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60Coγ射线诱导的新生大鼠大脑皮质神经细胞凋亡: 2008年; 目的采用电离辐射诱导的新生大鼠大脑皮质神经细胞损伤模型,探讨电离辐射诱导发育脑伸经细胞死亡的特征和机制.方法新生大鼠接受单次2.0 Gy γ射线照射后,采用DNA凝胶电泳、TUNEL和HE染色鉴定大脑皮质神经细胞死亡的类型和时程变化特点;应用免疫组织化学方法研究p53和iNOS在细胞死亡过程中的可能作用.结果 DNA凝胶电泳、TUNEL和HE染色表明,2.0 Gy γ射线照射可诱导新生大鼠大脑皮质神经细胞凋亡.大脑皮质各区域凋亡指数于照射后4 h开始增高,至12 h达到峰值;照射后相同时间点各皮质区域凋亡指数比较,新皮质最高,海马次之,旧皮质最低;P53和iNOS免疫阳性细胞计数定量结果显示,照射后相同时间点各皮质区域P53和iNOS免疫阳性细胞数差异无统计学意义.结论 2.0 Gy γ射线照射诱导了新生大鼠大脑皮质神经细胞凋亡;不同皮质区域的神经细胞对电离照射引起的损伤反应是相似的,但不同皮质区域的神经细胞凋亡存在差异.; 徐胜利沈丽陈彪; 关键词：电离辐射大脑皮质凋亡 P53 诱导型一氧化氮合酶

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沈丽