您的位置： 专家智库 > >

王延华

作品数：3 被引量：6H指数：2
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文基金：福建省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇多孔硅
  • 2篇半导体
  • 2篇硅
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇氧化锡
  • 1篇异质结
  • 1篇双异质结
  • 1篇气敏
  • 1篇气敏特性
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇光伏
  • 1篇光伏效应
  • 1篇二氧化锡
  • 1篇半导体材料
  • 1篇PS
  • 1篇SNO
  • 1篇X光电子能谱

机构

  • 3篇厦门大学
  • 1篇集美航海学院

作者

  • 3篇王延华
  • 3篇吴孙桃
  • 2篇谢廷贵
  • 1篇朱文章
  • 1篇周海文
  • 1篇陈议明
  • 1篇沈华

传媒

  • 1篇厦门大学学报...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇1999
  • 2篇1998
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
二氧化锡/多孔硅/硅光伏特性研究被引量：3
1998年
测量了二氧化锡（SnO2）／多孔硅（PS）／硅（Si）的光电压谱，分析表明：在SnO2／PS／Si材料中存在着两个异质结；当样品吸附还原性气体时，其光电压明显下降。当样品在1％液化石油气的氛围时（相对于空气），光电压减少了16．4％-27．5％；在1％CO氛围时，减少了8．1％-19．4％；在1％H2氛围时，减少了12．1％-14．9％，因此SnO2／PS／Si可作为一种新的敏感元件。文中还对测量结果进行了讨论分析。
沈华吴孙桃朱文章王延华
关键词：光伏效应气敏特性多孔硅
多孔硅/硅带隙参数的研究被引量：1
1998年
测量了不同电腐蚀条件下制备的多孔硅／硅光伏谱，推导了带隙参数的计算公式．表面光伏谱测量计算值与光致发光的实验结果基本一致．
周海文吴孙桃王延华谢廷贵沈华
关键词：半导体多孔硅
SnO_2/PS/Si吸附气体前后的光伏谱变化被引量：3
1999年
制备了二氧化锡／ 多孔硅／ 硅（ＳｎＯ２／ＰＳ／Ｓｉ） 异质结构样品，在不同温度下，分别测量样品吸附氢气、液化石油气前后的光生电压谱。结合Ｘ 光电子能谱（ＸＰＳ） 测量结果。
吴孙桃谢廷贵王延华陈议明沈华
关键词：半导体材料双异质结多孔硅X光电子能谱
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0