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颜浩
作品数:
9
被引量:1
H指数:1
供职机构:
上海大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
沈悦
上海大学材料科学与工程学院
张建成
上海大学材料科学与工程学院
宋振伟
上海大学材料科学与工程学院
俞本伟
上海大学
陈丽霞
上海大学
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机构
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上海大学
作者
9篇
颜浩
8篇
张建成
8篇
沈悦
7篇
俞本伟
7篇
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6篇
尤陈霞
6篇
陈丽霞
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丁益民
传媒
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材料研究学报
年份
1篇
2011
1篇
2010
3篇
2009
4篇
2008
共
9
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以H<Sub>2</Sub>Te为碲源的Ⅱ-Ⅵ族半导体CdTe量子点的制备方法
本发明涉及一种以H<Sub>2</Sub>Te气体为碲源的II-VI族半导体CdTe量子点的制备方法。该方法具体包括前躯体溶液的制备、量子点的制备等步骤。本发明以H<Sub>2</Sub>Te气体为碲源,通过通入H<Su...
陈丽霞
张建成
沈悦
宋振伟
尤陈霞
颜浩
俞本伟
丁益民
文献传递
硅烷包裹Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的方法
本发明涉及一种硅烷包裹II-VI族半导体量子点的方法。该方法包括II-IV族半导体量子点的制备、无机包裹以及硅烷包裹。II-IV族半导体量子点的硅烷包裹的具有步骤为:将壬基酚聚氧乙烯醚溶于环己烷中形成稳定的反相胶束溶液,...
宋振伟
张建成
沈悦
陈丽霞
尤陈霞
颜浩
俞本伟
文献传递
模板电沉积法制备Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米线的方法
本发明涉及一种在多孔阳极氧化铝模板上电沉积法制备II-VI族半导体材料纳米线的方法。本发明方法具体步骤为:首先将S粉、Se粉或Te粉溶于HNO<Sub>3</Sub>溶液中,搅拌,以形成SO<Sub>3</Sub><Su...
宋振伟
张建成
沈悦
尤陈霞
颜浩
俞本伟
陈丽霞
文献传递
硅烷包裹Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的方法
本发明涉及一种硅烷包裹II-VI族半导体量子点的方法。该方法包括II-IV族半导体量子点的制备、无机包裹以及硅烷包裹。II-IV族半导体量子点的硅烷包裹的具有步骤为:将壬基酚聚氧乙烯醚溶于环己烷中形成稳定的反相胶束溶液,...
宋振伟
张建成
沈悦
陈丽霞
尤陈霞
颜浩
俞本伟
文献传递
ODA/TOPO质量比对CdSe量子点性能的影响
被引量:1
2008年
采用高温有机金相法,在非配位溶剂中用双配位体系十八胺(0DA)和三辛基氧化磷(TOPO)合成了CdSe量子点(QDs),表征了量子点的形貌,研究了双配位体系中不同ODA与TOPO质量比对CdSe量子点的尺寸分布和荧光量子效率的影响.结果表明,引入ODA后,可制备出分散性良好、形状规则、尺寸分布均匀的CdSe量子点.当ODA与TOPO的质量比为3-4时,量子点的尺寸约为3 nm,光谱半高宽(FWHM)达到最小值29 nm,其量子效率可以达到52.8%-58.1%.
宋振伟
张建成
颜浩
沈悦
关键词:
QDS
量子效率
CDSE
巯基单或多元有机酸表面修饰的Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点及其制备方法
本发明涉及一种巯基单或多元有机酸表面修饰的II-VI族半导体量子点及其制备方法。该方法具体包括前驱体溶液的制备、量子点的制备等步骤。本发明的量子点是以巯基单(或多)元酸包裹的CdX,(X=S,Se,Te)或ZnX,(X=...
俞本伟
沈悦
张建成
颜浩
文献传递
以H<Sub>2</Sub>Te为碲源的II-VI族半导体CdTe量子点的制备方法
本发明涉及一种以H<Sub>2</Sub>Te气体为碲源的II-VI族半导体CdTe量子点的制备方法。该方法具体包括前躯体溶液的制备、量子点的制备等步骤。本发明以H<Sub>2</Sub>Te气体为碲源,通过通入H<Su...
陈丽霞
张建成
沈悦
宋振伟
尤陈霞
颜浩
俞本伟
丁益民
文献传递
模板法制备纳米材料及其组装体系的研究
颜浩
关键词:
纳米材料
多孔氧化铝
磁性
荧光
化学组装
模板电沉积法制备Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米线的方法
本发明涉及一种在多孔阳极氧化铝模板上电沉积法制备II-VI族半导体材料纳米线的方法。本发明方法具体步骤为:首先将S粉、Se粉或Te粉溶于HNO<Sub>3</Sub>溶液中,搅拌,以形成SO<Sub>3</Sub><Su...
宋振伟
张建成
沈悦
尤陈霞
颜浩
俞本伟
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