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岳国珍

作品数：6 被引量：25H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇氧化硅
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇发光
  • 2篇氢化
  • 1篇氮化镓
  • 1篇退火
  • 1篇微结构
  • 1篇纳米硅
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇晶态
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机模拟
  • 1篇计算机模拟研...
  • 1篇光电
  • 1篇归一化
  • 1篇归一化方法
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶硅

机构

  • 6篇中国科学院
  • 1篇青岛化工学院

作者

  • 6篇岳国珍
  • 3篇何杰
  • 3篇程文超
  • 3篇马智训
  • 3篇孔光临
  • 3篇王永谦
  • 3篇廖显伯
  • 2篇刁宏伟
  • 1篇于工
  • 1篇汪度
  • 1篇王晓晖
  • 1篇刘祥林
  • 1篇王占国
  • 1篇汪连山
  • 1篇陆大成

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇青岛化工学院...

年份

  • 2篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1996
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
氢化非晶氧化硅薄膜的微结构及光致发光的研究被引量：1
1998年
采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)技术制备了一组氧含量不同的氢化非晶氧化硅 (a SiOx∶H)薄膜 ,室温下在 5 5 0～ 90 0nm的波长范围内观察到了两个强的发光带 :一个是由峰位在 6 70nm( 1 85eV)左右的主峰和峰位在 835nm( 1 46eV)的伴峰组成的包络 ,另一个只能在氮气氛中 1 1 70℃退火后的样品中观测到 ,峰位大约在 85 0nm .通过对红外谱和微区Raman谱的分析 ,认为这两个发光带可能分别与存在于薄膜中的a Si原子团和Si纳米晶粒有关 .
马智训廖显伯程文超岳国珍王永谦何杰孔光临
关键词：光致发光非晶态氧化硅微结构
薄膜生成过程的计算机模拟研究被引量：6
1996年
根据多种制膜方法的共同点建立模型，用微机模拟源物质粒子在靶衬底上沉积成膜的全过程，研究了影响薄膜质量的工艺条件，如沉积速率、衬底温度等因素在微观成膜过程中所表现出来的物理细节及其规律。
于工岳国珍
关键词：薄膜物理计算机模拟
N型GaN的持续光电导被引量：11
1999年
本文报道了金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导（ＰｅｒｓｉｓｔｅｎｔＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ——ＰＰＣ）．在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为．实验结果表明，未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷，这些缺陷可以是ＶＧａ空位、ＮＧａ反位或者ＶＧａ－ＳｉＧａ络合物．和未人为掺杂样品Ａ相比，样品Ｂ中因Ｓｉ的并入导致ＧａＮ中的深能级缺陷增加，提高了ＧａＮ中黄光发射，使持续光电导衰变减慢，但实验未发现黄光的加强和光电导衰变特性与两样品生长温度有明显关系．随测量温度的增加，持续光电导衰变加快，衰变曲线能用扩展指数定律进行拟合．
汪连山刘祥林岳国珍王晓晖汪度陆大成王占国
关键词：氮化镓N型持续光电导MOVPE
SiO_x∶H(0<x<2)薄膜光致发光的退火行为研究被引量：6
1998年
采用退火后处理的方法，使ＳｉＯｘ∶Ｈ（０＜ｘ＜２）形成纳米硅与二氧化硅的镶嵌结构．利用红外透射谱、Ｒａｍａｎ谱和光致发光谱，系统地研究了不同退火温度对薄膜微结构及室温光致发光谱的影响．发现发光谱均由两个Ｇａｕｓｓ线组成，其中主峰随着退火温度的升高而红移，而位于８３５ｎｍ的伴峰不变．指出退火前在７２０—６１０ｎｍ的波长范围内强的主峰可能来源于膜中的非晶硅原子团，随退火温度的升高主峰的红移是由于非晶硅原子团的长大．而伴峰可能来自硅过剩或氧欠缺引入的某种发光缺陷．１１７０℃退火后在８５０ｎｍ附近出现强的谱带与纳米硅的析出有关，支持了量子限制效应发光模型．
马智训廖显伯何杰程文超岳国珍王永谦刁宏伟孔光临
关键词：纳米硅氧化硅光致发光退火
非晶硅的光致结构变化研究
氢化非晶硅薄膜以其优越的特性在新能源(如薄膜太阳能电池)等技术领域起着日益重要的作用,但非晶硅的光致退化(即Staebler-Wronski)效应,简称(SWE)严重限制了它的进一步应用.二十年来,人们对SW效应的理解和...
岳国珍
关键词：非晶硅归一化方法介电常数
氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨被引量：1
1999年
研究了不同氧含量的ａ－ＳｉＯｘ∶Ｈ薄膜的室温光致发光，发现每一个样品的发光谱均由两个Ｇａｕｓｉａｎ分谱组成．一个是峰位随氧含量蓝移的宽的主峰；另一个是峰位固定在大约８３５ｎｍ的伴峰．结合对ＩＲ谱和微区Ｒａｍａｎ谱的分析，我们认为主峰可能与膜中的ａ－Ｓｉ颗粒有关，而伴峰与Ｓｉ过剩或氧欠缺引起的缺陷有关．
马智训廖显伯何杰程文超岳国珍王永谦刁宏伟孔光临
关键词：光致发光氧化硅半导体薄膜技术
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