沈朝忠
- 作品数：7 被引量：12H指数：2
- 供职机构：南京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信化学工程电气工程更多>>
- CaB_2O_4/CBS复相陶瓷的制备及性能被引量：2
- 2007年
- 研究了偏硼酸钙(CaB2O4)与钙硼硅(CBS)玻璃按不同比例制备的CaB2O4/CBS复相陶瓷的相组成、显微结构、介电性能和热膨胀系数等。在200～500℃时,复相陶瓷的热膨胀系数为10×10–6 K–1。当添加w(CBS)为20%,CaB2O4/CBS复相陶瓷经过930℃保温2 h后,试样主要由CaB2O4晶相和少量的β-CaSiO3晶相所构成。微观结构致密,气孔率低,晶粒尺寸为5μm左右。在10 MHz下,εr为7.18,tanδ为1.2×10–4。
- 沈朝忠周洪庆刘敏朱海奎杨春花
- 关键词：无机非金属材料介电性能
- 硼硅酸玻璃对CaO-B_2O_3-SiO_2玻璃陶瓷结构和性能的影响被引量：6
- 2007年
- 采用在CaO-B2O3-SiO2（CBS）玻璃中添加硼硅酸玻璃的方式制备了低温烧结的CBS复相玻璃陶瓷,系统地研究了其对CBS玻璃陶瓷10MHz下的介电常数及热膨胀系数的影响规律。利用DSC,XRD和SEM微观结构分析方法,研究了试样的性能与结构的关系。研究结果表明：硼硅酸玻璃与CBS玻璃具有很好的相容性,硼硅酸玻璃的添加量在0～40%（质量分数,下同）的范围内均可在850℃烧结。硼硅玻璃能有效降低体系的介电常数,实现介电常数在5.6～6.6范围内可调;硼硅玻璃的添加量小于20%时,膨胀系数增加幅度较小,随着硼硅玻璃量的增加,膨胀系数显著增大,其原因是随着硼硅酸玻璃添加量的增加,生成了具有低介电常数、高膨胀系数的-αSiO2。
- 吕安国丘泰周洪庆刘敏杨春花沈朝忠
- 关键词：玻璃陶瓷介电性能
- CaO-B_2O_3-SiO_2玻璃陶瓷系生料带流延工艺研究被引量：2
- 2008年
- 采用正交实验研究固含量、粘结剂和增塑剂对CBS(CaO-B2O3-SiO2)玻璃体系浆料粘度、生坯性能影响。利用STATISTICA6.0分析表明:固含量、PVB和DBP的交互作用分别对浆料粘度和生料带的可揭膜程度影响最大,单因素及其交互作用对生坯密度均无显著影响。固含量50wt%,相对CBS玻璃粉料添加2wt%蓖麻油、7.5wt%PVB、4.5wt%DBP时,制备的浆料粘度为2.1Pa.s,较适合流延,生坯体积密度达到1.6g.cm-3,且生料带较易从流延机上剥离。875℃低温烧结试样,在10GHz微波频率下测试,介电常数为6.56,介电损耗1.57×10-3。
- 韦鹏飞杨春花周洪庆刘敏吕安国朱海奎沈朝忠
- 关键词：流延正交试验
- 电子封装基板的研究进展
- 电子封装技术的飞速发展,电子元件的高功率及日趋小型化,对封装材料的性能提出了更为严格的要求。本文从封装材料的分类的角度,综述了各种封装材料的发展现状,阐述了各种材料性能优缺点,并简单介绍了在这些分类领域中比较前沿的新材料...
- 沈朝忠周洪庆刘敏朱海奎吕安国杨春花王宇光
- 关键词：电子封装
- 文献传递
- 不同形态SiO_2改性钙硅硼系微晶玻璃结构与性能被引量：2
- 2008年
- 分别研究了高硅氧玻璃（96wt%SiO2,非晶态）与二氧化硅（99wt%,石英相）的添加对CaO-SiO2-B2O3（CSB）微晶玻璃微观结构、烧结性能以及介电性能的影响。结果表明：不同形态SiO2的添加均可以有效地降低介电常数,同时高硅氧玻璃的引入增加了试样的介电损耗。添加15wt%SiO2、850℃低温烧结试样,在10MHz下,介电常数为6.01,介电损耗1.2×10^-3,且在5-40MHz频率范围内,介电常数随频率的变化不大。烧结试样的主要晶相为Quartz、CaSiO3和CaB2O4。
- 杨春花周洪庆刘敏吕安国朱海奎沈朝忠
- 关键词：高硅氧玻璃SIO2烧结性能介电性能
- 流延法制备两相玻璃复合基板研究
- 本文针对CaO-SiO-BO(CSB)玻璃与硼硅玻璃混合的无机粉料体系,探讨了流延料浆中的关键组元分散剂、粘结剂(PVB)、R值(塑性剂/粘结剂)对浆料流变性能的影响,研究流延瓷体结构与性能的关系。实验结果表明:对于50...
- 杨春花周洪庆刘敏吕安国沈朝忠
- 关键词：硼硅玻璃流延法流变性能
- 文献传递
- ZrO_2掺杂BSTO/MgO复相铁电陶瓷的研究被引量：3
- 2008年
- 在Ba0.55Sr0.45TiO3(BSTO)与质量分数为55%的MgO混合的基础上,进行ZrO2掺杂的系统研究。结果表明,随着ZrO2掺入量的增加,BSTO/MgO材料的损耗基本保持不变,调谐性显著提高,但过量的ZrO2掺杂使得材料的调谐性降低。当ZrO2掺杂1%(摩尔分数)时,BST/MgO材料的介电常数为117,介电损耗为3.95×10-3(3.2GHz),介电常数调谐性达9.9%(2.0kV/mm)。利用电介质理论分析ZrO2对BST/MgO材料介电性质的改性机理。
- 王宇光刘敏周洪庆陈栋杨春霞沈朝忠
- 关键词：钛酸锶钡ZRO2介电损耗铁电材料
