张世斌
- 作品数：18 被引量：109H指数：6
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 氢化非晶硅氧薄膜微结构被引量：2
- 2002年
- 以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸收光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧（a-SiOx:H）薄膜的微结构及键构型.研究表明,在0.525≤x≤1.58的氧含量范围内,a-SiOx:H薄膜成分和结构不是均一的,依赖于局域键构型氧化程度的不同,大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分,即Si,SiO（:H）,SiO（:H）,SiO2（:H）和SiO2.其中的Si相以非氢化的非晶硅（a-Si）颗粒形式存在,随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在.提出一种多壳层模型来描述a-SiOx:H薄膜的结构,认为a-SiOx:H薄膜中a-Si颗粒依次为Si2O（:H）,SiO（:H）,Si2O3（:H）和SiO2壳层所包围.随薄膜氧含量x的增加,各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变.
- 王永谦廖显伯刁宏伟陈长勇张世斌徐艳月陈维德孔光临程文超李国华
- 关键词：微结构PECVD法发光机制
- 快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响被引量：3
- 2002年
- 采用micro Raman散射、傅里叶变换红外吸收谱和光致发光谱研究了快速热退火及氢等离子体处理对等离子体增强化学气相沉积法 2 0 0℃衬底温度下生长的富硅氧化硅 (SRSO)薄膜微结构和发光的影响 .研究发现 ,在 30 0—6 0 0℃范围内退火 ,SRSO薄膜中非晶硅和SiOx∶H两相之间的相分离程度随退火温度升高趋于减小 ;而在 6 0 0—90 0℃范围内退火 ,其相分离程度随退火温度升高又趋于增大 ;同时发现SRSO薄膜发光先是随退火温度的升高显著加强 ,然后在退火温度达到和超过 6 0 0℃后迅速减弱 ;发光峰位在 30 0℃退火后蓝移 ,此后随退火温度升高逐渐红移 .对不同温度退火后的薄膜进行氢等离子体处理 ,发光强度不同程度有所增强 ,发光峰位有所移动 ,但不同温度退火样品发光增强的幅度和峰位移动的趋势不同 .分析认为退火能够引起薄膜中非晶硅颗粒尺度、颗粒表面结构状态以及氢的存在和分布等方面的变化 .结果表明不仅颗粒的尺度大小 ,而且颗粒表面的结构状态都对非晶硅颗粒能带结构和光生载流子复合机理发挥重要影响 .
- 王永谦陈维德陈长勇刁宏伟张世斌徐艳月孔光临廖显伯
- 关键词：微结构发光快速热退火
- 稳定优质氢化非晶硅薄膜的研制
- ＜正＞氢化非晶硅（a-Si:H）是近二十年来发展起来的一种新型功能材料,在新能源和信息显示等高科技领域起着日益重要的作用。然而a-Si:H存在不稳定性问题,严重限制了它的进一步发展和应用。自从 D.L. Staebler...
- 刁宏伟张世斌王永谦廖显伯孔光临
- 文献传递
- PECVD非晶硅膜的均匀性
- ＜正＞采用PECVD法制备的非晶硅薄膜的均匀性受到多种工艺参数的影响.这些参数中,一类是沉积过程的工艺参数,如反应气体的气压、反应气体的流速、功率密度等;另一类是设备结构参数,它们决定了反应气体的气流分布和电场分布等.
- 刁宏伟徐艳月张世斌王永谦廖显伯
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- VHF-PECVD非晶硅膜的均匀性
- 我们对现存三室PECVD设备进行了改造,借鉴国外的经验,将PECVD系统的阴极单板结构改造为喷淋式的三层结构,进气方式由侧进气改为下进气.在改造后的VHF-PECVD系统上进行了一系列的工艺实验.实验结果表明:改进的三层...
- 刁宏伟徐艳月张世斌廖显伯
- 关键词：非晶硅薄膜化学气相沉积工艺参数
- 文献传递
- 用VHF-PECVD生长高质稳定a-Si:H薄膜
- 用VHF-PECVD技术沉积了一系列样品,用Keithly公司642静电计和惠普公司的8520数字多用表测试了它们的光电特性.研究光电特性和光致变化与沉积的关系.我们发现,适当增大气压可以提高沉积速率,微量硼杂可以显著提...
- 徐艳月廖显伯刁宏伟张世斌孔光临
- 关键词：A-SI:H薄膜化学气相沉积沉积速率稳定性
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- 非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化(英文)
- 2002年
- 研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况 .用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合 ,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合 .这表明非晶硅薄膜长时间的衰退不是由带尾态决定 ,而是由深的陷阱决定的 .两个指数函数的衰退分别对应于距导带 0 .5 2 e V和 0 .5 9e V的两个陷阱 ,这两个陷阱可以被指认为带隙中的荷负电中心 .光照后 ,带隙中的复合中心增加 ,导致电子寿命的减少 ,从而引起光电导的衰退 .
- 张世斌孔光临徐艳月王永谦刁宏伟廖显伯
- 关键词：硅薄膜非晶硅
- 氢稀释和频率对非晶硅沉积速率的影响
- ＜正＞在非晶/微晶转变点附近生长的a-Si:H薄膜既具有非晶硅的高光敏性又具有微晶硅的稳定性.因此我们认为提高a-Si:H五薄膜在非晶/微晶转变点附近的沉积速率具有重要意义.
- 徐艳月张世斌刁宏伟王永谦廖显伯
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- 硅纳米线的制备方法
- 本发明属于纳米器件制造工艺技术领域，具体涉及硅纳米线一种制备工艺。其特征在于，在硅衬底上形成硅金纳米合金粒或金溶胶粒，从而可能在PECVD系统下生长硅纳米线。具体步骤为：(1)在硅衬底上用物理方法形成硅金纳米粒，或者用化...
- 曾湘波廖显伯刁宏伟向贤碧孔光临徐艳月张世斌
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- 纳米硅(nc-Si:H)/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池计算机模拟
- 本文运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟计算了n-型纳米硅(n<'->-nc-Si:H)/p-型晶体硅(p-c-Si)异质结太阳电池的光伏特性.结果显示,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(V<...
- 胡志华云南师范大学太阳能研究所(中国昆明)廖显伯刁宏伟曾湘波徐艳月张世斌孔光临
- 关键词：太阳电池计算机模拟光伏特性
- 文献传递
