您的位置: 专家智库 > >

蒋春丽

作品数:59 被引量:85H指数:5
供职机构:中国工程物理研究院更多>>
发文基金:中国工程物理研究院基金国家磁约束核聚变能发展研究专项表面物理与化学国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术理学核科学技术更多>>

文献类型

  • 34篇期刊文章
  • 15篇专利
  • 9篇会议论文

领域

  • 24篇金属学及工艺
  • 18篇一般工业技术
  • 11篇理学
  • 8篇核科学技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 19篇合金
  • 11篇
  • 7篇能谱
  • 7篇俄歇电子
  • 7篇俄歇电子能谱
  • 7篇AES
  • 6篇金属
  • 6篇溅射
  • 5篇金属铀
  • 5篇光学
  • 5篇钒合金
  • 4篇三元合金
  • 4篇退火
  • 3篇铀铌合金
  • 3篇真空
  • 3篇氢气
  • 3篇铌合金
  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 3篇磷化铟

机构

  • 44篇中国工程物理...
  • 22篇表面物理与化...
  • 2篇北京科技大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇西华大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇合肥工业大学
  • 1篇西南科技大学
  • 1篇中山大学

作者

  • 58篇蒋春丽
  • 12篇赖新春
  • 11篇肖红
  • 9篇陆雷
  • 9篇白彬
  • 9篇罗丽珠
  • 8篇陈长安
  • 8篇杨江荣
  • 5篇叶小球
  • 5篇张永彬
  • 5篇林波
  • 5篇周萍
  • 5篇钱晓静
  • 4篇邹觉生
  • 4篇杨锁龙
  • 4篇罗德礼
  • 4篇彭丽霞
  • 4篇张鹏程
  • 4篇郎定木
  • 4篇鲜晓斌

传媒

  • 13篇稀有金属材料...
  • 3篇核化学与放射...
  • 2篇原子能科学技...
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇腐蚀与防护
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇金属学报
  • 1篇材料保护
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇核科学与工程
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇中国钨业
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇兰州理工大学...
  • 1篇材料导报(纳...
  • 1篇粉末冶金材料...
  • 1篇第四届全国腐...
  • 1篇中国工程院化...

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 4篇2019
  • 4篇2018
  • 5篇2017
  • 5篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2010
  • 4篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2005
  • 3篇2004
  • 2篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇2001
59 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
B<Sub>4</Sub>C‑Al基复合材料表面阳极氧化膜的制备方法及其制备的氧化膜
本发明公开了一种B<Sub>4</Sub>C‑Al基复合材料表面阳极氧化膜的制备方法及其制备的氧化膜,目的在于解决目前现有的B<Sub>4</Sub>C‑Al基复合材料用作压水堆贮存格架材料耐腐蚀性能不足的问题。该氧化膜...
陈志磊张鹏程白彬庞晓轩王小英张永彬蒋春丽王勤国王伟秦建伟
文献传递
真空热处理对钨中氘滞留行为的影响研究
2022年
磁约束聚变装置真空室第一壁的烘烤处理温度一般不超过773 K,钨作为第一壁和偏滤器的重要候选材料,其氢同位素的热脱附温度常常高达800 K及以上。本研究通过气相热扩散方式向钨中引入氘,利用热脱附谱法(TDS)研究了真空热处理保温温度和时间对钨中氘脱附行为的影响。结果显示:对于未经真空热处理的钨,D_(2)的脱附峰对应温度为902 K,HD脱附峰为934 K;HD在1273 K以后仍存在热脱附峰。在经过了373~563 K真空热处理2 h后,钨中氘没有明显释放,但随热处理温度升高,D_(2)与HD峰位有向低温移动趋势;当热处理时间为3 h时,D_(2)与HD峰位向低温方向移动程度更大,且热处理温度提高至673 K时,在保温阶段即有大量氘释放,HD的第二个峰在1000 K以下即释放完毕。研究结果对于磁约束聚变装置真空室第一壁烘烤工艺的优化具有重要的参考意义。
李建伟王一帆蒋春丽刘徐徐陈长安吴吉良朱吉鹏叶小球
关键词:真空热处理
CO钝化对金属铀在大气环境中氧化行为的影响
研究了金属铀表面在30℃、1MPa的CO气氛中钝化处理3天后在大气中的氧化行为,并用AES原位研究了清洁铀表面与CO的相互作用以及O2对钝化表面的影响.实验结果表明:金属铀表面经CO钝化处理后,其在室温大气环境中的抗腐蚀...
杨江荣汪小琳陆雷蒋春丽肖红
关键词:金属铀抗腐蚀
文献传递
Au、U薄膜的PLD沉积技术研究
采用脉冲激光溅射沉积的方法,在Si表面沉积了金和贫铀薄膜.通过SEM和白光干涉分析结果表明,PLD沉积法能够制备出粗糙度小于1 nm、表面光滑、致密、厚度一致性较好的Au、U薄膜.PLD的关键在于减少薄膜表面液滴,这可通...
周萍吕学超张永彬赖新春郎定木李宗亮蒋春丽
关键词:GOLDURANIUM
文献传递
UO_2薄膜制备和光学常数及厚度测定被引量:2
2010年
利用磁控溅射法制备了UO2薄膜,通过扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪及X射线衍射仪,对薄膜进行了分析和表征。利用反射光谱法测得了薄膜在400~1200nm波长范围内的反射率。通过对反射图谱进行数据拟合,得出UO2薄膜在450~950nm波长范围内的折射率为2.1~2.65,消光系数约0.51,厚度为637nm。
陈秋云赖新春白彬张桂凯罗丽珠蒋春丽
关键词:UO2反射光谱厚度光学常数
标准盐雾环境下铀钛合金的腐蚀行为研究
2017年
采用激光共聚焦显微镜(LSCM)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)技术研究了标准盐雾环境下铀钛合金表面腐蚀行为。结果表明,在标准盐雾条件下,铀钛合金表面发生不均匀腐蚀,腐蚀程度主要受附着的液膜厚度和暴露时间影响。铀钛合金早期以点蚀为主,液膜越厚腐蚀越严重。随着暴露时间的延长,腐蚀加剧,形成局域性的腐蚀,并出现腐蚀产物的开裂。对铀钛合金2种典型腐蚀区域U 4f谱的深度剖析表明,黑色区域的物质组成结构为U_3O_8/UO_(2+x)/UO_2/U,而黄色区域的物质组成结构为UO_(2+x)/UO_2/U。
蔡定洲飞跃张焕林罗丽珠蒋春丽桑革
关键词:点蚀
铀铌合金真空热氧化膜的俄歇电子能谱研究被引量:2
2004年
用俄歇电子能谱(AES)研究了高真空下,环境温度对铀铌合金真空氧化膜的影响。当温度高于603K时,氧化膜表面结构发生明显改变,表面主要由铀碳化合物、金属态的U和Nb组成。利用Ar+溅射铀铌合金真空热氧化膜进行深度分布分析,发现在热氧化膜的表面氧含量很小,而在热氧化膜的内部有氧增多的现象。
陆雷白彬邹觉生杨江荣肖红蒋春丽
关键词:真空热处理俄歇电子能谱
氘在钨铜复合材料中的渗透和滞留行为研究
2021年
对钨铜复合材料中的氢同位素渗透和滞留行为进行了研究,通过采用气体驱动渗透和热脱附谱测试获得了氘在钨及钨铜复合材料中的渗透率、扩散系数、溶解度及相关活化能数据,并对氘在钨铜复合材料中的渗透和滞留性能进行了分析。结果表明:1)氘在钨铜复合材料中的渗透率比在纯钨中大2~3个数量级;2)在钨铜复合材料中的扩散系数比在纯钨中大5~6个数量级;3)随着复合材料中铜的含量增加,氘的渗透率与扩散系数均呈现增大趋势;4)钨铜复合材料之间的相界面具有氘快扩散通道作用。氘在钨铜复合材料中的溶解度比起纯钨小很多,溶解激活能也更大,说明铜对氘在钨中的固溶可能具有减弱的作用,这与氘在钨铜复合材料中快速扩散的结论一致。在气相热充实验中,因为快速降温使钨铜复合材料中捕获的氘来不及释放,所以钨铜复合材料中氘的表观滞留量比纯钨高约1个数量级。
严俊叶小球蒋春丽李强饶咏初吴吉良王雪峰陈长安谌晓洪
关键词:钨铜复合材料
一种硫酸刻蚀增强金属镍表面疏水性能的方法
本发明公开了一种硫酸刻蚀增强金属镍表面疏水性能的方法,包括:(1)采用超声清洗方式对金属镍表面进行清洗,将金属镍片表面的油污及吸附的杂质去除;(2)配置浓度为10~20wt%硫酸溶液,并将金属镍片置于硫酸溶液中,然后于3...
钱晓静罗德礼林波陈长安罗军洪蒋春丽
一种氢气传感器及其制备方法、检测氢气浓度的方法
本发明属于传感器技术领域,具体涉及一种氢气传感器及其制备方法、检测氢气浓度的方法。本发明提供了一种氢气传感器,包括层叠的衬底、敏感单元和保护膜层;所述敏感单元为钯金合金的纳米阵列;所述钯金合金中金的摩尔百分含量为30~4...
马邦俊陈长安郭亚昆蒋春丽
共6页<123456>
聚类工具0