夏明龙
- 作品数：10 被引量：7H指数：2
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 一种制备Ⅳ－Ⅵ族半导体单晶薄膜的生长装置
- 一种制备Ⅳ-Ⅵ族半导体晶体薄膜生长装置，包括有生长设备，抽真空系统，加热系统，冷却系统，控制系统，其特征是：所述的生长设备由进样室，生长准备室，生长室三个真空室依次连接构成，进样室与生长准备室之间及生长准备室与生长室之间...
- 吴惠桢斯剑霄夏明龙徐天宁
- 文献传递
- Pb(Mn)Te的物理特性及其器件工艺研究
- 夏明龙
- 关键词：碲化铅分子束外延欧姆接触P-N结
- 一种制备Ⅳ－Ⅵ族半导体单晶薄膜的生长装置
- 一种制备IV-VI族半导体晶体薄膜生长装置，包括有生长设备，抽真空系统，加热系统，冷却系统，控制系统，其特征是：所述的生长设备由进样室，生长准备室，生长室三个真空室依次连接构成，进样室与生长准备室之间及生长准备室与生长室...
- 吴惠桢斯剑霄夏明龙徐天宁
- 文献传递
- Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜材料的微结构和光学特性
- 2007年
- 采用分子束外延的方法在BaF_2衬底(111)上制备出了高质量的Pb_(1-x)Sr_xSe(0≤x≤0.050)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜为立方相NaCl型晶体结构,没有观察到SrSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.薄膜晶格常数随Sr含量的增加逐渐增大,Sr含量由Vegard公式得到.再用理论模拟Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜透射光谱的方法得到了相应的带隙.最后通过介电函数模型拟合得到了PbSe和Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜在光子能量位于基本带隙附近的折射率n和吸收系数α.
- 王擎雷吴惠桢斯剑霄徐天宁夏明龙谢正生劳燕锋
- 关键词：透射光谱折射率
- Pb_(1-x)Mn_xTe稀磁半导体外延薄膜的光学特性被引量：3
- 2007年
- 采用分子束外延（MBE）方法在BaF2（111）衬底上生长了不同Mn组分的Pb1-xMnxTe（0≤x≤0.012）稀磁半导体薄膜.通过波长为3.0-11.0μm中红外透射谱的分析并应用透射光谱上干涉峰峰值的位置计算获得了Pb1-xMnxTe薄膜的折射率,由最小平方根拟合得到折射率的一阶Sellmeier色散关系.在吸收边附近,通过直接跃迁吸收系数与光子能量的关系外推得到其光学带隙.结果表明,在中红外区域其折射率随着Mn含量的增加而减小,其光学带隙则随着Mn含量的增加而增大,在温度T=295K时,随着Mn含量x由0变化到0.012,其光学带隙Eg由0.320eV增加到0.370eV. 基金
- 夏明龙吴惠桢斯剑霄徐天宁王擎雷戴宁谢正生
- 关键词：红外透射谱光学带隙
- 分子束外延PbTe/Cd0.98Zn0.02Te异系材料的微结构特性研究被引量：2
- 2008年
- 采用分子束外延方法在Ⅱ-Ⅵ族Cd_(0.98)Zn_(0.02)Te(111)衬底上实现了异系Ⅳ-Ⅵ族半导体(PbTe)的外延生长.原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明,PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成;理论计算表明,螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响.通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察,发现在PbTe和Cd_(0.98)Zn_(0.02)Te界面处存在Frank位错.分析表明,这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态,位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要原因.
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- 关键词：位错运动
- PbTe薄膜表面氧化机理研究被引量：2
- 2008年
- 用分子束外延方法在BaF2(111)衬底上生长了PbTe单晶薄膜,原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征显示PbTe表面具有单原子层的平整性,并观察到由螺位错形成的螺旋台阶面。高分辨X射线衍射(HRXRD)测量得到PbTe(111)衍射峰的线宽<100 arc sec,表明薄膜具有优良的晶体结构特性。然后将样品暴露于大气环境中3个月后,用X射线光电子谱(XPS)分析了PbTe表面的氧化机理,发现PbTe表面氧化形成了PbO和TeO2,接着将样品在超高真空中加温,同时测量样品表面的Pb、Te、O元素价态、束缚能、含量等参量随温度的变化,发现在温度达到475℃时PbTe样品表面的氧化层已除去,获得了较干净的PbTe表面,为PbTe光电器件工艺提供了实验依据。
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- 关键词：化合物半导体XPS
- Ⅳ－Ⅵ族半导体单晶薄膜和其异质结构的制备方法
- 一种IV－VI族半导体单晶薄膜和其异质结构的制备方法，在精确控制的超高真空条件下，从束源炉中蒸发出来的IV－VI族各种原子和分子束与一个清洁并具有很好晶面取向的单晶衬底表面相遇，到达衬底表面的原子和分子经过在衬底表面吸附...
- 吴惠桢斯剑霄徐天宁夏明龙
- 文献传递
- Pb_(1-x)Mn_xSe薄膜的光学特性被引量：2
- 2007年
- 采用分子束外延的方法在BaF2(111)衬底上制备出了高质量的Pb1-xMnxSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb1-xMnxSe薄膜为立方相NaCl型结构,没有观察到MnSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减小,Mn含量由Vegard公式得到.通过理论模拟Pb1-xMnxSe薄膜的透射光谱,得到了Pb1-xMnxSe薄膜的带隙与Mn组分的关系,Pb1-xMnxSe薄膜的带隙宽度由0.28eV(x=0)按e指数形式增加到0.49eV(x=0.0681).同时还获得了Pb1-xMnxSe薄膜在波长为4—9.5μm间的折射率.
- 王擎雷吴惠桢斯剑霄徐天宁夏明龙谢正生劳燕锋
- 关键词：透射光谱带隙折射率
- Ⅳ－Ⅵ族半导体单晶薄膜和其异质结构的制备方法
- 一种Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜和其异质结构的制备方法，在精确控制的超高真空条件下，从束源炉中蒸发出来的Ⅳ-Ⅵ族各种原子和分子束与一个清洁并具有很好晶面取向的单晶衬底表面相遇，到达衬底表面的原子和分子经过在衬底表面吸附、迁移和...
- 吴惠桢斯剑霄徐天宁夏明龙
- 文献传递
