孔光临
- 作品数：54 被引量：209H指数：9
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- 硅基薄膜光电性能测试技术——电导温度曲线和光电导衰退的测试被引量：2
- 2008年
- 介绍了硅基薄膜电导温度曲线和光电导衰退测试设备和方法,包括测试设备、采集数据的方法及测试的操作规程等。
- 孔光临郝会颖彭文博刘石勇张长沙石明吉曾湘波廖显伯
- 关键词：硅基薄膜电导透射谱
- 非晶/微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池被引量：18
- 2005年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF_PECVD)法,成功制备出从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜.样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性.用这种两相结构的材料作为本征层制备了p_i_n太阳能电池,并测量了其稳定性.结果在AM1.5(100mW cm2)的光强下曝光800—5000min后,开路电压略有升高,转换效率仅衰退了2.9%.
- 郝会颖孔光临曾湘波许颖刁宏伟廖显伯
- 关键词：太阳能电池等离子体增强化学气相沉积光电性质甚高频微晶硅AM1
- GD a-Si:(Cl,H)薄膜的光学性质
- 1983年
- 本文报道用分光光度仪对GDa-Si:(Cl,H)薄膜的光学性质进行测量的结果,并采用较严格的两层膜透射公式进行处理.发现掺CI以后,材料的光学能隙(E_o)增大,热学稳定性增加,同Si-CI键有较强的键合能的结果一致.
- 廖显伯杨喜荣徐学敏刘昌灵孔光临
- 关键词：衬底温度光学性质
- 非晶硅基太阳电池p型界面的研究
- 本文介绍作者关于非晶硅基pin型太阳电池p型界面的研究工作。我们采用了AMPS模型计算模拟与PECVD技术制备电池样品相结合的研究方法。研究工作中,我们发现由界面问题引起的光伏Ⅰ-Ⅴ曲线的异常拐弯可区分为两类,一类的拐弯...
- 廖显伯刁宏伟胡志华曾湘波徐艳月孔光临
- 关键词：非晶硅太阳电池
- 文献传递
- 氢化纳米非晶硅(na-Si:H)p-i-n太阳电池被引量：1
- 2004年
- 文章报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/n界面插入渐变带隙缓冲层,制备出了glass/ITO/p-a-SiC:H/i-na-Si:H/n-nc-Si:H/Al结构的pin太阳电池。电池初始开路电压(Voc)高达0.94V,同时还能保证0.72的填充因子(FF)。光电转换效率(Eff)达到8.35%(AM1.5,100mW/cm2)。
- 胡志华廖显伯夏朝凤刁宏伟孔光临
- 关键词：开路电压PECVD
- 用VHF-PECVD生长高质稳定a-Si:H薄膜
- 用VHF-PECVD技术沉积了一系列样品,用Keithly公司642静电计和惠普公司的8520数字多用表测试了它们的光电特性.研究光电特性和光致变化与沉积的关系.我们发现,适当增大气压可以提高沉积速率,微量硼杂可以显著提...
- 徐艳月廖显伯刁宏伟张世斌孔光临
- 关键词：A-SI:H薄膜化学气相沉积沉积速率稳定性
- 文献传递
- p型纳米硅与a-Si∶H不锈钢底衬nip太阳电池被引量：10
- 2005年
- 报道了选用厚度为0.05mm的不锈钢箔作衬底,B掺杂P型氢化纳米硅作窗口层,制备成功开路电压和填充因子分别达到0.90V和0.70的nip非晶硅基薄膜单结太阳电池.UV VIS透射谱和微区Raman谱证实所用p层具有典型氢化纳米硅的宽能隙和含有硅结晶颗粒的微结构特征.明确指出导致这种氢化纳米硅能隙展宽的物理机制是量子尺寸效应.
- 胡志华廖显伯刁宏伟夏朝凤曾湘波郝会颖孔光临
- 关键词：量子尺寸效应不锈钢
- 稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析被引量：9
- 2003年
- 利用等离子体增强化学气相沉积技术研制出了优质稳定的氢化非晶 纳米晶两相结构硅薄膜 .薄膜的光电导率相对于器件质量的非晶硅有两个数量级的提高 ;光敏性也较好 ,光、暗电导比可以达到 10 4,此外薄膜的光电导谱具有更宽的长波光谱响应 .更为重要的是薄膜的光致退化效应远小于典型的非晶硅薄膜 ,在光强为 5 0mW/cm2 的卤钨灯光照 2 4h后 ,光电导的衰退小于 10 % .这种薄膜优良的光电性能源于薄膜中的非晶母体的存在使其在光学跃迁中的动量选择定则发生松弛 ,因而具有大的光学吸收系数和较高的光敏性 ;相对于典型非晶硅而言 ,薄膜的中程有序度得到了较大的改善 ,并具有小的深隙态密度 ;薄膜中存在的纳米尺寸的微晶颗粒 ,提供了光生载流子的复合通道 ,在非晶母体中的电子空穴对可以转移到微晶颗粒中进行复合 ,这样抑制了非晶母体中的非辐射复合 。
- 徐艳月孔光临张世斌胡志华曾湘波刁宏伟廖显伯
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积微结构氢化非晶硅薄膜
- 稳定高效非晶硅太阳电池
- 本文报道用“不间断生长/退火”PECVD技术,制备了含一定比例（～0.3）微晶成分的非晶硅膜。它具有较小的深缺陷态密度和较好的稳定性,用以制备的非晶硅单结太阳电池稳定效率达到8.02％。
- 廖显伯张世斌王永谦刁宏伟孔光临
- 文献传递
- 非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化(英文)
- 2002年
- 研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况 .用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合 ,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合 .这表明非晶硅薄膜长时间的衰退不是由带尾态决定 ,而是由深的陷阱决定的 .两个指数函数的衰退分别对应于距导带 0 .5 2 e V和 0 .5 9e V的两个陷阱 ,这两个陷阱可以被指认为带隙中的荷负电中心 .光照后 ,带隙中的复合中心增加 ,导致电子寿命的减少 ,从而引起光电导的衰退 .
- 张世斌孔光临徐艳月王永谦刁宏伟廖显伯
- 关键词：硅薄膜非晶硅
