斯剑霄
- 作品数：47 被引量：46H指数：4
- 供职机构：浙江师范大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- In掺杂对PbTe薄膜结构及电输运特性影响
- 2017年
- 本文采用分子束外延(MBE)方法在BaF2(111)衬底上外延生长了Pb1-xInxTe (0.00 ≤ x ≤ 0.20)薄膜。研究结果表明当x ≤ 0.06时,In在PbTe中进行替位式掺杂,形成n型的立方相Pb1?xInxTe结构,薄膜电导率随In掺杂量的增加而增大;当x ≥ 0.10时,In掺杂出现过饱和,过量的In形成In2Te3结构相,Pb1-xInxTe薄膜电导率急剧下降。整个掺杂过程中,In均向薄膜表面发生了偏析。综合分析不同In掺杂量下Pb1-xInxTe薄膜的Seebeck系数和电导率测试结果,可以得出In的微量掺杂可实现PbTe薄膜电输运性能的提升,In掺杂量为0.06时薄膜表现出最佳的电输运性能,440K时Pb1-xInxTe (x = 0.06)的功率因子可达9.7 μW-cm-1`K-2,为本征PbTe最大功率因子的1.2倍。
- 徐珊瑚郑春波蒋磊陈忠兰周丹朱希斯剑霄廖清吴海飞
- 关键词：热电材料分子束外延
- Cl掺杂SnSe单晶制备和热电性能研究被引量：1
- 2020年
- 采用布里奇曼法(Bridgman)制备了Cl掺杂的n型SnSe单晶热电材料,研究了Cl的掺杂量对SnSe1-xClx(x = 0, 0.02, 0.025, 0.03, 0.04)样品的热电性能的影响。结果表明,Cl的掺入可以实现SnSe单晶从p型到n型的转变。当x = 0.03时,SnSe0.97Cl0.03样品的电子浓度提高到5.1 ×1018 cm−3,样品表现出高的电导率和迁移率。在323 K温度下功率因子(PF)达到17.8 uWcm−1K−2。在323 K - 773 K温度范围内的平均ZT值达到0.72,为不掺杂SnSe单晶样品的3.8倍,表明Cl掺杂可以有效改善低温段n型SnSe单晶的热电性能。
- 李康银斯剑霄方文强申彤
- 关键词：布里奇曼法热电性能
- 铁磁性金属丝的拉丝转盘
- 本实用新型涉及一种拉丝转盘，特别是一种铁磁性金属丝的拉丝转盘。包括转盘，其特征在于：在转盘的盘毂上设装有表面与盘毂表面平滑的磁体。不仅能直接自动地将铁磁性金属丝牵引到转盘上，还具有省时省事、工效高、结构简单等优点，特别是...
- 方允樟斯剑霄吴锋民蒋燕郑金菊孙怀君
- 文献传递
- PbTe半导体光电导中红外探测器及制备方法
- 一种基于PbTe半导体外延材料的光电导中红外探测器，包括基底、沉积在基底上的半导体光敏电阻薄膜、光敏电阻薄膜表面的保护层、电极，利用分子束外延设备(MBE)在CdZnTe基底上生长无掺杂的PbTe半导体薄膜，使用ZnS作...
- 吴惠桢何展魏晓东斯剑霄蔡春锋
- 文献传递
- PbTe/Pb_(1-x)Sr_xTe多量子阱中红外发光二极管的研究被引量：1
- 2008年
- 为了提高Ⅳ-Ⅵ族中红外激光器的工作温度,采用分子束外延生长技术,在Cd0.96Zn0.04Te(111)衬底上外延生长了以PbTe/Pb1-xSrxTe量子阱为有源区的p-n双异质结发光二极管。高分辨X衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测量表明,PbTe/Pb1-xSrxTe量子阱具有很好晶体质量和发光特性。制作的二极管I-V特性测量显示正向工作开启电压为0.35V左右,工作电流1.6mA。正向耐压特性表明二极管可承受70mA的电流注入,表明二极管具有很好的正向开启电压和反向截止电压。
- 斯剑霄吴惠桢翁斌斌何展蔡春锋
- 关键词：PBTE发光二极管
- 热电材料快速感应熔炼装置
- 本实用新型涉及一种热电材料快速感应熔炼装置，它包括可盛装热电材料原料的内置耐高温容器、外置耐高温容器、抽真空设备、高频感应加热设备及高频感应加热线圈，外置耐高温容器内设有石墨块，石墨块位于外置耐高温容器底部，顶部设有凹槽...
- 斯剑霄丁光潮王古伟杨实丹
- 文献传递
- KBr掺杂多晶SnSe化合物热电性能的研究
- 2017年
- 采用感应熔炼结合快速感应热压方法制备了K_xSn_(1-x)SeBr_x(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.05,0.06)系列样品,研究了KBr掺杂对多晶Sn Se热电性能的影响.当温度为373 K时,x=0.05的样品电导率达到39.12 S/cm,是纯Sn Se的24倍;同时在T=810 K时获得一个较低的晶格热导率0.26 W/(m·K),峰值ZT达到了0.85,提高了70%.结果表明:KBr掺杂能有效提高Sn Se材料在中低段(300~700 K)的热电性能.
- 杨实丹斯剑霄陈子洁陈明
- 关键词：SNSEKBRSEEBECK系数热电性能
- 分子束外延PbTe薄膜中的红外光电导探测器被引量：1
- 2010年
- 中红外探测器在诸多领域具有重要的应用,目前,我国在PbTe、PbSe中红外探测器方面研制较少,通过分子束外延技术、以CdZnTe(111)为衬底生长PbTe外延薄膜,XRD表征表明:PbTe外延薄膜是单晶薄膜,且与衬底具有相同(111)取向,光吸收光谱测量得到外延薄膜的光学吸收边位于3.875μm,光致发光谱显示发光波长位于3.66μm,蓝移是红外激光泵浦导致PbTe温升所致。以PbTe为有源区材料、ZnS薄膜作为钝化和绝缘材料,用AuPtTi合金作为欧姆接触电极,研制了PbTe光电导中红外探测器原型器件,探测器在78K温度下的光电导响应在红外波段的1.5～5.5μm,探测率约为2×109cm·Hz1/2·W-1。最后,对影响探测器工作的因素和改进方法进行了讨论。
- 何展魏晓东蔡春锋斯剑霄吴惠桢张永刚方维政戴宁
- 关键词：PBTE
- Fe基纳米晶LC回路的磁敏特性研究被引量：3
- 2004年
- 通过Fe基纳米晶磁芯电感(LN)与由其并联电容构成的LC回路(LCN)的阻抗频谱曲线和磁阻抗曲线的比较分析,发现LCN磁阻抗比值(△Z/Z0)和磁敏线性区间都比LN大得多,LCN存在特征频率:fr0、frhmax、fr,依据特征频率可以确定磁阻抗曲线的形状,实现LCN磁感灵敏度、磁敏线性区间等磁敏特性的有效调控。
- 方允樟吴锋民郑金菊孙怀君斯剑霄
- 关键词：磁阻抗
- 一种单晶硒化锡热电薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种单晶硒化锡热电薄膜及其制备方法，属于热电材料领域。本单晶硒化锡热电薄膜制备方法，包括以下步骤：取衬底，置于清洗液中超声清洗10min，清洗后在60‑150℃下烘干2h，取出自然冷却；将处理后的衬底放入到旋涂...
- 斯剑霄陈子洁申彤李康银
- 文献传递
