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俞本伟

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：上海大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

主题

  • 7篇半导体
  • 4篇量子
  • 4篇量子点
  • 3篇导体
  • 3篇修饰
  • 3篇生物应用
  • 3篇半导体量子点
  • 3篇CDTE量子...
  • 2篇导电
  • 2篇导电玻璃
  • 2篇电沉积
  • 2篇电沉积法
  • 2篇电沉积法制备
  • 2篇电极
  • 2篇电解液
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔阳极氧化...
  • 2篇多孔阳极氧化...
  • 2篇阳极氧化铝
  • 2篇阳极氧化铝模...

机构

  • 8篇上海大学

作者

  • 8篇俞本伟
  • 7篇张建成
  • 7篇沈悦
  • 7篇颜浩
  • 6篇尤陈霞
  • 6篇宋振伟
  • 6篇陈丽霞
  • 2篇丁益民

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
以H<Sub>2</Sub>Te为碲源的Ⅱ-Ⅵ族半导体CdTe量子点的制备方法
本发明涉及一种以H<Sub>2</Sub>Te气体为碲源的II-VI族半导体CdTe量子点的制备方法。该方法具体包括前躯体溶液的制备、量子点的制备等步骤。本发明以H<Sub>2</Sub>Te气体为碲源，通过通入H<Su...
陈丽霞张建成沈悦宋振伟尤陈霞颜浩俞本伟丁益民
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硅烷包裹Ⅱ－Ⅵ族半导体量子点的方法
本发明涉及一种硅烷包裹II－VI族半导体量子点的方法。该方法包括II－IV族半导体量子点的制备、无机包裹以及硅烷包裹。II－IV族半导体量子点的硅烷包裹的具有步骤为：将壬基酚聚氧乙烯醚溶于环己烷中形成稳定的反相胶束溶液，...
宋振伟张建成沈悦陈丽霞尤陈霞颜浩俞本伟
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模板电沉积法制备Ⅱ－Ⅵ族半导体纳米线的方法
本发明涉及一种在多孔阳极氧化铝模板上电沉积法制备II－VI族半导体材料纳米线的方法。本发明方法具体步骤为：首先将S粉、Se粉或Te粉溶于HNO<Sub>3</Sub>溶液中，搅拌，以形成SO<Sub>3</Sub><Su...
宋振伟张建成沈悦尤陈霞颜浩俞本伟陈丽霞
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硅烷包裹Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的方法
本发明涉及一种硅烷包裹II-VI族半导体量子点的方法。该方法包括II-IV族半导体量子点的制备、无机包裹以及硅烷包裹。II-IV族半导体量子点的硅烷包裹的具有步骤为：将壬基酚聚氧乙烯醚溶于环己烷中形成稳定的反相胶束溶液，...
宋振伟张建成沈悦陈丽霞尤陈霞颜浩俞本伟
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模板电沉积法制备Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米线的方法
本发明涉及一种在多孔阳极氧化铝模板上电沉积法制备II-VI族半导体材料纳米线的方法。本发明方法具体步骤为：首先将S粉、Se粉或Te粉溶于HNO<Sub>3</Sub>溶液中，搅拌，以形成SO<Sub>3</Sub><Su...
宋振伟张建成沈悦尤陈霞颜浩俞本伟陈丽霞
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巯基单或多元有机酸表面修饰的Ⅱ－Ⅵ族半导体量子点及其制备方法
本发明涉及一种巯基单或多元有机酸表面修饰的II－VI族半导体量子点及其制备方法。该方法具体包括前驱体溶液的制备、量子点的制备等步骤。本发明的量子点是以巯基单(或多)元酸包裹的CdX，(X＝S，Se，Te)或ZnX，(X＝...
俞本伟沈悦张建成颜浩
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以H<Sub>2</Sub>Te为碲源的II－VI族半导体CdTe量子点的制备方法
本发明涉及一种以H<Sub>2</Sub>Te气体为碲源的II－VI族半导体CdTe量子点的制备方法。该方法具体包括前躯体溶液的制备、量子点的制备等步骤。本发明以H<Sub>2</Sub>Te气体为碲源，通过通入H<Su...
陈丽霞张建成沈悦宋振伟尤陈霞颜浩俞本伟丁益民
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CdTe量子点的制备及其生物应用
俞本伟
关键词：碲化镉量子点蛋白质免疫组化法
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