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文献类型

  • 19篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 17篇谐振器
  • 12篇腔体
  • 12篇衬底
  • 10篇压电
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  • 2篇晶片

机构

  • 22篇中国电子科技...
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇北京中电科卫...

作者

  • 22篇王强
  • 19篇李丽
  • 18篇付兴昌
  • 18篇张力江
  • 18篇商庆杰
  • 18篇李宏军
  • 18篇卜爱民
  • 18篇杨志
  • 18篇李亮
  • 18篇梁东升
  • 18篇崔玉兴
  • 10篇高渊
  • 10篇马杰
  • 8篇蔡树军
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  • 1篇赵瑞华
  • 1篇蒋永红
  • 1篇吴立丰

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇机械制造与自...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 3篇2024
  • 4篇2023
  • 2篇2021
  • 12篇2020
  • 1篇2018
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
城市轨道交通多普勒雷达测速算法研究被引量:5
2021年
针对基于多普勒频偏估计的雷达测速方法精度不高的问题,提出采用自相关处理和改进的能量重心法相结合的频偏估计方法。该方法对接收信号进行自相关处理以抑制噪声的影响,并根据能量重心法中谱线选择与矫正精度的关系,对能量重心法进行改进。对所提算法进行了仿真验证。结果表明,与常规算法相比,本算法有效提高了多普勒频偏估计的精度和多普勒雷达测速的精度。
王强史学森詹洁张子龙
关键词:轨道交通雷达测速多普勒效应
具有晶种层的谐振器、滤波器及谐振器制备方法
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种具有晶种层的谐振器、滤波器及谐振器制备方法。该谐振器包括衬底;多层结构,形成于所述衬底上,所述多层结构由下至上依次包括晶种层、下电极层、压电层和上电极层;其中,在所述衬底和所述多层结构...
李亮李丽吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东崔玉兴张力江刘相伍杨志商庆杰李宏军钱丽勋卜爱民王强付兴昌
文献传递
谐振器、晶片及谐振器制造方法
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种谐振器、晶片及谐振器制造方法。该谐振器包括衬底;多层结构,形成于所述衬底上,所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和声镜对;所述上电极层和下电极层中的至少一者包括:电极...
田秀伟李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东崔玉兴张力江刘相伍杨志商庆杰李宏军李丽卜爱民王强付兴昌
谐振器及滤波器
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种谐振器及滤波器。该谐振器包括衬底、下电极层、上电极层和环;其中,环设置在所述下电极层或所述上电极层的表面上。所述衬底和所述下电极层之间形成有具有下半腔体和上半腔体的腔体,且下半腔体整体...
李亮李宏军吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东崔玉兴张力江刘相伍杨志商庆杰钱丽勋李丽卜爱民王强付兴昌
文献传递
一种谐振器封装系统
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种谐振器封装系统。该谐振器封装系统包括谐振器和所述谐振器的封装结构;所述谐振器包括:衬底和多层结构,所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层;所述封装结构包括:第一衬底、第...
李亮商庆杰梁东升赵洋王利芹丁现朋刘青林冯利东张丹青崔玉兴张力江刘相伍杨志李宏军钱丽旭李丽卜爱民王强蔡树军付兴昌
文献传递
谐振器及滤波器
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种谐振器及滤波器。该谐振器包括衬底、下电极层、上电极层和环;其中,环设置在所述下电极层或所述上电极层的表面上。所述衬底和所述下电极层之间形成有具有下半腔体和上半腔体的腔体,且下半腔体整体...
李亮李宏军吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东崔玉兴张力江刘相伍杨志商庆杰钱丽勋李丽卜爱民王强付兴昌
声学谐振器封装结构
本发明涉及半导体技术领域,具体公开一种声学谐振器封装结构。该谐振器包括基板;声学谐振器,设置在所述基板上,所述声学谐振器包括衬底;多层结构,形成于所述衬底上,其中,在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体;盖帽,所述盖帽与...
李亮商庆杰梁东升赵洋王利芹丁现朋刘青林冯利东张丹青崔玉兴张力江刘相伍杨志李宏军钱丽旭李丽卜爱民王强蔡树军付兴昌
文献传递
多通道宽带微波集成组件自动测试系统及方法
本发明适用于微波微系统测试技术领域,提供了一种多通道宽带微波集成组件自动测试系统及方法,该系统包括:上位机、测试仪器和待测产品;上位机可以配置待测产品的基准数据、待测产品的工作模式和测试仪器的状态参数;获取待测产品和测试...
郑宏斌王强蒋永红吴立丰赵瑞华姜兆国李晓斌张恒晨孙佳林宋铖靳英策王飞郭建滑国红周泽
文献传递
宽带FBAR滤波器的研制被引量:3
2021年
采用阶梯型结构的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器芯片和外匹配电路实现了一种输入输出端口阻抗均为50Ω的宽带FBAR滤波器。FBAR滤波器芯片采用自主的FBAR滤波器工艺实现,外匹配电路采用0.35μm GaAs工艺实现,并在该芯片上植球,采用倒装工艺将FBAR滤波器芯片与外匹配电路芯片进行异构集成。然后采用微组装工艺将异构集成芯片装配在标准陶瓷外壳中,外壳通过平行封焊工艺实现气密封装,体积仅为3.8 mm×3.8 mm×1.8 mm。测试结果显示,该滤波器通带频率范围为3 300~3 600 MHz, 1 dB带宽约为300 MHz,相对带宽为8.7%,插入损耗为1.41 dB,在3 250 MHz和3 650 MHz处带外抑制分别为16.5 dBc和48.2 dBc。将实测结果与仿真结果进行了对比,两者基本吻合。
王强李丽张仕强
关键词:宽带异构集成
声学谐振器封装结构及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域,具体公开一种声学谐振器封装结构及其制备方法。该谐振器包括基板;声学谐振器,设置在所述基板上,所述声学谐振器包括衬底;多层结构,形成于所述衬底上,其中,在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体;盖帽...
李亮商庆杰梁东升赵洋王利芹丁现朋刘青林冯利东张丹青崔玉兴张力江刘相伍杨志李宏军钱丽旭李丽卜爱民王强蔡树军付兴昌
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