，皱褶区域下方的铜衬底会被优...
- 张燕辉于广辉陈志蓥王斌隋妍萍张浩然张亚欠李晓良
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- 分子束外延法石墨烯制备与表征
- 分子束外延是制备高质量二维材料常用的方法，但是目前用MBE法制备石墨烯的报道还非常少。Fumihiko Maeda等曾尝试用气态MBE在绝缘衬底上直接生长石墨烯，由于没有金属催化，质量比较差。其实利用MBE系统衬底温度与...
- 张燕辉陈志蓥张浩然于广辉
- 关键词：石墨烯性能表征分子束外延法
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- HCl气体辅助生长GaN纳米线阵列与机理研究
- 2014年
- 研究了一种无金属催化剂生长GaN纳米线阵列的方法。通过HCl气体作为催化剂,利用氢化物气相外延(HVPE)系统在GaN/sapphire模板上制备出纯净的GaN纳米线阵列;利用扫描电镜(SEM)、能量分散X射线荧光(EDX)谱和透射电镜(TEM)测试,研究了生长条件的变化对GaN纳米线阵列的影响,分析了GaN纳米线阵列的生长过程并探索了其生长机理,为GaN纳米线阵列的可控生长提供了理论依据。
- 王新中于广辉李世国
- 关键词：纳米线
- GaN纳米线阵列的电子场发射研究
- 2015年
- 基于HCl辅助热蒸发GaN粉末的方法制备了纯净的一维GaN纳米线垂直阵列,重点研究了不同生长时间对应不同形貌的GaN纳米结构的电子场发射性能,以及氨气氛围下热退火对GaN纳米线阵列场发射性能的影响,并分析了其影响机理。通过对生长时间分别为20 min,60 min(未退火处理)与60 min(退火处理)的三组样品进行对比,结果显示:生长时间为60 min(未退火处理)的样品,电流密度达到1μA/cm2时的开启电场的值为2.1 V/μm,且获得1 m A/cm2的阈值电流密度也只需要4.5 V/μm的电场。
- 王新中于广辉李世国
- 关键词：氮化镓纳米线场发射电场
- 一种石墨烯薄膜的制备方法
- 本发明涉及二维材料制备技术领域，特别涉及一种石墨烯薄膜的制备方法，包括：在碳化硅基底上设置催化剂得到反应样品；将所述反应样品加热至第一预设温度；将所述反应样品保温第一预设时长；其中，所述催化剂的熔点低于第一预设温度，所述...
- 朱虹延吴天如陈吉张超时志远于广辉
- 一种基于石墨烯的表面增强拉曼基底及其制备方法
- 本发明涉及一种基于石墨烯的表面增强拉曼基底及其制备方法，所述基底为表面覆有多孔结构石墨烯的绝缘衬底，金属颗粒修饰于多孔结构石墨烯表面。制备方法包括：(1)制备表面覆有多孔结构石墨烯的绝缘衬底；(2)将金属颗粒分散覆盖于多...
- 隋妍萍于广辉张燕辉陈志蓥葛晓明张浩然
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- 一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法
- 本发明提供一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法，包括：1）将长有石墨烯的金属衬底置于目标衬底上，并将所述石墨烯面朝目标衬底；2）将放置好的长有石墨烯的金属衬底和目标衬底放入反应器中，在保护气氛下，升温至金属衬底熔化温度或以...
- 张燕辉于广辉葛晓明张浩然陈志蓥隋妍萍邓荣轩
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