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领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇探测器
  • 3篇单晶
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  • 2篇读出电路
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  • 2篇载流子
  • 2篇探测器组件

机构

  • 14篇中国电子科技...

作者

  • 14篇刘兴新
  • 10篇周立庆
  • 5篇吴卿
  • 5篇刘铭
  • 3篇徐强强
  • 3篇王丛
  • 3篇王经纬
  • 3篇高达
  • 2篇胡尚正
  • 2篇田震
  • 2篇折伟林
  • 2篇陈慧卿
  • 2篇付志凯
  • 1篇喻松林
  • 1篇李冬冰
  • 1篇巩锋
  • 1篇李敬国
  • 1篇王静

传媒

  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 4篇2022
  • 3篇2020
  • 1篇2016
  • 2篇2013
  • 1篇2009
  • 1篇2008
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硅基衬底的加工方法
本发明提出了一种硅基衬底的加工方法,包括:获取硅片;对硅片进行化学处理,以在硅片表面形成氢钝化层;对硅片进行脱附工艺处理,以去除氢钝化层。根据本发明实施例的硅基衬底的加工方法,在对硅片进行化学处理后,在硅片的表面形成氢钝...
王丛高达王经纬刘铭刘兴新于小兵周立庆
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单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置
本发明公开了一种单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置,该装置在石英安瓿的颈部设置安瓿支架,所述安瓿支架内设有通道;所述通道内设置导流管,所述导流管的一端插进所述石英安瓿的底部,所述导流管的另一端穿出所述安瓿支架与排气管相连...
吴卿周立庆刘兴新徐强强
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单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置
本实用新型公开了一种单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置,该装置在石英安瓿的颈部设置安瓿支架,所述安瓿支架内设有通道;所述通道内设置导流管,所述导流管的一端插进所述石英安瓿的底部,所述导流管的另一端穿出所述安瓿支架与排气管...
吴卿周立庆刘兴新徐强强
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多载流子体系的测试及拟合方法
本发明公开了一种多载流子体系的测试及拟合方法,包括:将样品置于低温、变磁场中,测量样品的横向电导率σ<Sub>xx</Sub>和纵向电导率σ<Sub>xy</Sub>;对测量的σxx和σxy进行拟合运算,计算样品中各类载...
胡尚正折伟林吴卿陈慧卿刘铭田震杨海燕刘兴新周立庆
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CTIA线列型读出电路输出异常问题研究被引量:1
2022年
CTIA电路结构由于其高注入效率和线性度在小信号探测器读出电路设计中广泛应用。然而,采用该结构作为输入级的TDI线列型读出电路,在使用中处理信号足够大时,帧与帧之间输出电平出现高低差异,最大可达2 V。表现在图像则为明暗条纹交替出现,无法正常探测。积分电容越小,该现象越容易出现。并且,通过改善供电、调节偏置电压和参考电压等措施对该现象均无明显改善。本文针对这一现象,通过深入仿真和理论分析,最终实现问题定位,同时提出解决措施,有效地消除该现象。
王静刘兴新李冬冰袁媛
关键词:CTIA
用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料及制备方法
一种用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料,其在常规衬底材料上,再生长一层与碲镉汞晶格常数完全匹配的碲锌镉单晶薄膜;本发明制备出的用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料具有外延膜晶格质量高,组分可针对短波、中波、长波...
周立庆刘兴新
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硅基复合衬底的加工方法
本发明提出了一种硅基复合衬底的加工方法,包括:获取硅片;在所述硅片上外延生长预设膜厚的第一缓冲层;其中,在所述第一缓冲层外延生长过程中,控制生长环境的温度变化速率小于等于10℃/min。根据本发明的硅基复合衬底的加工方法...
王丛高达王经纬刘铭刘兴新于小兵周立庆
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红外探测器封装组件及具有其的红外探测器
本发明提出了一种红外探测器封装组件及具有其的红外探测器,红外探测器封装组件,包括:壳体组件、芯片及引线环,壳体组件限定出腔室,芯片设于腔室内,引线环框架构成壳体组件的组成部分,芯片与引线环电学连接,以将芯片从腔室内电学引...
田亚刘兴新王冠付志凯
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多载流子体系的测试及拟合方法
本发明公开了一种多载流子体系的测试及拟合方法,包括:将样品置于低温、变磁场中,测量样品的横向电导率σ<Sub>xx</Sub>和纵向电导率σ<Sub>xy</Sub>;对测量的σxx和σxy进行拟合运算,计算样品中各类载...
胡尚正折伟林吴卿陈慧卿刘铭田震杨海燕刘兴新周立庆
碲镉汞母液合成装置
一种碲镉汞母液合成装置,包括由高纯石墨制作的石墨舟,所述石墨舟包括自下而上装配在一起的下合成槽、成型槽和上合成槽,所述成型槽位于所述上合成槽内,所述下合成槽的槽的边缘有一密封定位环形凸棱,所述上合成槽的槽与所述密封定位环...
周立庆刘兴新巩锋
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共2页<12>
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