李兴存
- 作品数：9 被引量：14H指数：2
- 供职机构：北京印刷学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 在PET上用等离子体辅助原子层沉积方法沉积氧化铝阻隔性的研究
- 原子层沉积技术用于沉积具有均一表面的纳米有机或无机层,原子层沉积过程中的生长模式在此过程中很重要。本文研究了用等离子体辅助原子层沉积技术,在PET上通过改变不同界面层沉积氧化铝薄膜,用三甲基铝(TMA)为铝源,氧气(O_...
- 雷雯雯李兴存陈强
- 关键词：氧化铝原子层沉积界面层
- 文献传递
- 一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法
- 本发明涉及一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法。本发明用双频即微波ECR加射频负偏压设备产生等离子体沉积氧化铝薄膜。用微波ECR加射频负偏压系统使工作气体产生等离子体，以三甲基铝(TMA)为单体，用TMA-Ar-O<...
- 陈强桑利军李兴存
- 电子回旋共振等离子体辅助脉冲式沉积氧化铝薄膜的研究被引量：7
- 2010年
- 采用自行设计和加工的微波电子回旋共振装置、进气系统和工艺程序,以三甲基铝为前躯体,氧气为氧化剂,HF处理过的单晶硅片为基片,在无任何外加热条件下进行原子层沉积氧化铝薄膜的实验研究。利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、原子力显微镜、高分辨率透射电子显微镜等分析手段对薄膜进行了化学成分和微观结构的表征。结果表明,制备的氧化铝薄膜为非晶态结构,薄膜的表面非常光滑平整。薄膜的截面微观结构图像显示,薄膜厚度大约为80nm,界面清晰、按照周期数和层数线形生长规律进行生长。
- 桑利军张跃飞陈强李兴存
- 关键词：电子回旋共振原子层沉积氧化铝
- ECR等离子体沉积原子层氧化铝薄膜的研究
- <正>采用自行设计和加工的微波ECR装置、进气系统和工艺程序,以三甲基铝(TMA)为前躯体,氧气为氧化剂,HF处理过的单晶硅片为基片,在无任何外加热条件下进行原子层沉积(ALD)氧化铝薄膜的实验研究。利用X射线衍射(XR...
- 桑利军张跃飞陈强李兴存
- 关键词：ECR原子层沉积氧化铝
- 文献传递
- 等离子体辅助原子层沉积设备、薄膜制备及性能测试
- 随着半导体工业的迅猛发展,不断缩小的器件尺寸对薄膜材料的制备技术及薄膜材料的性能提出了越来越高的要求。预测在2013年半导体工艺将实现32纳米节点时,如Dynamic Ranldom Access Memory(DRAM...
- 陈强李兴存雷雯雯赵侨桑立军刘忠伟王正铎杨丽珍
- 关键词：等离子体辅助原子层沉积反应机理
- 文献传递
- 等离子体辅助原子层沉积氧化铝薄膜的研究被引量：5
- 2012年
- 为在室温条件下进行氧化铝薄膜的原子层沉积,自行设计了一套微波回旋共振等离子体辅助原子层沉积装置,以三甲基铝作为铝源前躯体,氧气作为氧化剂,在室温下于氢氟酸溶液中处理过的单晶硅基片上进行了氧化铝薄膜的沉积。利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、高分辨率透射电子显微镜、X-ray射线衍射、X-ray射线光电子能谱等分析手段测试了薄膜的表面形貌和成分,结果表明制备的氧化铝薄膜为非晶态结构,铝、氧元素含量配比接近2/3,同时薄膜表面非常光滑平整而且致密,表面粗糙度<0.4nm。通过高分辨率透射电子显微镜的截面图,可以估算出薄膜厚度约为80nm,界面非常清晰、平整,薄膜质量较高,沉积速率为0.27nm/周期,沉积速率较热沉积大大提高。
- 桑利军赵桥桥胡朝丽李兴存雷雯雯陈强
- 关键词：原子层沉积表面形貌沉积速率
- 电子回旋共振等离子体辅助原子层沉积金属铝薄膜的研究被引量：1
- 2013年
- 介绍了以三甲基铝为前驱体、氢气为还原剂,在微波电子回旋共振等离子体装置中进行了等离子体辅助原子层沉积金属铝薄膜的研究。确定了影响薄膜结构、表面形貌、和性能的因素。其中薄膜的晶体结构采用X射线衍射表征、原子力显微镜表征薄膜的表面形貌、傅里叶红外变换仪研究薄膜的成分组成,而薄膜性能表面电阻用四探针电阻仪进行测量。实验得到电子回旋共振等离子体可以有效辅助原子层沉积技术制备金属铝薄膜,微波功率对铝薄膜性能有一定的影响;薄膜的后退火处理对其性能影响较大,在氢气氛围中退火处理后铝薄膜的表面电阻有显著的降低,接近其体电阻值。
- 赵桥桥桑利军陈强李兴存
- 关键词：原子层沉积退火表面电阻
- 一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法
- 本发明涉及一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法。本发明用双频即微波ECR加射频负偏压设备产生等离子体沉积氧化铝薄膜。用微波ECR加射频负偏压系统使工作气体产生等离子体，以三甲基铝(TMA)为单体，用TMA-Ar-O<...
- 陈强桑利军李兴存
- 文献传递
- 磁场对等离子体辅助原子层沉积氧化铝薄膜的影响机理研究
- 原子层沉积技术(ALD)是一种基于自限制性反应机理的化学气相沉积薄膜材料的方法。它具有沉积的薄膜厚度可精确控制、表面均匀性好、保形性优等特点。目前越来越多的应用于半导体元器件的制造等领域。 与热原子层沉积(T-ALD)相...
- 李兴存
- 关键词：磁场氧化铝薄膜
- 文献传递
