沈华
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- X衍射法分析CVD制备SnO_2多晶膜的构成及其对气敏特性的影响被引量：2
- 1995年
- 通过Ｘ光衍射图分析，确认了较低温度下ＣＶＤ法生长的非掺杂ＳｎＯ２晶膜含有较多的偏离ＳｎＯ２配位的晶体成份，从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度的现象。
- 颜永美沈华蔡玉霜
- 关键词：二氧化锡CVD法
- 微机控制实现光伏谱自动测量
- 1994年
- 报道了由计算机、扫描控制器、光栅单色仪和锁定放大器组成的光伏谱自动测量系统的结构、联机方法和工作流程．与手动光伏测量系统相比，可提高测量效率２０倍，使在宽的波长范围内精确测量光伏谱成为容易的事．文中还给出了应用该系统测量ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ超晶格光伏谱的结果．
- 朱文章沈华刘士毅
- 关键词：微机自动测量
- 非破坏性研究半导体材料特性参数被引量：2
- 1995年
- 测量了元素和化合物半导体单晶材料的常温、低温下的表面光电压,推导了有关计算公式,计算得出材料的少子扩散长度、深能级和表面能级位置,禁带宽度和化合物组分;由双能级复合理论,研究了少子扩散长度与深能级的关系,计算了深能级浓度和参数;计算结果与其他方法的测量实验值基本一致.
- 沈华陈仪明朱文章
- 关键词：半导体材料特性参数
- 二氧化锡/多孔硅/硅光伏特性研究被引量：3
- 1998年
- 测量了二氧化锡（SnO2）／多孔硅（PS）／硅（Si）的光电压谱，分析表明：在SnO2／PS／Si材料中存在着两个异质结；当样品吸附还原性气体时，其光电压明显下降。当样品在1％液化石油气的氛围时（相对于空气），光电压减少了16．4％-27．5％；在1％CO氛围时，减少了8．1％-19．4％；在1％H2氛围时，减少了12．1％-14．9％，因此SnO2／PS／Si可作为一种新的敏感元件。文中还对测量结果进行了讨论分析。
- 沈华吴孙桃朱文章王延华
- 关键词：光伏效应气敏特性多孔硅
- SnO_2：Pd／Si新气敏特性的研究被引量：2
- 1996年
- 用ＣＶＤ法在（１１１）和（１００）单晶硅衬底上沉积ＳｎＯ２或ＳｎＯ队：Ｐｄ薄膜．在不同温度下，测量ＳｎＯ２／Ｓｉ表面吸附Ｈ２或ＣＯ等还原性气体后光电压的变化．结果表明：ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的光电压变化，可以灵敏检测Ｈ２、ＣＯ等气体，讨论了ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的气敏机理．
- 沈华吴孙桃吴孙桃许淑恋
- 关键词：气敏特性异质结二氧化锡钯
- GaAs同质结、异质结和异质面的光伏谱研究被引量：2
- 1992年
- 采用我们自己建立的微机控制光伏谱自动测量系统,测量了 P-Al_(0.35)Ga_(0.65)As/n-GaAs 异质结在不同温度下的光伏谱和 p-GaAs/n-GaAs 同质结、P-Al-GaAs/p-GaAs/n-GaAs 异质面在室温下的光伏谱,并进行比较分析。采用改进的阻尼最小二乘法对实验数据进行拟合计算,求出少子扩散长度、结深、表面复合速度和界面复合速度等重要参数。
- 朱文章沈华
- 关键词：GAAS异质结砷化镓
- 高阻硅中深能级与少子寿命的研究被引量：1
- 1994年
- 本文测量了ｎ型高阻硅在９种不同浓度的金掺杂前后少子寿命的变化，以及两类不同电阻率的ｎ型高阻硅在７种不同辐照剂量的１ＭｅＶ高能电子辐照前后少子寿命的变化；测量了金掺杂和高能电子辐照在硅中引入的主要深能级；研究对比金掺杂和高能电子辐照对硅单晶性能的影响及其在提高电子器件开关速度方面的应用。
- 朱文章沈华
- 关键词：深能级少子寿命高阻硅
- 超晶格光伏效应的温度特性
- 1992年
- 在18～300K 度范围内测量了 GaAs/AlGaAs 超晶格和 Ge_xSi_(1-x)/Si 应变层超晶格在不同温度下的光伏谱。在200K 以下,在 GaAs/AlGaAs 超晶格中观测到6个子带间光跃迁激子峰;在100K 以下,GaAs/AlGaAs 的光伏谱反映了超晶格台阶状态密度分布。在 Ge_xSi_1-x/Si 应变层超晶格中,观测到子带和连续带间的光跃迁。并对两类超晶格的光伏特性进行了比较分析。
- 朱文章沈华
- 关键词：超晶格光跃迁GAAS/ALGAAS
