程伟明
- 作品数：38 被引量：28H指数：3
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种导电丝形成区域可控的拓扑相变忆阻器及其制备方法
- 本发明提出了一种导电丝形成区域可控的拓扑相变忆阻器及其制备方法，本发明涉及半导体信息存储和人工突触器件技术领域，所述拓扑相变忆阻器自下而上包括底电极层、阻变功能层、介质层和顶电极层；施加电压后，所述底电极层与顶电极层之间...
- 程伟明苏睿张润青缪向水
- SmCo<Sub>5</Sub>垂直磁化膜的双层结构底层材料及其制备方法
- 本发明公开了一种SmCo<Sub>5</Sub>垂直磁化膜的双层结构底层材料，它包括依次设置在衬底上的Ti<Sub>3</Sub>W<Sub>7</Sub>层和Cu层，Ti<Sub>3</Sub>W<Sub>7</Sub...
- 缪向水程伟明刘文武戴亦凡王霄程晓敏
- 文献传递
- NdTbCo/Cr非晶垂直磁化膜的制备及性能被引量：3
- 2006年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了NdTbCo/Cr非晶垂直磁化膜。探讨了溅射功率与溅射时间对薄膜磁性能的影响,发现当溅射功率为250 W,溅射时间为4 min时,垂直膜面方向矫顽力为272.8 kA.m-1,剩磁矩形比达到0.801,可以较好地满足高密度垂直磁记录的要求。研究了Nd掺杂对薄膜磁性能与磁光性能的影响,发现随着Nd掺杂量的增多,薄膜的矫顽力从413.8下降为210.9 kA.m-1,饱和磁化强度与克尔旋转角则分别从144 kA.m-1和0.2720°上升为252 kA.m-1和0.3258°。温度对NdTbCo/Cr薄膜克尔旋转角的影响也与Nd的掺杂量密切相关。
- 程伟明李佐宜杨晓非林更琪晋芳孙翔
- 关键词：射频磁控溅射矫顽力饱和磁化强度
- 单轴磁晶各向异性薄膜转矩曲线分析
- 2008年
- 根据单轴磁晶各向异性常数的测量原理,在有限外磁场作用下和各向异性常数的取向不在法线上的原因,从理论上分析计算模型的误差,讨论校正转矩曲线的方法,并选择TbFeCo薄膜作为测量对象,应用该方法校正其转矩曲线。结果表明,这种校正方法可以减小单轴磁晶各向异性常数的计算误差。
- 李震鄢俊兵程伟明王鲜然
- 关键词：FFT
- NiFe纳米线磁化反转机制的微磁模拟
- 2008年
- 通过微磁模拟手段研究了不同形状参量的坡莫合金纳米线的反磁化机制。研究结果表明:不同颗粒尺寸时,磁化反转过程中不同阶段磁体的磁矩分布情况不一样,但整个磁化反转过程为多畴反转的过程。同时,矫顽力随着纳米线长径比的增大而减小,相同长径比下,颗粒直径大的纳米线矫顽力大,这主要与磁化反转机理有关。在磁化反转中,形状各向异性占有绝对的主导地位。
- 董凯锋杨晓非鄢俊兵晋芳程伟明程晓敏
- 关键词：矫顽力
- 不同退火时间对[Ag／FePt]10多层膜磁性能和微结构的影响被引量：4
- 2009年
- 采用射频磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了不同Ag层厚度的[Ag/FePt 2nm]10多层薄膜,经550℃真空热处理后,得到L10有序结构的FePt薄膜。实验结果显示,FePt单层薄膜经550℃退火30min后其易磁化轴处于垂直方向和面内方向之间,而550℃退火60min后其易磁化轴处于垂直于膜面方向,垂直矫顽力和面内矫顽力分别为634和302kA/m;真空退火后[Ag/FePt]10多层膜表现为面内磁晶各向异性,550℃退火60min后[Ag 2.8nm/FePt 2nm]10多层薄膜垂直矫顽力和面内矫顽力分别为309和778kA/m,并且随着Ag层的加入,部分FePt颗粒已经被Ag原子隔开了,颗粒之间的交换耦合作用变弱了。
- 董凯锋程晓敏鄢俊兵程伟明缪向水许小红王芳杨晓非
- 关键词：矫顽力退火时间
- 磁记录介质晶粒磁相互作用参数ΔM及其测量方法被引量：2
- 2008年
- 对于磁记录介质,记录噪声与晶粒间磁相互作用相关。ΔM是表征磁记录介质晶粒间磁相互作用的重要参数。首先介绍了它的理论依据和意义,接着阐述了通过振动样品磁强计测量样品的等温剩磁(IRM)和直流退磁剩磁(DCD)曲线,经过对测量数据的处理和计算获得ΔM曲线的方法和步骤,讨论了影响ΔM测量的相关问题。最后应用该方法测量了两种TbFeCo薄膜样品的ΔM曲线,定性比较分析了薄膜晶粒间磁相互作用的大小和类型。
- 李震鄢俊兵程伟明
- 关键词：磁记录介质
- Al掺杂对SmCo5/Cu薄膜磁性能的影响
- SmCo薄膜具有极高的单轴磁晶各向异性,能有效克服当前垂直磁记录介质所面临的超顺磁效应问题,是未来超高密度磁记录介质的候选材料。对SmCo的Co位掺杂非磁性元素可以有效降低晶粒尺寸、隔离晶粒从而降低SmCo晶粒间的交换作...
- 程伟明戴亦凡薛兴昊惠亚娟缪向水
- 关键词：AL掺杂矫顽力
- 文献传递
- 具有多值特性的SrFeO<Sub>x</Sub>阻变存储器、其制备和应用
- 本发明属于半导体信息存储技术领域，更具体地，涉及具有多值特性的SrFeO<Sub>x</Sub>阻变存储器、其制备和应用。该阻变存储器自下而上依次包括衬底、下电极、第一电阻变化层、第二电阻变化层和顶电极，第一电阻变化层和...
- 程伟明苏睿陈家宝缪向水
- 文献传递
- Cr底层对DyCo薄膜磁性能与结构影响研究
- 2007年
- 采用磁控溅射法制备了DyCo/Cr非晶垂直磁化膜。振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,有无Cr底层的DyCo薄膜都具有垂直磁各向异性,加入Cr底层能将DyCo薄膜的矫顽力从163kA/m提高到290kA/m。薄膜断面扫描电镜(SEM)照片可以看出,Cr底层能够诱导上层的DyCo薄膜形成柱状结构。这一柱状结构导致了薄膜矫顽力的提高。
- 晋芳李佐宜程伟明鄢俊兵林更琪谢长生
- 关键词：矫顽力
