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卢武星

作品数：14 被引量：7H指数：2
供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 8篇离子注入
  • 3篇高能
  • 3篇硅
  • 2篇退火
  • 2篇半导体
  • 2篇SI
  • 2篇MEV
  • 1篇电阻
  • 1篇液相外延
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇射程
  • 1篇锑化铟
  • 1篇退火温度
  • 1篇铅离子
  • 1篇强流
  • 1篇重离子
  • 1篇位错
  • 1篇离子
  • 1篇离子束

机构

  • 10篇北京师范大学
  • 2篇北京有色金属...
  • 1篇扬州师范学院

作者

  • 10篇卢武星
  • 5篇田人和
  • 3篇顾永俶
  • 2篇张荟星
  • 1篇刘尚合
  • 1篇贺凯芬
  • 1篇高愈尊
  • 1篇刘洁

传媒

  • 6篇北京师范大学...
  • 2篇物理学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 3篇1992
  • 1篇1982
  • 1篇1979
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MeV　Pb离子在非晶Si中的射程离散──离子束混合和增强扩散的影响
1994年
１．０ＭｅＶ２０８Ｐｂ离子在非晶Ｓｉ中的投影射程ＲＰ和射程偏差ΔＲＰ作为注量和温度二者的函数用背散射法进行测定．注量的变化范围为５×１０１３～７×１０１４ｃｍ－２．注入是在室温和ｔ＝－１２０℃下完成的．由由实验所确定的投影射程，射程偏差与注量或温度无关，并且分别等于２９５和７２．２ｎｍ．与ＴＲＩＭ８６的计算结果相比较，发现ＲＰ的偏离为１８％，而ΔＲＰ的偏离为３６％．ＲＰ和ΔＲＰ二者与注量及温度的无关性，排除了所观察到的与ＴＲＩＭ的矛盾是由于注入期间辐射增强扩散或离子束混合效应而引起的解释。
卢武星
关键词：离子束混合非晶硅铅离子
强束流离子注入形成SOI结构时的温升效应的计算被引量：1
1993年
本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10^(15)/cm^2·s时,对于一般的散热系统来说(传热系数H≈2×10^(-2)W/cm^2K),温升效应将是严重的。恒流、脉冲、扫描三种注入方式比较起来,以扫描注入的温升和温度波动为最严重,恒流注入为最低。目前,在低束流情况下,大多采用热靶(400—700℃)来制造 SIMOX或SIMNI材料,本文的计算结果指出,当剂量率超过8×10^(14)/cm^2·s时,晶片温度将超过1000K(H取2×10^(-2)W/cm^2K),这时将没有必要再用热靶,用室温靶就能满足温度要求。本文给出的理论计算方法对其它材料(如金属、陶瓷等)仍可应用。
田人和顾永俶卢武星张荟星
关键词：离子注入SOI结构
后注Ar^+对高能注P^+硅中二次缺陷的影响
1992年
用剖面的电子显微术(XTEM)研究了后注Ar^+对高能注P^+硅中二次缺陷的影响。结果表明,后注Ar^+像后注Si^+一样能够减少高能注P^+硅中的二次缺陷。但这种效果与退火过程密切相关,退火应该在后注Ar^+之后,而不是在其之前。实验还发现,在适当退火条件下,后注Ar^+产生的新二次缺陷比后注Si^+产生的要少一些。物理机制分析认为,后注Ar^+减少二次缺陷的物理机制与后注Si^+的是相似的。
田人和卢武星顾永俶高愈遵
关键词：离子注入硅
高能重离子注入Si中缺陷的抑制被引量：1
1995年
以文献[10]中作者系统研究离子注入Si中缺陷形成判据为基础,研究多种高能重离子的注入和退火行为,提出一种简便和有效抑制二次缺陷形成的新方法.
卢武星R.J.SCHREUTLKAMPJ.R.LIEFTINGF.W.SARIS
关键词：离子注入硅高能重离子
硅中砷离子注入的研究
1979年
离子注入作为一种新技术和新兴的边缘学科,在半导体器件生产和大规模集成电路以及超大规模集成电路的研制中得到了普遍的应用。据报导,离子注入已经以五十多种不同的方式出色地使用于半导体器件的研制。在高浓度、浅结的 n 型层制备中,引人注目的是砷离子注入工艺。这是由于 As 在 Si 中固溶度较高,扩散系数小。
刘尚合卢武星
关键词：离子注入载流子浓度退火温度薄层电阻固溶度晶向
离子束缺陷工程与离子注入激活率的提高
1997年
研究了运用离子束缺陷工程提高离子注入Si中掺杂激活率的新方法．MeV高能Si注入被有效地用于防止缺陷（损伤）层对P激活的有害影响，大大提高了掺杂杂质的平均激活水平．
卢武星刘洁J.R.Liefting
关键词：掺杂离子注入
InSb中离子注入二次缺陷研究
1992年
本文用平面的透射电子显微术(TEM)、剖面的透射电子显微术(XTEM)以及卢瑟福背散射和沟道谱(RBS),研究InSb中离于注入Zn^+,Mg^+,Be^+产生的二次缺陷。以及它们的退火特性。结果表明,轻离子Be^+注入产生的二次缺陷比重离子Zn^+注入产生的要少得多,而Mg^+离子介于Be^+离子和Zn^+离子之间,在中等剂量下(1×10^(13)cm^(-2)附近),注入损伤并不严重,而且容易恢复。从360℃到440℃之间作了退火温度的研究。从研究结果发现,退火温度以360℃为佳。离子注入InSb中的二次缺陷的形貌与Si中的不同,InSb中的二次缺陷以位错网为主,位错环所占比例不大且尺寸较小,而沉淀物和层错四面体也出现在其中。
田人和卢武星李竹怀高愈尊
关键词：锑化铟半导体位错离子注入退火
强流离子束辐照加热过程的数值计算
1992年
考虑瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了强流恒定离子束辐照过程的温度效应.由温升曲线的计算可知,对中等以上的注量率(>10^(13)cm^(-2)s^(-1))来说,快速注入过程都将是非稳态的,由此可知对强流离子束辐照过程进行瞬态热传导分析是必要的.若注量固定,晶片表面温度与离子能量的关系在低能部分(<100keV)很平缓,在高能部分很陡峭,在大注量注入情况下,降低靶座温度以抑制晶片表面温升是可行的方法之一.
田人和顾永俶贺凯芬卢武星张荟星
关键词：离子注入离子束辐照
脉冲激光退火中分凝效应对杂质分布影响的理论分析
1982年
一、引言激光退火是近几年发展起来的新技术.它不但能使离子注入时形成的无定型半导体表面层恢复为单晶,而且可使汽相淀积或溅射在单晶衬底上的非晶或多晶薄层转变为单晶.山于激光退火工艺简单.得到的晶体完整性好,杂质的激活率高,因此它越来越受到广泛重视.
田人和卢武星张官南
关键词：激光退火表面层液相外延
MeV高能离子注入Si中二次缺陷控制
1995年
提出了几种用于解决离子注入Si中二次缺陷控制的有效新途径,阐明了这些过程的物理机制,并通过实例对这些新方法的重要应用价值做了简单讨论。
卢武星
关键词：高能离子注入硅半导体
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