田人和
- 作品数：14 被引量：9H指数：2
- 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术核科学技术更多>>
- 相对论性带电粒子束在轴对称电场和磁场中的温度和能量展宽
- 1993年
- 从单粒子的相对论性运动方程出发,首先解出运动常数,然后用这些运动常数构成符合Vlasov方程的束粒子分布函数,再由该分布函数算出轴对称电场和磁场中相对论性带电粒子束的束温度和能量展宽,并且对弱相对论性情况和强相对论性情况作了讨论。
- 田人和
- 关键词：带电粒子相对论性效应温度
- 自离子辐照对兆伏注P^+硅中二次缺陷的影响被引量：3
- 1998年
- 用平面透射电子显微术和剖面透射电子显微术以及卢瑟福背散射沟道谱技术研究了兆伏注Ｐ＋硅中的二次缺陷以及自离子辐照对它们的影响．实验结果表明，二次缺陷峰的深度稍大于平均投影射程．实验还发现，用适当能量和剂量的自离子在退火之前辐照兆伏注Ｐ＋硅样品，可以抑制二次缺陷的生成，但如果在退火之后辐照，则会得到相反效果．对此现象的物理原因进行了讨论．另外，还给出了Ｓｉ＋，Ｐ＋在硅中形成二次缺陷带的临界剂量。
- 田人和张孝吉吴瑜光张荟星
- 关键词：硅高能离子注入磷
- 激光场中氢原子准能级的数值计算(英文)
- 1997年
- 讨论了外激光场中氢原子修饰势的奇点．为了解Schrodinger方程，提出了一种新的迭代方法．对于圆偏振情况，引进了一种旋转坐标，从而消去了哈密顿量中的时间变量，因此Schrodinger方程变成定态形式．对激光场中氢原子修饰态的准能级进行了数值计算．基态和低激发态的准能级随外激光场参量αc的变化比较显著，而高激发态的准能级则变化很慢．
- 田人和李介平顾永俶
- 关键词：激光场氢原子
- FCVAD合成非晶金刚石薄膜研究
- 用磁过滤阴极真空弧沉积(FCVAD)方法在Si衬底上合成了非晶刚石(ta-C)薄膜，Raman光谱和XPS分析表明衬底加80-100V负偏压时合成的ta-C薄膜SP<'3>键含量最高，可达80℅以上。
- 王广甫田人和吴瑜光张孝吉
- 文献传递
- 阴极真空弧沉积中MEVVA源两种工作状态的比较
- 1999年
- 介绍了阴极真空弧沉积中，弧源在阴极接地和阳极接地2种不同工作状态下的工作特性．发现阳极接地时，因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用，聚焦磁场对孤源放电稳定性的影响不如阴极接地时明显．因此可以加较高的聚焦磁场，从而获得电流较大和较稳定的沉积离子束．
- 王广甫田人和吴瑜光张孝吉张荟星
- 关键词：等离子体源阴极
- 强束流离子注入形成SOI结构时的温升效应的计算被引量：1
- 1993年
- 本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10^(15)/cm^2·s时,对于一般的散热系统来说(传热系数H≈2×10^(-2)W/cm^2K),温升效应将是严重的。恒流、脉冲、扫描三种注入方式比较起来,以扫描注入的温升和温度波动为最严重,恒流注入为最低。目前,在低束流情况下,大多采用热靶(400—700℃)来制造 SIMOX或SIMNI材料,本文的计算结果指出,当剂量率超过8×10^(14)/cm^2·s时,晶片温度将超过1000K(H取2×10^(-2)W/cm^2K),这时将没有必要再用热靶,用室温靶就能满足温度要求。本文给出的理论计算方法对其它材料(如金属、陶瓷等)仍可应用。
- 田人和顾永俶卢武星张荟星
- 关键词：离子注入SOI结构
- MeV高能B^+离子注入Si中二次缺陷的抑制与消除被引量：2
- 1990年
- 本文研究了MeV高能B^+离子注入Si中二次缺陷的退火行为。提出一种新型的双重注入退火方法,抑制或消除了MeV高能B^+离子注入Si样品中的二次缺陷。还对这种二次缺陷的被抑制与被消除的物理机制进行了讨论。
- 卢武星钱亚宏田人和王忠烈
- 关键词：离子注入SI退火
- 金属中强束流离子注入的温升效应
- 1993年
- 根据非线性热传导方程,用有限差分方法计算金属中强束流离子注入的温升效应给出了温升和温度分布曲线,以及样品表面温度与离子能量、剂量率、靶座温度。
- 田人和顾永俶卢武星林文廉张通和张荟星
- 关键词：离子注入碳素钢工具钢
- 强流重离子束在轴对称电场中的温度和能量展宽
- 1992年
- 本文研究带电粒子束在轴对称电场(包含束空间电荷平均场)中的温度和能量展宽,所得结果表明,在漂移区内,此种能量展宽与束电流成正比,与束的宏观流动速度成反比,因此,对于强流重离子束而言,此种能量展宽在总的能量展宽中将起重要的作用,若束能为20keV,束流为20mA,在漂移区中,~1H离子束的能量展宽为26.5eV,而相同条件下的^(121)Sb离子束则为291.5eV,而且随束流增加线性上升,本文对束温度的研究结果表明,在漂移区中,束空间电荷效应使束温度增加。
- 田人和张荟星
- 关键词：电场轴对称离子束
- InSb中离子注入二次缺陷研究
- 1992年
- 本文用平面的透射电子显微术(TEM)、剖面的透射电子显微术(XTEM)以及卢瑟福背散射和沟道谱(RBS),研究InSb中离于注入Zn^+,Mg^+,Be^+产生的二次缺陷。以及它们的退火特性。结果表明,轻离子Be^+注入产生的二次缺陷比重离子Zn^+注入产生的要少得多,而Mg^+离子介于Be^+离子和Zn^+离子之间,在中等剂量下(1×10^(13)cm^(-2)附近),注入损伤并不严重,而且容易恢复。从360℃到440℃之间作了退火温度的研究。从研究结果发现,退火温度以360℃为佳。离子注入InSb中的二次缺陷的形貌与Si中的不同,InSb中的二次缺陷以位错网为主,位错环所占比例不大且尺寸较小,而沉淀物和层错四面体也出现在其中。
- 田人和卢武星李竹怀高愈尊
- 关键词：锑化铟半导体位错离子注入退火
