劳燕锋
- 作品数：56 被引量：52H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术建筑科学更多>>
- 用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系及其镀膜用夹具
- 本发明提供一种半导体激光器后腔面高反射率膜系结构及其腔面镀膜用夹具。其特征在於高反射率膜系由相位匹配的氧化物介质膜1、金属膜2和氧化物保护膜3组成。相位匹配氧化物介质膜和氧化物保护膜为Al<Sub>2</Sub>O<Su...
- 吴惠桢黄占超劳燕锋沈勤我齐鸣封松林
- 文献传递
- 1.31μm垂直腔面发射激光器材料及其物理特性研究
- 本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技...
- 吴惠桢黄占超劳燕锋
- 关键词：GAAS/ALGAAS分布布拉格反射镜INASP/INGAASP垂直腔面发射激光器
- 文献传递
- 离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响被引量：3
- 2008年
- 采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结果显示随着电流限制孔径的缩小,器件的电阻呈线性增大;电流限制孔径的形成显著增强1.3μm面发射器件结构的电致发光强度,孔径为15μm的样品是没有限制孔径样品的4倍(注入电流3mA),并就电流限制孔对EL器件结构电致发光的影响进行了物理解释.
- 刘成曹春芳劳燕锋曹萌吴惠桢
- 关键词：离子注入
- 直接键合微腔结构的光谱特性
- 2006年
- 采用直接键合方法制备了法布里-珀罗共振微腔结构,并用传输矩阵方法对其反射光谱进行了理论模拟.通过构造键合界面两侧多层薄膜材料的光学厚度呈现指数规律变化的模型,分析了键合效应对微腔结构光学特性的影响.结果表明:在较低退火温度下(如580℃)进行直接键合有利于高光学性能微腔结构的制备,而提高退火温度则需要在键合结构中加入缺陷阻挡层以提高键合质量.
- 劳燕锋吴惠桢黄占超刘成曹萌
- 关键词：晶片直接键合反射光谱
- 掩埋隧道结在长波长VCSEL结构中的应用被引量：3
- 2006年
- 采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p+-AlIn-As-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-AlInAs-n+-InP隧道结性能优于p+-InP-n+-InP隧道结.在InP(100)衬底上生长了包含p+-AlInAs-n+-InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的pin结VCSEL小,室温下其电致发光谱波长为1.29μm.
- 刘成吴惠桢劳燕锋黄占超曹萌
- 关键词：隧道结垂直腔面发射激光器光电特性
- Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜材料的微结构和光学特性
- 2007年
- 采用分子束外延的方法在BaF_2衬底(111)上制备出了高质量的Pb_(1-x)Sr_xSe(0≤x≤0.050)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜为立方相NaCl型晶体结构,没有观察到SrSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.薄膜晶格常数随Sr含量的增加逐渐增大,Sr含量由Vegard公式得到.再用理论模拟Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜透射光谱的方法得到了相应的带隙.最后通过介电函数模型拟合得到了PbSe和Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜在光子能量位于基本带隙附近的折射率n和吸收系数α.
- 王擎雷吴惠桢斯剑霄徐天宁夏明龙谢正生劳燕锋
- 关键词：透射光谱折射率
- 1.3μm垂直腔面发射激光器中的电流限制孔径工艺研究
- 实验上研究了通过选择性湿法腐蚀方法制作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电流限制孔径。对InP、InAlAs两种材料的侧向腐蚀试验表明,InAlAs的均匀性要优于InP,且考虑到长时间腐蚀中可能出现的塌陷问题,...
- 曹春芳劳燕锋吴惠桢曹萌刘成谢正生
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- 文献传递
- 一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法
- 劳燕锋吴惠桢封松林齐鸣
- 曾被用于Si基材料的直接键合技术近年来在Ⅲ-Ⅴ族材料的组装中得到了广泛应用。与传统外延技术如MBE、MOCVD相比，直接键合过程不会在外延层中额外地引入线位错，这是使该技术在组合不同材料结构中得以应用的重要原因；然而直接...
- 关键词：
- 关键词：无损检测磷化铟砷化镓直接键合
- 磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法
- 本发明涉及一种InP和GaAs的直接键合方法，包括表面清洁、叠片和高温退火三个工艺过程，其特征在于直接键合的工艺是在键合前InP和GaAs表面两次去氧化物层，然后不经高纯氮吹干而直接放入还原性氮水中浸泡，浸泡后直接放入防...
- 吴惠桢劳燕锋郝幼生
- 文献传递
- 低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用被引量：1
- 2007年
- 研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中．利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率．实验结果表明,InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200℃低温下金属键合到Si衬底上,键合强度高,键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求．对键合样品光学特性的分析表明,低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质,这对VCSEL器件结构的制作是有利的．这种低温金属键合技术,有望应用在许多半导体光电器件的制作中．
- 谢正生吴惠桢劳燕锋刘成曹萌
- 关键词：垂直腔面发射激光器反射谱
