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GaN基HEMTs器件表面态及界面态研究: AlGaN//GaN HEMTs器件在无线通信和雷达领域有着广阔的应用前景，但是由于器件体材料中的陷阱、表面态导致GaN基HEMTs拥有较大的栅泄漏电流，影响其可靠性，限制了它在商业领域的应用，因此，探索器件中的陷阱能级...; 廖雪阳; 关键词：界面态表面态; 文献传递

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型被引量：2: 2012年; 初步分析了AlGaN/GaN器件上的kink效应.在直流模型的基础上,建立了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型,并加入了kink效应发生的漏源偏压与栅源偏压的关系.该模型得出较为准确的模拟结果,可用来判断kink效应的发生和电流的变化量.最后,我们采用模型仿真结合实验分析的方法,对kink效应进行了一定的物理研究,结果表明碰撞电离对kink效应的发生有一定的促进作用.; 马骥刚马晓华张会龙曹梦逸张凯李文雯郭星廖雪阳陈伟伟郝跃; 关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 KINK效应

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廖雪阳