齐鸣
- 作品数：126 被引量：76H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生文化科学更多>>
- 基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT被引量：2
- 2006年
- 报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=1.16,nc=1.11,可应用于低功耗、高功率领域.
- 苏树兵徐安怀刘新宇齐鸣刘训春王润梅
- 关键词：MBE双异质结双极晶体管
- 162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文)
- 2006年
- 报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流IC=34·2 mA的条件下,发射极面积为0·8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz ,最大振荡频率fmax为52GHz ,最大直流增益为120,偏移电压为0·10V,击穿电压BVCEO达到3·8V(IC=0·1μA) .这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.
- 于进勇严北平苏树兵刘训春王润梅徐安怀齐鸣刘新宇
- 关键词：磷化铟异质结双极型晶体管自对准
- 用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系及其镀膜用夹具
- 本发明提供一种半导体激光器后腔面高反射率膜系结构及其腔面镀膜用夹具。其特征在於高反射率膜系由相位匹配的氧化物介质膜1、金属膜2和氧化物保护膜3组成。相位匹配氧化物介质膜和氧化物保护膜为Al<Sub>2</Sub>O<Su...
- 吴惠桢黄占超劳燕锋沈勤我齐鸣封松林
- 文献传递
- 气态源分子束外延InGaP/GaAs HBT材料
- 齐鸣徐安怀陈晓杰朱福英艾立鹍李爱珍李存才胡建
- 解决了GSMBE生长InGaP/GaAs HBT外延材料的关键科学和技术问题，建立了稳定优化的GSMBE生长工艺，研制出性能优良的4英寸InGaP/GaAs HBT材料。所发展的超薄层异质外延材料技术，在InGaP/Ga...
- 关键词：
- 关键词：GSMBE
- 一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法，其结构包括：半绝缘的磷化铟衬底上面依次为InP缓冲层、N型InGaAs高掺杂层、I型InGaAs不掺杂层以及采用碳重掺杂的P型InGaAs高掺杂层；P型高掺...
- 孙浩王伟李凌云艾立鹍徐安怀孙晓玮齐鸣
- 缓变基区复合集电结InP DHBT材料生长及其特性研究
- InP基异质结双极晶体管(HBT)在毫米波功率和单片集成电路等领域具有重要的应用前景.由于InGaAs/InP单异质结HBT(SHBT)结构中集电区的InGaAs材料禁带宽度较窄,载流子的碰撞电离几率高,导击穿电压较低,...
- 艾立鹛徐安怀周书星齐鸣
- 一种用于半导体激光器腔面蒸镀的非接触固定方式的夹具
- 本发明涉及一种用于半导体激光器腔面蒸镀的非接触固定方式的夹具,其特征在于采用了非接触固定方式,避免产生机械损伤。该夹具由一个不锈钢板上开有宽度为0.15－0.25mm,间距为2－3mm的多条狭缝而制成。使用时只要把解理条...
- 吴根柱齐鸣李爱珍张永刚
- 文献传递
- 一种用于半导体材料特性表征的方法及其系统
- 本发明涉及一种用于半导体材料特性表征的方法及其系统，属于半导体测试技术领域。本发明特征在于采用两个或多个不同波长的单色微光器作为测量光源；用材料的光电导、光伏或光电容等信号作为响应信号，对测量光源进行变频调制，采用锁相放...
- 张永刚李爱珍齐鸣
- 文献传递
- 一种用于半导体激光器腔面蒸镀的非接触固定方式的夹具
- 本发明涉及一种用于半导体激光器腔面蒸镀的非接触固定方式的夹具，其特征在于采用了非接触固定方式，避免产生机械损伤。该夹具由一个不锈钢板上开有宽度为0.15-0.25mm，间距为2-3mm的多条狭缝而制成。使用时只要把解理条...
- 吴根柱齐鸣李爱珍张永刚
- 文献传递
- 一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法
- 劳燕锋吴惠桢封松林齐鸣
- 曾被用于Si基材料的直接键合技术近年来在Ⅲ-Ⅴ族材料的组装中得到了广泛应用。与传统外延技术如MBE、MOCVD相比，直接键合过程不会在外延层中额外地引入线位错，这是使该技术在组合不同材料结构中得以应用的重要原因；然而直接...
- 关键词：
- 关键词：无损检测磷化铟砷化镓直接键合
