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张弦

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 6篇门极
  • 6篇门极换流晶闸...
  • 6篇晶闸管
  • 6篇换流
  • 6篇集成门极换流...
  • 4篇高压器件
  • 4篇隔离区
  • 3篇钝化
  • 3篇钝化层
  • 3篇金刚石膜
  • 3篇半导体
  • 3篇掺杂
  • 2篇电子辐照
  • 2篇钝化膜
  • 2篇有机膜
  • 2篇质子
  • 2篇质子辐照
  • 2篇数量级
  • 2篇快恢复二极管
  • 2篇类金刚石

机构

  • 9篇株洲南车时代...

作者

  • 9篇张弦
  • 9篇陈芳林
  • 5篇高建宁
  • 4篇雷云
  • 4篇唐龙谷
  • 4篇刘可安
  • 3篇颜骥
  • 2篇蒋谊
  • 2篇戴小平

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2013
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种半导体台面及制作方法
本发明公开了一种半导体台面，其中，PN结交界面延伸至该半导体台面的表面，应用于半导体技术领域，该半导体台面包括：由第一钝化膜和覆盖于第一钝化膜上的第二钝化膜形成的钝化层；在钝化层上形成的保护层，本发明同时公开了制作该半导...
张弦陈芳林颜骥邱凯兵高建宁王政英
文献传递
集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管及其制造方法
本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管(FRD)及其制造方法。该方法采用铝预沉积和硼离子注入的配合工艺方法，克服了一般快速整流管在P<Sup>+</Sup>型层纵横向杂质分布不均匀的缺点，极大地改善了FRD承...
高建宁陈芳林戴小平蒋谊郭润庆张弦
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半导体芯片台面结构及其保护方法
本发明公开了一种半导体芯片台面结构及其保护方法，半导体芯片台面结构包括：覆盖在半导体芯片边缘表面的钝化层，钝化层为半导体芯片在经过类金刚石膜沉积处理后，放置于200℃至350℃的环境中，并且在惰性气体氛围下进行退火处理后...
张弦陈芳林吴煜东邱凯兵颜骥高建宁王政英
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一种半导体台面及制作方法
本发明公开了一种半导体台面，其中，PN结交界面延伸至该半导体台面的表面，应用于半导体技术领域，该半导体台面包括：由第一钝化膜和覆盖于第一钝化膜上的第二钝化膜形成的钝化层；在钝化层上形成的保护层，本发明同时公开了制作该半导...
张弦陈芳林颜骥邱凯兵高建宁王政英
集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管及其制造方法
本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管(FRD)及其制造方法。该方法采用铝预沉积和硼离子注入的配合工艺方法，克服了一般快速整流管在P<Sup>+</Sup>型层纵横向杂质分布不均匀的缺点，极大地改善了FRD承...
高建宁陈芳林戴小平蒋谊郭润庆张弦
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一种逆导型集成门极换流晶闸管制作方法
本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管制作方法，包括：S100：在原始N-衬底的一面轻掺杂一层N′杂质；S101：制作GCT的P型基区和FRD的P型基区；S102：在N-衬底的另一面进行N′杂质掺杂；S103：在GCT...
陈芳林刘可安唐龙谷张弦雷云
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一种逆导型集成门极换流晶闸管
本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管，包括：GCT、FRD，以及GCT和FRD之间的隔离区。GCT在纵向由上至下依次包括GCT的阴极N+掺杂区、GCT的P型基区、N-衬底、N′缓冲层和GCT的P+阳极区。FRD在纵向...
陈芳林刘可安唐龙谷张弦雷云
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一种逆导型集成门极换流晶闸管制作方法
本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管制作方法，包括：S100：在原始N-衬底的一面轻掺杂一层N′杂质；S101：制作GCT的P型基区和FRD的P型基区；S102：在N-衬底的另一面进行N′杂质掺杂；S103：在GCT...
陈芳林刘可安唐龙谷张弦雷云
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一种逆导型集成门极换流晶闸管
本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管，包括：GCT、FRD，以及GCT和FRD之间的隔离区。GCT在纵向由上至下依次包括GCT的阴极N+掺杂区、GCT的P型基区、N-衬底、N′缓冲层和GCT的P+阳极区。FRD在纵向...
陈芳林刘可安唐龙谷张弦雷云
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