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徐小波

作品数：12 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 10篇互连
  • 10篇互连线
  • 8篇多晶
  • 8篇刻蚀
  • 8篇刻蚀速率
  • 6篇SIGE
  • 4篇电路
  • 4篇自对准
  • 4篇集成电路
  • 4篇保护区
  • 4篇保护区域
  • 2篇淀积
  • 2篇应变SI
  • 2篇三维集成电路
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇微米
  • 2篇微米级
  • 2篇NMOS
  • 2篇SIN

机构

  • 12篇西安电子科技...

作者

  • 12篇徐小波
  • 10篇舒斌
  • 10篇胡辉勇
  • 10篇戴显英
  • 10篇宋建军
  • 10篇宣荣喜
  • 10篇张鹤鸣
  • 8篇屈江涛
  • 6篇赵丽霞
  • 4篇王冠宇

年份

  • 1篇2011
  • 5篇2010
  • 6篇2009
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于多层辅助结构制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法
本发明公开了一种基于多层辅助结构制备具有多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly-SiGe/SiO<Sub>2</Sub>/Poly-Si多层结构；将最上层的Poly...
张鹤鸣戴显英舒斌宣荣喜胡辉勇宋建军王冠宇徐小波屈江涛
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基于多层辅助结构制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法
本发明公开了一种基于多层辅助结构制备具有多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly－SiGe/SiO<Sub>2</Sub>/Poly－Si多层结构；将最上层的Poly...
张鹤鸣戴显英舒斌宣荣喜胡辉勇宋建军王冠宇徐小波屈江涛
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SOI SiGe HBT性能与结构设计研究
绝缘体上硅(SOI)结构能够降低寄生电容、减小漏电流、提高抗衬底噪声和串扰能力，硅锗异质结晶体管(SiGeHBT)与Si兼容，速度快，成本低。因此将SiGe HBT与SOI技术，特别是薄膜SOI，结合起来，对于高速低功耗...
徐小波
关键词：异质结晶体管绝缘体上硅电学性能频率特性
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一种SiN掩蔽技术制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法
本发明公开了一种SiN掩蔽技术制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly-SiGe/SiN/Poly-Si多层结构；将上层的Poly-Si刻蚀成一个窗口，再淀积一层...
张鹤鸣胡辉勇宣荣喜戴显英舒斌宋建军王冠宇赵丽霞徐小波屈江涛
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基于SiO<Sub>2</Sub>掩蔽技术的多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路制备方法
本发明公开了一种基于SiO<Sub>2</Sub>掩蔽技术的多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路制备方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly-SiGe/SiO<Sub>2</Sub>/Poly-Si多层...
胡辉勇张鹤鸣宣荣喜戴显英舒斌宋建军赵丽霞屈江涛徐小波
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三维量子阱NMOS集成器件及其制作方法
本发明公开了一种三维量子阱NMOS集成器件及其制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是分别采用SSOI和SGOI衬底构建新的三维集成器件的两个有源层。其中，下层有源层采用SSOI衬底...
张鹤鸣胡辉勇宣荣喜戴显英舒斌宋建军徐小波
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三维量子阱NMOS集成器件及其制作方法
本发明公开了一种三维量子阱NMOS集成器件及其制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是分别采用SSOI和SGOI衬底构建新的三维集成器件的两个有源层。其中，下层有源层采用SSOI衬底...
张鹤鸣胡辉勇宣荣喜戴显英舒斌宋建军徐小波
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MEMS传感器弱信号检测电路及集成设计
高精度惯性加速度计能够实现实时位移检测,在当今民用和军用系统如汽车电子、工业控制、消费电子、卫星火箭和导弹等中间具有广泛的需求。在高精度惯性加速度计中,特别需要稳定的低噪声高灵敏度接口电路。事实上,随着传感器性能的不断提...
徐小波
关键词：MEMS电容式加速度计接口电路低噪声放大器
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用微米级工艺制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法
本发明公开了一种用微米级工艺制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly-SiGe/SiN/Poly-Si多层结构；将最上层的Poly-Si刻蚀成一个窗口，再淀积一层...
胡辉勇张鹤鸣舒斌宣荣喜戴显英宋建军赵丽霞屈江涛徐小波
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一种SiN掩蔽技术制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法
本发明公开了一种SiN掩蔽技术制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly－SiGe/SiN/Poly－Si多层结构；将上层的Poly－Si刻蚀成一个窗口，再淀积一层...
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