高建宁
- 作品数：10 被引量：2H指数：1
- 供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理金属学及工艺更多>>
- 逆导型IGCT补偿性PNP隔离技术研究
- 随着IGCT器件及应用技术的发展,IGCT器件已成为大功率变流装置的首选器件,而逆导型IGCT器件因为GCT与续流FRD反并联集成在同一个芯片上,可优化装置设计、结构、重量及体积等,被广泛应用与煤矿、冶金、能源等领域。株...
- 陈芳林唐龙谷陈勇民高建宁张明
- 一种快恢复二极管的制备方法
- 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的制备方法，包括如下步骤：1)对N型硅圆片的任意一面进行抛光处理；2)进行铝预沉积，在所述硅圆片抛光面进行硼离子注入，并进行氧化推进工艺，使硅圆片内形成P<Sup>+</...
- 郭润庆陈芳林颜骥高建宁蒋谊彭文华陈勇民邱凯兵
- 文献传递
- 一种半导体台面及制作方法
- 本发明公开了一种半导体台面，其中，PN结交界面延伸至该半导体台面的表面，应用于半导体技术领域，该半导体台面包括：由第一钝化膜和覆盖于第一钝化膜上的第二钝化膜形成的钝化层；在钝化层上形成的保护层，本发明同时公开了制作该半导...
- 张弦陈芳林颜骥邱凯兵高建宁王政英
- 一种快恢复二极管的制备方法
- 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的制备方法，包括如下步骤：1)对N型硅圆片的任意一面进行抛光处理；2)进行铝预沉积，在所述硅圆片抛光面进行硼离子注入，并进行氧化推进工艺，使硅圆片内形成P<Sup>+</...
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- 一种半导体台面及制作方法
- 本发明公开了一种半导体台面，其中，PN结交界面延伸至该半导体台面的表面，应用于半导体技术领域，该半导体台面包括：由第一钝化膜和覆盖于第一钝化膜上的第二钝化膜形成的钝化层；在钝化层上形成的保护层，本发明同时公开了制作该半导...
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- 文献传递
- 集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管及其制造方法
- 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管(FRD)及其制造方法。该方法采用铝预沉积和硼离子注入的配合工艺方法，克服了一般快速整流管在P<Sup>+</Sup>型层纵横向杂质分布不均匀的缺点，极大地改善了FRD承...
- 高建宁陈芳林戴小平蒋谊郭润庆张弦
- 文献传递
- 半导体芯片台面结构及其保护方法
- 本发明公开了一种半导体芯片台面结构及其保护方法，半导体芯片台面结构包括：覆盖在半导体芯片边缘表面的钝化层，钝化层为半导体芯片在经过类金刚石膜沉积处理后，放置于200℃至350℃的环境中，并且在惰性气体氛围下进行退火处理后...
- 张弦陈芳林吴煜东邱凯兵颜骥高建宁王政英
- 文献传递
- 集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管及其制造方法
- 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管(FRD)及其制造方法。该方法采用铝预沉积和硼离子注入的配合工艺方法，克服了一般快速整流管在P<Sup>+</Sup>型层纵横向杂质分布不均匀的缺点，极大地改善了FRD承...
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- 文献传递
- 逆导IGCT补偿型PNP隔离技术研究被引量：2
- 2015年
- 逆导IGCT器件的关键技术在于实现GCT与FRD间的隔离。对比现有隔离技术,提出了一种补偿型横向PNP结隔离方法;经Silvaco仿真分析后,在4英寸与6英寸GCT芯片上开展了工艺和测试验证,结果表明该方法能有效提升隔离电压,并降低了隔离区的设计与工艺难度。
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- 关键词：IGCTGCT
- IGCT配套FRD器件的性能优化
- 2015年
- 首先介绍IGCT配套用FRD器件的特点和国内外发展现状,进而说明FRD器件的结构设计原则;详细阐述了FRD器件的粒子辐照技术,并采用质子辐照技术使FRD器件的反向恢复性能得到了极大的提升,完全满足IGCT器件的配套应用要求。
- 高建宁陈芳林张明郭润庆
- 关键词：快恢复二极管IGCTPIN结构软恢复质子辐照
