蔡婧
- 作品数：6 被引量：4H指数：2
- 供职机构：南京大学化学化工学院介观化学教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划苏州市科技发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 相平衡主导气-液-固生长机理动力学及其普适性研究
- 纳米材料的可控制备是纳米材料科学研究的基础和核心，深刻理解纳米材料的生长机理，有助于合理和理性的设计和可控合成纳米材料。气-液-固(VLS)生长模型最初是由Wagner等在1964年解释Si晶须的生长时提出的，后来被广泛...
- 蔡婧
- 关键词：纳米材料
- 一维纳米材料的相平衡主导VLS生长机理及其生长动力学研究
- 一维纳米材料由于其结构新颖、性能优异和前景广阔，受到人们的高度重视，其相关研究已成为充满竞争、挑战和机遇的前沿领域，其中，纳米材料的可控制备是关键，这有赖于对其生长机理的揭示和深刻理解。VLS生长机理被广泛用于指导一维纳...
- 蔡婧
- 关键词：一维纳米材料相平衡生长动力学
- n-型有机半导体插入层提高p-型并五苯薄膜晶体管性能(英文)被引量：2
- 2014年
- 在金电极和p-型并五苯有源层之间插入n-型有机半导体层显著提高了并五苯薄膜场效应晶体管的性能。在插入2nm厚的N,N-bis（2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctyl）-1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylicdiimide（NTCDI-C8F）和N,N′-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide（PTCDI-C8）层后,器件的阈值电压由-19.4V显著降低到-1.8和-8.7V、迁移率提高了约2倍、电流开关比保持在10^5~10^6。这为通过简单地在电极和有机半导体有源层之间引入其他有机半导体薄层的方法来构建具有低阈值电压和高迁移率特征的有机薄膜场效应晶体管器件提供思路。
- 李谊刘琪蔡婧王喜章胡征
- 关键词：有机薄膜晶体管阈值电压迁移率
- 基于六元环生长机理高产制备碳纳米管(英文)
- 2011年
- 基于六元环生长机理,以苯为前驱物高产率地制备了多壁碳纳米管。通过调变及优化催化剂的组成和用量、苯通量、生长温度等参量,碳纳米管的最高产率可达859wt%。高分辨透射电子显微镜、扫描电子显微镜、热重-差热分析仪、X射线衍射等分析结果表明,本方法制得的碳纳米管产物的直径约20 nm,纯度高,具有良好的石墨化程度。
- 薛华杨立军蔡婧王秧年吴强王喜章
- 关键词：化学气相沉积碳纳米管
- 氮化铝纳米锥的低温生长与场发射性能(英文)被引量：2
- 2014年
- 考察了在600℃以下通过反应AlCl3＋NH3→AlN＋3HCl制备AlN纳米锥的规律，结果表明在500℃时仍可获得AlN纳米锥，当温度为480℃时则无氮化物生成。场发射测试显示在500～600℃温区内制得的AIN纳米锥的开启电场处于14．2～20V·μm^-1范围，且随制备温度升高而减小。结果表明AlN纳米锥可在低温条件下获得，且具有较好的场发射性能。
- 裴笑竹赖宏伟张永亮蔡婧吴强王喜章
- 关键词：氮化铝化学气相沉积场发射
- 相平衡主导的气-液-固(VLS)机理
- 王喜章吴强蔡婧张永亮何承雨胡征
