曹萌
- 作品数：31 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响被引量：3
- 2008年
- 采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结果显示随着电流限制孔径的缩小,器件的电阻呈线性增大;电流限制孔径的形成显著增强1.3μm面发射器件结构的电致发光强度,孔径为15μm的样品是没有限制孔径样品的4倍(注入电流3mA),并就电流限制孔对EL器件结构电致发光的影响进行了物理解释.
- 刘成曹春芳劳燕锋曹萌吴惠桢
- 关键词：离子注入
- 直接键合微腔结构的光谱特性
- 2006年
- 采用直接键合方法制备了法布里-珀罗共振微腔结构,并用传输矩阵方法对其反射光谱进行了理论模拟.通过构造键合界面两侧多层薄膜材料的光学厚度呈现指数规律变化的模型,分析了键合效应对微腔结构光学特性的影响.结果表明:在较低退火温度下(如580℃)进行直接键合有利于高光学性能微腔结构的制备,而提高退火温度则需要在键合结构中加入缺陷阻挡层以提高键合质量.
- 劳燕锋吴惠桢黄占超刘成曹萌
- 关键词：晶片直接键合反射光谱
- 干法刻蚀和离子注入影响Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱发光特性研究
- 干法刻蚀和离子注入是半导体光电器件制作过程中广泛使用的基本工艺过程。虽然干法刻蚀和离子注入工艺都有各自的优点，但他们也都可能给半导体材料及器件带来电学和光学上的损伤。如何在完成器件工艺的同时避免或最大限度地减小材料及器件...
- 曹萌
- 关键词：干法刻蚀离子注入气态源分子束外延半导体光电器件
- 文献传递
- 干法刻蚀和离子注入影响III-V族半导体量子阱发光特性研究
- 曹萌
- 关键词：干法刻蚀离子注入气态源分子束外延
- 长波长垂直腔面发射激光器研究被引量：1
- 2007年
- 垂直腔面发射激光器(简称VCSEL)近年来受到了国内外科技界和企业界的高度关注,它在光通信领域具有潜在的应用.文章主要介绍了长波长垂直腔面发射激光器的发展历史、基本应用、器件结构、材料和制备工艺,最后分析了研制长波长VCSEL所遇到的问题及相应解决方法,并进行了展望.
- 谢正生吴惠桢劳燕锋刘成曹萌曹春芳
- 关键词：有源层隧道结
- 一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法
- 本发明提供一种提高III－V族应变多量子阱发光强度的方法，其特征是通过离子刻蚀方法增强III－V族发光材料的发光亮度。离子刻蚀覆盖层采用感应耦合等离子体(ICP)或反应离子(RIE)等刻蚀技术。刻蚀所采用的气体为Ar离子...
- 吴惠桢曹萌劳燕锋黄占超刘成谢正生
- 文献传递
- 氢离子注入法提高InAsP/InP应变多量子阱发光特性(英文)
- 2008年
- 采用气态源分子束外延系统生长了InAsP/InP应变多量子阱,研究了H+注入对量子阱光致发光谱的影响以及高温快速退火对离子注入后的量子阱发光谱的影响。发现采用较低H+注入能量(剂量)时,量子阱发光强度得到增强;随着H+注入能量(剂量)的增大,量子阱发光强度随之减小。H+注入过程中,部分隧穿H+会湮灭掉量子阱结构界面缺陷,同时H+也会对量子阱结构带来损伤,两者的竞争影响量子阱发光强度的变化。高温快速退火处理后,离子注入后的量子阱样品发光峰位在低温10K相对于未注入样品发生蓝移,蓝移量随着H+注入能量或剂量的增大而增加。退火过程中缺陷扩散以及缺陷扩散导致的阱层和垒层之间不同元素互混是量子阱发光峰位蓝移的原因。
- 曹萌吴惠桢劳燕峰曹春芳刘成
- 关键词：离子注入光致发光
- 掩埋隧道结在长波长VCSEL结构中的应用被引量：3
- 2006年
- 采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p+-AlIn-As-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-AlInAs-n+-InP隧道结性能优于p+-InP-n+-InP隧道结.在InP(100)衬底上生长了包含p+-AlInAs-n+-InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的pin结VCSEL小,室温下其电致发光谱波长为1.29μm.
- 刘成吴惠桢劳燕锋黄占超曹萌
- 关键词：隧道结垂直腔面发射激光器光电特性
- 1.3μm垂直腔面发射激光器中的电流限制孔径工艺研究
- 实验上研究了通过选择性湿法腐蚀方法制作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电流限制孔径。对InP、InAlAs两种材料的侧向腐蚀试验表明,InAlAs的均匀性要优于InP,且考虑到长时间腐蚀中可能出现的塌陷问题,...
- 曹春芳劳燕锋吴惠桢曹萌刘成谢正生
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- 文献传递
- 干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究被引量：2
- 2007年
- 采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同时使其内部微结构发生变化.采用湿法腐蚀方法去除表面变粗糙对量子阱发光特性的影响,得到干法刻蚀覆盖层20nm后应变单量子阱微结构变化和其表面粗糙度变化两个因素分别使荧光强度提高1.8倍和1.2倍的结果.
- 曹萌吴惠桢刘成劳燕锋黄占超谢正生张军江山
- 关键词：干法刻蚀应变多量子阱光致发光谱
