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刘琪

作品数:1 被引量:2H指数:1
供职机构:南京大学(苏州)高新技术研究院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划苏州市科技发展计划更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇有机半导体
  • 1篇有机薄膜晶体...
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇阈值电压
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体管
  • 1篇晶体管性能
  • 1篇半导体
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇P-

机构

  • 1篇南京大学
  • 1篇南京大学(苏...

作者

  • 1篇蔡婧
  • 1篇王喜章
  • 1篇胡征
  • 1篇李谊
  • 1篇刘琪

传媒

  • 1篇无机化学学报

年份

  • 1篇2014
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
n-型有机半导体插入层提高p-型并五苯薄膜晶体管性能(英文)被引量:2
2014年
在金电极和p-型并五苯有源层之间插入n-型有机半导体层显著提高了并五苯薄膜场效应晶体管的性能。在插入2nm厚的N,N-bis(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctyl)-1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylicdiimide(NTCDI-C8F)和N,N′-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide(PTCDI-C8)层后,器件的阈值电压由-19.4V显著降低到-1.8和-8.7V、迁移率提高了约2倍、电流开关比保持在10^5~10^6。这为通过简单地在电极和有机半导体有源层之间引入其他有机半导体薄层的方法来构建具有低阈值电压和高迁移率特征的有机薄膜场效应晶体管器件提供思路。
李谊刘琪蔡婧王喜章胡征
关键词:有机薄膜晶体管阈值电压迁移率
共1页<1>
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